多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法,以较低生长温度,在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比,其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。     

3C—SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光

采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4＋SiH4＋H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C－SiC晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光（PL）分析。结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域展宽光谱线,主峰位置在520nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给3C－SiC晶体薄膜造成应力损伤。     

地下建筑照明控制系统研究

与地面建筑相比,地下建筑最大的特点是没有天然采光,主要依赖人工照明。长期以来,地下建筑的照明设计沿用地面建筑的设计标准,照明效能一直没有得到很好的利用,导致工作效率下降,身体健康受损,影响了地下建筑战略功能和经济效能的发挥。随着电光源的不断发展、新型光源的出现及智能照明控制系统的诞生,为解决以上问题奠定了良好的基础。     

干旱区退化河岸植被恢复研究进展

干旱区河岸植被对保护种质资源、稳定河岸、调节微气候和美化环境、提供人类活动场所均有重要的潜在和现实价值。研究认为河道断流,自然环境的脆弱,人类活动对植被的直接和间接破坏导致干旱区河岸植被退化。进行植被重建、应急输水、自然恢复过程中减少人类干扰是恢复退化植被的主要方法。本文以生态学和水文学为基本理论框架,利用3S技术和评价模型,研究纵向、横向、垂直与时间4维的大尺度河岸植被稳定与河岸生态系统稳定及关系,提出退化植被恢复技术。     

固相烧结多孔碳化硅的光致发光及电阻率

碳化硅粉末经压制成型后，在高温常压下固相烧结制成多孔碳化硅样品。用紫外激光对样品激发，样品的光致发光谱在低温下在2．02eV位置出现一发光主峰，在2．13eV位置出现一微弱肩峰；在室温下发光峰位置有所蓝移。样品的电阻率随着烧结温度的上升而上升，随着成型压力的升高而降低。发光来自缺陷态。     

钻孔灌注桩反循环施工的应用

随着国家基本建设投入的增大以及高层建筑的发展,钻孔灌注桩现在被广泛地应用于高层建筑、公路桥梁等工程的基础工程。但目前钻孔灌注桩仍大量使用较为落后的正循环钻进、正循环清孔成孔工艺,本文的主旨是介绍反循环成孔工艺的运用及反循环对工程质量以及经济效率带来的影响。     

多晶3C-SiC体材料的制备及其结构分析

将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约0.5mm的SiC体材料.用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、Raman散射等手段对样品进行了检测分析.实验结果表明所制备样品为3C-SiC多晶体.