首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 546 毫秒
1.
用复合镀法制得Ni-W-WC-WO3复合电极,在0.5mol/LH2SO4中的氢超电势比软钢降低280mV,i0提高三个数量级,电极表面粗糙度为Ni电极的三倍。在300mA/cm^2的大电流密度下,进行的长期恒电流电解试验表明电极性能稳定。XPS分析证明电极表面主要成分为Ni,W,WC,WO3等。  相似文献   

2.
本文考察了Cu-Ce/SiO2催化剂对CO和CH4的氧化反应活性,助剂CeO2对催化剂CuO/SiO2的CO氧化有明显的促进作用,而对CH4氧化作用不明显,适量的CeO2还能提高催化剂的热稳定性,并初步探讨了CeO2的助催化作用。  相似文献   

3.
用CS2脉冲中毒法测定Ni/SiO2催化剂表面上苯加氢反应的动力学性质。结合用H2吸附法测定的镍表面积数据,求出了苯加氢反应要求催化剂中Ni分散度随Ni含量减少而增加,分散度与Ni含量关系接近4次方。  相似文献   

4.
在密闭循环反应器中,于290℃下研究了CO存在下催化剂MTPP-CeOx-SiO2(M=Co^2+,Ni^2+,Cu^2+)催化还原NO或N2O的反应。催化NO还原的活性顺序是NiTPP>CoTTP>CuTPP,而N2O还原和NO深度还原为N2的顺序是NiTPP>CuTPP>CoTPP.NOx还原的催化特性和MTPP的电化学氧化机理有关(取决于中心金属或卟啉环被氧化的次序)。CO不仅还原NOx而且  相似文献   

5.
本文考察了活性组分含量分别为5%,10%,15%和20%的Ni/Bi2O3和Co/Bi2O3催化剂在微波场中的升温行为。结果表明,四种Ni含量的Ni/Bi2O3在微波场中均能够升温,且随着镍含量的增加,催化剂的温升速率和最高温度逐渐降低,四种Co含量的Co/Bi2O3催化剂在微波场中也都能够升温,但以15%的Co/Bi2O3所能达到的温度最高。催化剂中存在的缺陷结构导致介质吸收微波,使其温度升高的  相似文献   

6.
考察了常压和270℃时甲醇催化脱氢制取甲酸甲酯反应中Cu-ZrO2/Si4和Cu-ZrO/SiO4催化剂的活性和选择性,并对催化剂进行了表征.结果表明,Cu-ZrO/SiO4催化剂的反应性能优于Cu-ZrO/SiO2催化剂.X射线衍射分析表明,零价铜是催化活性中心.差热分析表明,ZrO2的加入缓和了Cu(NO3)2的热分解过程.程序升温还原实验表明,加入ZrO2后,降低了CuO的还原温度.根据上述实验结果,解释了ZrO2的助催化作用.  相似文献   

7.
采用反应法,将NiCl2与TiCl4负载于复合载体MgCl2-SiO2上,制得新型双过渡金属催化体系TiCl4-NiCl2/MgCl2-SiO2/Al(i-Bu)3。该催化剂用于乙烯气相聚合,当x(Ni)为12.5%时,催化剂效率最高,聚合动力学属衰减型。催化剂因含有镍化合物具有齐聚及原位共聚性能,得到的聚乙烯具有支化度为3.6-7.2支化数/1000C的中密度聚乙烯,且产物相对分子质量增大。  相似文献   

8.
用差热分析(TG/DTA)技术研究了CuO/SiO2和CuO-ZnO/SiO2催化剂于H2气下的还原行为和在O2气下的氧化行为及对其催化性能的影响。结果表明,ZnO的加入有利于催化剂的热稳定性,并对CuO的还原有促进作用;在有氧化气氛存在时,ZnO的加入不利于保持Cu^0的还原态。  相似文献   

9.
本文采用XRD,TPR,TPD-MS,TPSR-MS和IR技术,研究了负载于SiO_2担体上的Ni,Cu间的相互作用以及所引起的CO加氢反应性能的变化。实验结果表明,双金属Ni和Cu之间可以很好地形成合金,Cu的4s电子迁入Ni的3d轨道的电子效应,使双金属催化剂对H_2和CO的吸附能力有别于单金属Ni,Cu催化剂;CO加氢在Ni中心上按“表面碳”机理生成烃类,在Cu中心上通过HCO_(a)活性中间物生成醇类,Ni和Cu的合金化则有利于C_2以上的物质生成。  相似文献   

10.
甲醇脱氢制备甲酸甲酯的催化性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
将浸渍法制备的Cu/SiO2、Cu-ZnO/SiO2、Cu-ZnO-ZrO2/SiO2,以及Cu/γ-Al2O3、Cu-ZnO/γ-Al2O3、Cu-ZnO-ZrO2/γ-A六种催化剂应用于甲醇脱氢制甲酸甲酯反应。实验结果表明,以Al2O3为载体的催化选择性较差且易积炭失活;加有ZnO助催化剂的Cu-ZnO/SiO2性能优于末加助催化剂的Cu/SiO2;加有权助催化剂的Cu-Zn-ZrO2/Si  相似文献   

