受光区具有薄n层结构的光控晶闸管的研究

本文研讨了具有薄n层结构的受光区,对提高光控晶闸管的光触发灵敏度的作用及触发灵敏度与dV/dt耐量间的协调关系,结果表明,这种结构可使其具有较高的触发灵敏度,可较好的协调灵敏度与dV/dt耐量间的关系。并利用这一结构,研制出了高灵敏度的500A,2000V直接光触发晶闸管。     

阶跃光激励下半导体的温度变化

建立了阶跃光激励下半导体材料温度变化的一维理论模型.采用本征函数法得到了阶跃光激励下半导体中光生载流子和温度随时间的变化关系,并研究了少数载流子寿命对这种变化的影响.同时,利用阶跃光激励的光热光偏转实验研究了少数载流子寿命不同的半导体样品的光热光偏转信号.实验结果与理论结果符合较好,表明阶跃光激励的光热技术可用于对半导体材料参数进行表征.     

钛蓝宝石激光器泵浦光与振荡光模式匹配的研究

运用谐振腔ｑ参数的传输和变换规律,研究了钛蓝宝石激光器的泵浦光与振荡光的模式匹配的,结果表明在实用器件中采用单一透镜不可能实现模式匹配,进而研究了一种新的模式匹配法,并给出了实用参数设计方法。     

新型光学双稳器件及基本光学逻辑门

本文研究了一种用雪崩异质结光晶体管和半导体激光器组成的新型光学双稳器件，讨论了在稳态工作时该双稳器件的四种工作模式。当其工作在光学双稳态模式时，最小临界触发光功率小于 １０ｕＷ，高态输出光功率大于 １ｍＷ，高、低态输出光功率之比大于４ｄＢ。用该双稳器件实现了与、或、非、与非、或非五种基本光学逻辑功能。     

Ce:KNSBN光折变晶体两波耦合特性研究

采用Ar+ 514.5nm的o光和e光测量了Ce:KNSBN晶体两波耦合增益系数随写入光夹角的变化关系曲线 ,得到了Ce:KNSBN晶体的有效电荷密度、有效电光系数和电子 -空穴对抗率等参数.依据光折变理论对增益系数随写入光夹角变化关系实验数据进行了拟合 ,拟合曲线与实验结果符合较好     

高压光触发晶闸管的研制

本文分析了影响高压光触发晶闸管(LTT)灵敏度和dV/dt容量的因素。文中采用数值迭代法和建立等效电流模型,对P_B层结构参数和门极-阴极几何图形尺寸进行了合理设计。为提高灵敏度,考虑了槽状的光入射区,阐述了槽深的选取原则。在此基础上研制出的高压光触发晶阐管管芯,其光触发功率和dV/dt容量的测量结果与计算值是吻合的.     

实数编码自适应遗传算法及其在光瞳滤波器参数控制中的应用

提出一种基于实数编码自适应遗传算法的光瞳滤波器光瞳函数参数优化设计的新方法.通过计算机模拟,结合实际使用场合对光能效率、旁瓣影响因子和超分辨能力的要求,选择合适参数实现最佳轴向超分辨成像效果.利用遗传算法设计的光瞳滤波器设计简单,有较好的综合效果,不仅具有较小的u0和M值,而且有较大的S值.理论和实践均表明该方法是高效和可靠的.     

光触发晶闸管光开启特性的研究

本文对大功率直接光触发晶闸管的开通特性进行了测试分析。实验表明,随着光脉冲宽度的增加,临界光脉冲幅值有所降低;在脉宽不变时,延迟时间t_d随光脉冲幅值的增加近似成双曲函数下降,在光脉冲宽度和幅值都不变时,上升时间t_r随阳极电流I_A增加而增加,t_d基本不变。t_r和t_d都随阳极电压V_A的增加而减小。     

光纤Bragg光栅的慢光特性

运用数值计算的方法研究了光栅长度和调制深度对光纤Bragg光栅慢光的影响,并重点分析了优化后的慢光特性。结果表明：随着光栅长度和调制深度的增大,光纤Bragg光栅的慢光群时延量不断增大,增长的幅度也在逐渐增大;且一定带宽的谐振峰两边的旁瓣加强;同时谱底趋向平坦。调制深度的增大使其慢光峰值波长产生红移,短波长处的慢光群时延量往相反方向增大,且慢光谱的谱宽也增大。优化参数后得到了群速度为c/98的慢光,且慢光谱中心频率的右侧边带产生了很大的振动。这些规律可为设计新型的慢光延迟器件提供理论参考。     

RANSAC算法在线结构光视觉测量系统中的应用研究

针对线结构光视觉测量系统中参数标定易受噪声和亮度突变等因素的影响,而传统算法难以拟合包含异常值点云的问题,在现有标定方法的基础上,提出了一种基于随机抽样一致性(RANSAC)的改进算法拟合光平面参数。随机选取三个点云数据拟合光平面,选择阈值并统计在此平面上的内点数量,多次重复求得包含最多内点的平面,并以这些内点以特征值法进行平面拟合得到所求平面方程。实验结果表明,与最小二乘法相比,该方法可以很好地适应标定过程中出现的误差和异常值的情况,稳健地估计平面参数值,从而进一步提高线结构光参数标定精度。     

