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在Si(110)衬底上通过原位掺杂的方法可得到磷掺杂和硼掺杂硅片.测量了本征、磷掺杂和硼掺杂硅片的变温荧光光谱,研究了不同温度时杂质对硅片性质的影响.本征硅片的荧光发射光谱中只存在1个特征峰,进行掺杂后,由于能级发生分裂,在主峰左侧分裂出杂质峰.2种情况下均表现为杂质峰的波长随温度升高逐渐增加,而主峰的波长随温度升高逐渐减小.随着温度升高到135K,杂质峰消失并逐渐并入到主峰中,而且它们的主峰波长在275K时都与本征硅片的特征峰波长趋于一致. 相似文献
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以量子力学为基础对耦合场调控Λ型和V型联合原子系统中的吸收特性进行理论研究.针对弱探测场情况,采用微扰法求解系统密度矩阵运动方程,通过数值模拟得到系统的探测吸收谱.以耦合场2作为联结场,将耦合场1和耦合场2组成的V型系统以及耦合场2和探测场构成的Λ型系统联系在一起,通过调谐耦合场1的拉比强度控制EIT线宽和多窗口的变化,调谐耦合场2的频率失谐量控制EIT的非线性特性. 相似文献
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