答陈忠厚、赵尚勃等读者的意见

以陈、赵为代表的意见早有耳闻,今得见书面全意,乐作如下答复:一、我们所提3d 径向波函数是不是“不定解”?在文中我们已讲了这个问题:作为零级近似的径向波函数,应考虑静电参量A、B、C 和自旋—轨道耦合系数,否则,解是不定的。我们是以B、C、为拟合标准定出零级近似下的R_(3d)(r)的,结果为     

在爱因斯担—邦洛引力—电磁统一场论中的磁单极子解

通常,磁总是南北两极并存的,到底有没有只有南极(或北极)的磁单极子呢?由于近年来已实验表明宇宙射中有磁单极子存在的某种迹象,这个问题重新引起了人们的极大注意。本工作在爱因斯坦——邦洛引力——电磁统一场论中,求得了球对称引力磁单极子解,并且证明了引力磁单极子的运动,在缓慢运动近似下,遵从牛顿——库仑方程。这就证明了Moffat所多次强调的、不存在引力——磁单极子解的结论似乎并不成立。     

钒刚玉光学和磁学性质的理论研究

根据完全对角化方法和一种类晶体场模型 ,统一地解释了α- Al_2 O_3:V~(3 ) 的光谱、电子顺磁共振g因子和零场分裂D值 .理论计算值与实验符合得很好 .此外 ,导出的V~(3 ) 位置的位移量 0 .0 0 86nm与浓缩红宝石中Cr3 位置的位移量 0 .0 0 6nm相接近 .     

掺有Cr~（3＋）的α－LiIO_3晶体的吸收光谱和EPR谱的推导和检验

本文在强场图象下用完全对角化的方法求得了掺有Ｃｒ３＋的α－ＬｉＩＯ３晶体的吸收光谱和ＥＰＲ谱，所得结果与实验值符合得很好     

超声测量数据计算物质冷压线的一种解析方法

提出了一个利用超声测量数据来计算冷压线的一种解析方法．该方法对冷能和冷压的描述先不考虑原子之间的相互作用势的具体形式，而是直接从Murnaghan、Birch—Murnaghall、Vinet等不同解析形式的等温物态方程出发，利用室温较低压力下的超声测量数据计算零压体积模量KT0及其对压力的一阶偏导数K＇T0，将其修正到0K而得到冷压线，并用静高压等温压缩数据检验各种解析物态方程模型的适用性．利用超声测量数据计算了Al、Cu、Ag3种金属的冷压线，并用DAC原位测量的300K等温压缩数据对该计算进行了比较．     

大功率半导体整流元件正向压降和测定大注入少子寿命的新方法

本文用实验上证明了的非平衡载流子浓度的对称边界条件代替原始的霍尔条件,建立了大功率P~+NN~+整流元件的正向特性公式。计算结果与Herle■和Raithel的著名伏安特性试验很好符合。在此基础上提出了一个确定大注入少子寿命的新方法,所得的结果与反向恢复时间法一致。     

大功率可控硅的正向特性理论

考虑到大注入下的电子—空穴等离子体散射效应并应用对称边界条件,本文建立起了一种大功率可控硅的正向特性公式。数字计算表明,所得新公式与Herlet的实验数据和我国华中工学院等的实验和生产数据较好符合。考虑到一机部部颁标准要求测元件的平均通态正向压降而不是瞬态通态正向压降,本文还进一步从瞬态压降公式导出了平均压降的公式,以供设计和产品质量检查时参考。     

ZnS:V3+光学和顺磁性质的理论研究

应用V^3 的Watson自洽场d-轨函计算出了Racah静电参量A0、B0、C0和用完全对角化方法计算了ZnS：V^3 的光谱和基态g因子，并比较了Racah静电参量A0对光谱能级的贡献，计算结果与实验结果符合得较好。此外，还讨论了共价因子对能级的影响。     

硅p-N结击穿电压的理论公式和实验证明

本文给出了半导体硅的离化率公式[α=5. 823×10~(33) E~(6·5) (Volt),并根据雪崩击穿机制,用这个公式推导出了雪崩击穿电压为 V_B=1040ρ_n~(0. 7333) (Volt)·两个公式与实验符合得比较好。