交流高压电器触指发热功率计算及影响因素分析

交流高压电器中,一般采用多根触指并联的方式提高设备的通流能力。采用有限元法建立了交流高压电器触指处的三维电磁场模型;并通过该模型计算出每根触指的发热功率。根据计算结果发现触指处的电流密度在交变电磁场情况下有着自身的规律。应用此计算模型,研究了触指数目、触指间距、触指位置三种因素对触指发热功率大小的影响,所得结论对交流高压电器触指设计具有较好的指导意义。     

穿通增强型硅光电晶体管的结构及参数优化

为克服各种常用光电探测器件的缺点, 对穿通增强型硅光电晶体管进行了结构优化和参数优化。将窄基区穿通晶体管仅在一侧与宽基区光电晶体管复合的传统结构, 改进为窄基区穿通晶体管在中间, 两侧各复合一个长度减半的宽基区光电晶体管。同时, 对不同窄基区宽度下的暗电流、 光生电流及光电响应率等随偏压变化的电学性能和光电转换特性进行仿真, 得到窄基区宽度最优参数。然后对优化后的器件在不同光强下的光生电流和光电响应率随偏压的变化进行了仿真, 分析了器件在不同光强下的响应特性。结果表明, 当窄基区宽度为0.6 μm时, 器件性能折中达到最优, 在0.5 V偏压下, 器件暗电流仅为1 μA;入射光功率密度为10^-7 W/cm²时, 器件响应率高达4×10⁶ A/W。     

基于交流电机负载双向晶闸管关断电压暂态研究及缓冲电路参数优化

研究了以三相交流电动机为负载的双向晶闸管关断电压的暂态过程.采用综合矢量法建立关断过程的非对称系统暂态数学模型,求解结果揭示了双向晶闸管关断电压峰值及其dU/dt随RC缓冲电路元件参数的变化规律.该规律表明:缓冲电阻R存在最佳取值,它使dU/dt达到极小值,从而为合理设计缓冲电路提供了理论依据.     

复相系非平衡定态的稳定性

利用李雅普诺夫稳定性理论第二方法对复相系非平衡定态的稳定性进行了分析,结果表明:对线性区非平衡定态而言,取总熵产为V函数,则恒有dV/dt<0,因此,系统是绝对稳定的;对非线性区非平衡定态而言,取熵产的二阶变分为V函数,可根据dV/dt的符号判断系统的稳定性.     

SSAD器件的数值分析和特性研究

本文采用数值分析模拟方法对新型类晶闸管结构的半导体涌吸收器件的关键特性进行了理论分析,根据实际工艺条件决定了边界条件和分割点方案并编写了计算程序。计算分析结果表明：在满足正向转折电压要求情况下,尽量减少有效基区宽度是降低通态压降,提高器件过浪涌能力,提高维持电流的关键措施。实验制作两批样品,测试结果证明了这一结论。     

复合型压电俘能器的力电特性研究

研究了由金属及压电陶瓷构成的复合型压电俘能器的动力学及力电转换特性。基于薄板小挠度理论,对复合型压电俘能器进行振动分析,确定了在周期性均布载荷作用下该结构所产生电压、功率与其几何参数之间的关系。同时结合实验,研究了不同负载电阻情况下压电俘能器的输出功率并讨论了能量转换效率问题,并分析了压电俘能器的几何参数、不同金属材料对力电转换特性的影响。     

场控晶闸管及其设计

本文描述了新型晶闸管FCT的结构和工作原理。介绍了四种不同场控晶闸管的设计考虑。指出,为了获得性能优良的FCT,必须采用隐埋栅与平面栅相结合的方法。文中还将场控晶闸管与普通晶闸管相比较,表明场控晶闸管具有电压高、电流大、速度快、高di/dt、高dv/dt和压降低等优点,因此必将在电力系统中得到广泛应用。     

75伏功率Trench MOSFET设计

简单介绍了Trench MOSFET的基本结构和工作原理.以漏源耐压75伏器件为例,详细的讨论该类器件的设计方法.依据一定的器件电参数指标,给出了相应的一套完整的结构设计数据.从外延片的选择到各类纵向和横向结构参数的确定都给出了具体的计算方法和最终结果.     

E 类放大器的符号分析

根据等效小参量法原理提出了Ｅ类放大器的一种符号分析方法，可得到包含高次谐波的输出电流（或电压）的符号表达式。容易分析Ｅ类放大器的参数灵敏度、谐波畸变及其它性能如集电极峰值电流、集射极峰值电压、输出功率能力等。这一表达式适用于任意电路参数及工作周期Ｄ，且考虑了开关导通电阻。实际验算表明，此方法解析性强，精度较高，对放大器的设计具有重要的指导性意义。