利用电子顺磁共振对振Mn刚玉晶体中子辐照变价的研究

测量并对比了掺Ｍｎ刚玉晶体在中子辐照及退火处理前后的电子顺磁共振（ＥＰＲ）谱。结合紫外－可见光吸收谱的结果，发现Ｍｎ＾２＋，和Ｍｎ＾４＋的浓度降低，而Ｍｎ＾３＋浓度增加，虽然Ｍｎ离子的掺杂浓度并无改变，但其价态由于中子辐照而引起了改变，实验结果还表明，中子辐照可晶体内形成Ｍｎ＾２＋与Ｆ＾－心的复合体，但退火后则有一部分转化为Ｍｎ＾２＋与Ｆ心的复合体。     

用光谱和电子顺磁共振测量值来确定顺磁离子在晶体中的局部结构(英文)

推导了３ｄ５离子在Ｏｈ对称强场图象下包括Ｔｒｅｅｓ和Ｒａｃａｈ修正的全晶体场和自旋－轨道作用矩阵，并将该矩阵应用于ＫＭｇＦ３：Ｍｎ２＋和ＫＺｎＦ３：Ｍｎ２＋．计算结果支持用吸收光谱和电子顺磁共振测量数据确定局部结构，也支持一个近似等价的ＳＣＦ－ＭＯ模型计算．另外，作为一种予测，由ＣｓＣａＦ３：Ｍｎ２＋的光谱算得电子顺磁共振参量为ａ＝４．４７×１０４ｃｍ－１．     

硅二极菅脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＋ｎｎ＋高压整流二极营进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０１３ｎ／ｃｍ２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ３缺陷，氧空位和双空位缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ十Ｖ２）或（Ｏ十Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还表明，该类器件具有良好的耐辐照特性。文中还对退火特性进行了讨论。退火使氧空位和双空位Ｅ２增加，这可能是Ｖ２Ｏ、Ｖ３Ｏ分解所致。     

CaO和YAG中掺杂Fe^3＋,Mn^2＋离子的零场分裂

本文采用Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的ＳＣＦ－ｄ轨道理论，通过分析杂质离子引起晶体中局域结构的变化，研究了晶体ＣａＯ和ＹＡＧ中掺杂Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的零场分鲜明立方分量α和三角分量，合理地解决了在同一种晶体中掺杂Ｆｅ＾３＋离子的零场分裂比Ｍｎ＾２＋离子的大，有时甚至大１个数量级的疑惑。     

Mn^2＋离子在LiNbO3晶体中的占位研究

本文采用晶场叠加模型和应用高阶微扰公式计算了＾６Ｓ态离子在三角晶场中的零场分裂参量Ｄ、ａ－Ｆ。研究表明，ＬｉＮｂＯ３：Ｍｎ＾２＋晶体中Ｍｎ＾２＋离子占Ｌｉ＾＋位，并且在Ｃｏｎｇｒｕｅｎｔ ＬｉＮｂＯ３晶体中Ｍｎ＾２＋沿Ｃ３轴向八面体中心移动约０．１Ａ。本文结论与ＥＮＤＯＲ研究一致。     

硅二极管脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＾＋ｎｎ＾＋高压整流二极管进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ２缺陷，氧空位和双空位Ｅ２（Ｖ＾＝２）缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ＋Ｖ２）或（Ｏ＋Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还     

MgTiO3晶体中3d^5离子的占位研究

用叠加模型分析晶场参量，用微扰法计算ＭｇＴｉＯ３晶体中Ｍｎ２＋和Ｆｅ３＋离子的零场分裂（ＺＦＳ）参量ｂ０２，ｂ０４和ｂ３４．将计算值与实验值比较，确定了３ｄ５离子的占位和移动．对于ＭｇＴｉＯ３：Ｍｎ２＋，Ｍｎ２＋可能替代Ｍｇ２＋离子，且不发生移动；对于ＭｇＴｉＯ３：Ｆｅ３＋，Ｆｅ３＋同时替代Ｍｇ２＋和Ｔｉ４＋离子，且分别向八面体中心移动０．００８９ｎｍ和０．０１６ｎｍ．     