11.
在密闭循环反应器中,于290℃下研究了CO存在下催化剂MTPP-CeO_x-SiO_2(M=Co ̄(2+)、Ni ̄(2+)、Cu ̄(2+))催化还原NO或N_2O的反应。催化NO还原的活性顺序是NiTPP>CoTPP>CuTPP,而N_2O还原和NO深度还原为N_2的顺序是NiTPP>CuTPP>CoTPP。NO_x还原的催化特性和MTPP的电化学氧化机理有关(取决于中心金属或卟啉环被氧化的次序)。CO不仅还原NO_x而且还促进载体Ce_2O_3物种的形成。探讨了NO催化还原的机理。  相似文献   

12.
用X射线原位应力测定了高温氧化膜Cr2O3和NiO中的应力.结果表明,Cr2O3/Cr和NiO/Ni体系氧化膜的生长应力分别为-1.949GPa和652MPa.在冷却过程中,Cr2O3/Cr体系发生很大的应力松弛过程,其主要表现形式为氧化膜翘曲和开裂;而在NiO/Ni体系中,由于NiO薄膜具有双层结构承受不同应力状态而获得松弛.  相似文献   

13.
采用浸渍法制备了Ni/Sepioite及Ni-Sm/Sepiolie催化剂,并测定了催化剂的CO和CO2甲烷化活性。用TPR,H2-TPD,CO化学吸附和XPS等手段研究了催化剂的表面性质。结果表明,Sm2O3和加入提高了Ni/Sepiolie催化剂的CO和CO2甲烷化活性,增加了催化剂中Ni的分散度,活性表面积,降低了电子结合能。  相似文献   

14.
该文主要以色谱技术研究了负载型Ni(Ac)_2的热分解性能。结果表明,Ni(Ac)_2的分解过程取决于载体的性质。强酸性载体HZSM-5分子筛起催化分解作用,导致Ni(Ac)_2分解时在低温区出现CH_4和CO_2峰;MgO与Ni(Ac)_2的配位作用致使Ni(Ac)_2有两个最佳分解温度,CO_2,CO和H_2相应地都出现两个峰;与MgO和HZSM-5相比,SiO_2和γ-A1_2O_3对Ni(AC)_2热分解的影响不很明显。但SO_2,γ-A1_2O_3和HZSM-5有较强的甲烷化效应。  相似文献   

15.
采用反应法,将NiCl_2与TiCl_4负载于复合载体MgCl_2-SOf_2上,制得新型双过渡金属催化体系TiCl_4-NiCl_2/MgCl_2-SiO_2/Al(i-Bu)_3.该催化剂用于乙烯气相聚合,当x(Ni)为12.5%时,催化剂效率最高,聚合动力学属衰减型.催化剂因含有镍化合物具有齐聚及原位共聚性能,得到的聚乙烯具有支化度为3.6~7.2支化数/1000C的中密度聚乙烯,且产物相对分子质量增大。  相似文献   

16.
用CVD法在(111)和(100)单晶硅衬底上沉积SnO2或SnO队:Pd薄膜.在不同温度下,测量SnO2/Si表面吸附H2或CO等还原性气体后光电压的变化.结果表明:SnO2:Pd/Si的光电压变化,可以灵敏检测H2、CO等气体,讨论了SnO2:Pd/Si的气敏机理.  相似文献   

17.
用电沉积法制备Mo-W-Ni-Pb-Ca多元活性阴极,研究了在0.5mol/L H2SO4中的析氢反应,结果表明,多元阴极具有较高的电催化活性,其析氢过电位比软钢阴极降低305mV,i0提高三个数量级,且有较好的稳定性,并用光电子能谱研究了表面组成和结构。证实表面有:Ni,NiO,MoO2,MoO^2-4,WO3,PbO2,PbO,Ca^++等物质。  相似文献   

18.
研究了LCASSiCwZrO2 复合材料的力学性能及其微观结构.力学性能分析表明:SiCw 增韧和ZrO2 相变增韧的加和性不是简单地叠加,SiCw 增韧提高了ZrO2 相变增韧效果.体积分数分别为55 % ,30% ,15% 的LCAS,SiCw ,ZrO2 复合材料的断裂韧性K1C和抗弯强度σb 达到6-4 MPa·m1/2 和331-7 MPa.透射电镜(TEM) 图象表明:复合材料中ZrO2 起了应力诱导相变增韧作用;LCAS/SiCw 界面较清晰,其宽度约15 nm ;搭在LCAS/SiCw 界面两侧的杆状TiC 颗粒增加了界面结合强度  相似文献   

19.
研究了二氧化锡/多孔硅/硅(SnO_2/PS/Si)的光伏谱和吸附性质,由分析光伏谱得出在SnO_2/PS/Si之间存在着二个异质结:一个是SnO_2/PS异质结;另一个是PS/Si异质结,当样品吸附CO气体后,光电压明显减少,实验结果表明,利用光电压的变化可以检测CO等有害气体.本文对新气体敏感材料SnO_2/PS/Si的有关气体吸附机制进行了讨论.  相似文献   

20.
基于CeO2/Si异质结在氧气氛下高温退火界面存在扩散反应过程,建立了扩散-反应方程。对有关的实测数据进行了计算机拟合,其结果与实验能很好吻合。不同温度下的拟合结果还表明,异质结界面处O.Ce,Si扩散系数及Si的氧化反应系数的随温度指数上升,并计算出扩散反应激活能。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号