钠锰辉石自旋禁戒谱的理论研究

建立了ｄ５（Ｃ２）完全强场能量矩阵，使其对角化，解释了Ｇｈｏｓｅ等观察到的销锰辉石自旋禁戒谱的跃过机制。理论结果表明，这些谱带是由于处在Ｃ２对称晶位的Ｆｅ３＋和Ｍｎ２＋离子发出的。这与Ｇｈｏｓｅ等的估计是一致的。但是，Ｇｈｏｓｅ等在２５０００ｃｍ－１附近观察的谱带与我们的结果不同，该谱带可能是除Ｆｅ３＋和Ｍｎ２＋离子外的其它离子发出的。     

关于Moore的一个猜想

就整数ａ、ｂ的一般取值全面讨论了Ｆｉｂｏｎａｃｃｉ多项式序列Ｆ０（ｘ）＝ａ，Ｆ１（ｘ）＝ｘ＋ｂ，Ｆｎ（ｘ）＝ｘＦｎ－１（ｘ）＋Ｆｎ－２（ｘ）（ｎ≥２）的最大实根的渐近性质，否定了Ｇ．Ａ．Ｍｏｏｒｅ关于一般Ｆｉｂｏｎａｃｃｉ多项式序列的最大实根的渐近性质仅依赖于迭代关系Ｆｎ（ｘ）＝ｘＦｎ－１（ｘ）＋Ｆｎ－２（ｘ）而与初始条件Ｆ０（ｘ）、Ｆ１（ｘ）无关的猜想．     

红绿柱石的吸收光谱

应用电子顺磁共振谱和偏振吸收光谱对产于美国犹他州的红绿柱石的颜色成因进行了研究,结果表明,绿柱石的深红色与Ｍｎ３＋,Ｆｅ３＋有关．顺磁共振谱中只出现３根Ｆｅ３＋线,没有Ｍｎ２＋的超精细结构线,表明Ｍｎ不是以Ｍｎ２＋的形式存在．偏振吸收谱图中出现４９０,５３０ｎｍ（垂直Ｃ轴）和５６０ｎｍ（平行Ｃ轴）宽吸收带,前两者归因于Ｍｎ３＋的自旋允许跃迁,后者与交换耦合离子对Ｍｎ３＋→Ｆｅ３＋相互作用有关．Ｍｎ３＋,Ｆｅ３＋等高价态离子的存在反映了红绿柱石形成于氧化环境     

电子辐照BaF2晶体的正电子寿命谱研究

用不同能量和注量的电子辐照BaF2∶Sr晶体,分别测量了辐照前后的正电子寿命谱和吸收谱。为了与正电子寿命谱结果对比,也测量了相应的荧光谱。结果表明,在能量为1.5MeV和1.8MeV,注量为1.25×1015到2.57×1016e-cm-2mai的电子辐照情况下,在BaF2∶Sr晶体中主要产生F-H对,F色心和其它一些由杂质引起的色心;辐照温度对这些色心的形成和演化过程有较大的影响。     

辐照金刚石的电子顺磁共振

对不同类型的金刚石辐照前后的电子顺磁共振波谱进行了研究．结果表明,人工辐照能使不同类型的金刚石产生类似的具顺磁性的中心（电子－空穴心）,但在相同辐照条件下辐照金刚石时,其顺磁中心浓度并不一致,该浓度与金刚石中杂质氮类型和含量以及金刚石的质量有关．该研究为金刚石辐照改色条件的控制指明了方向．     

不同退火温度镍注入二氧化钛的结构与磁性

为了证实铁磁性的来源,选用注入剂量相同、退火温度不同的镍注入二氧化钛的4种样品,用同步辐射X线衍射、卢瑟福背散射/沟道实验和超导量子干涉仪,对样品分别进行了θ-2θ扫描、随机谱和沟道谱以及磁性的测试.结果表明:镍注入二氧化钛在高温退火后的结构发生了变化,形成了镍-纳米粒子,其嵌入二氧化钛中的镍-纳米粒子的结构和样品的磁性可以通过退火来调节.随着退火温度的增加,镍-纳米粒子的尺度增加,并且退火温度稳定在1 073 K以上;镍注入二氧化钛中能够测量到铁磁性,其主要原因是金属镍-纳米粒子的形成;另外,其他因素对二氧化钛铁磁性也有贡献,像辐照产生的缺陷、镍原子替位等.     

Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性

采用溶胶-凝胶法制备了Mg和Mn共同掺杂的ZnO纳米薄膜,并对其结构、光学和磁学性质进行了表征.结果表明:样品具有六角纤锌矿结构,退火过程中出现了尖晶石结构的Mn3O4和MgMn2O4.随退火温度的升高,样品的光学质量有所提高;样品的磁性可能来源于MgMnZnO.     

掺Eu、Mn的CaSO4磷光体的热释光特性

研制了掺Eu、Mn的CaSO4磷光体 ,测量了它的热释光的二维和三维发光谱 ,发现不同的热处理温度 ,可以改变样品中Eu2 + 与Eu3+ 的浓度比 ,提高热处理温度可以增强Eu3+ 的热释光高温峰 ,降低Eu3+ 的低温峰。Mn的掺入大大提高了Eu2 + 发光峰强度 ,表明Mn离子与Eu2 + 之间有能量转移。     

3C—SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光

采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4＋SiH4＋H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C－SiC晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光（PL）分析。结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域展宽光谱线,主峰位置在520nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给3C－SiC晶体薄膜造成应力损伤。     

退火处理对镨离子掺杂钨酸铅晶体的光谱影响

研究退火处理对镨离子掺杂钨酸铅晶体光谱性质的影响.在常温条件下测量镨离子掺杂钨酸铅晶体退火前和退火后的偏振吸收谱、偏振荧光谱和主要荧光发射上能级的衰减曲线.研究表明退火处理可以减少大部分与氧缺乏有关的缺陷中心和与热应力有关的晶体缺陷中心;探讨了减少其它晶体缺陷中心的方法.结果表明,晶体的退火处理是一种提高镨离子掺杂钨酸铅晶体发光性能的有效方法.     

有序介孔SBA-15紫外光致发光机理研究

用水热法制备出了有序介孔二氧化硅SBA-15,分别在室温下进行了光致发光(PL)和电子顺磁共振(EPR)分析.室温PL谱分析发现了位于3.8 eV的紫外光致发光峰,进一步研究发现,样品在空气中静置十天后,3.8 eV的发光峰强度会增强.通过样品在不同温度下的退火试验分析并结合EPR谱,对这一发光的机理给予了解析,认为可能是介孔二氧化硅SBA-15中的ODC(Ⅱ)(≡Si…Si≡)缺陷与介孔中吸附的水分子反应形成的硅醇基(≡Si—OH)产生的发光.     

合成气制备乙醇Rh-Mn/SiO2催化剂中活性金属表面结构的表征研究

采用原位EPR,TPSR和NMR等表征手段研究了乙醇合成催化剂Rh-Mn/SiO₂的性质,结果表明,活性金属铑及锰经浸渍法担载于载体上后即与表面羟基作用使金属固定在氧化硅的表面上,保证了高度分散活性金属的稳定性;高度分散中的铑锰相互结合,构成了乙醇合成中的高活性位;研究发现表面硅羟基在催化剂制备过程中起着重要作用。     

丙烯在镍离子高分散催化剂上反应过程的TPSR EPR XPS UV-DRS研究

用ＴＰＳＲ法对丙烯在硫酸镍高分散型催化剂上反应过程进行考察；用ＮＨ３－ＴＰＤ法对ＮＨ３吸附中心进行跟踪，发现除强弱两类酸中心外，确有第三类活性中心，此第三类活性中心可能就是配位催化活性中心。