软X射线出现电势谱在电真空工艺应用中的探讨

本文介绍了自制的封闭式软X射线出现电势谱仪,并将该谱仪用于电真空材料与工艺过程的分析。通过对4J-29可伐合金不同工艺处理后所测得的软X射线出现电势谱(SXAPS)进行分析对比,找到了利用软X射线出现电势谱作为监控可伐合金脱碳工艺质量的途径。此外,也运用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子谱(XPS)对可伐合金进行了同样的分析,进一步证实了所得到的结论。     

共振光电子及俄歇电子出电势谱复合分析管的研制和应用

一、引言共振光电子出现电势谱(RPAPS)的主要特点是对杂质元素的分辨率均优于同样条件下的软x射线出现电势谱(SXAPS)并与二次离子谱仪(SIMS)相妣美,因此它是一种对表面杂质分析相当灵敏的有用的出现电势谱。俄歇电子出现电势谱是芯能级谱中灵敏度最离的一种出现电势谱,而三极式结构的俄歇电子出现电势谱又最适于各种场合和各种类型材料的分析,     

俄歇电子出现电势谱仪的研制及其应用

本文简要地介绍了俄歇电子出现电势谱仪的基本结构和它在钡钨阴极激活表面、吸气剂蒸散镜面、不锈钢材料表面以及阴极寿命过程中表面变化等表面分析中的初步应用。实践表明,本实验所采用的俄歇电子出现电势谱(AEAPS)分析管结构能够适应不同材料及不同场合中的各种表面分析,对俄歇电子出现电势谱的进一步推广应用具有实用价值。     

LEED—DAPS装置球面栅的制造

一、引言球面栅作为阻滞型能量分析器,在早期的逆电位型俄歇电子谱仪(AES)中曾起过重要作用。尽管当前的俄歇电子谱仪中都采用了筒镜分析器和半球形能量分析器,但是在Germer型LEED装置和出现电势谱的一个重要分支—消隐电势谱(DAPS)中,球面栅仍然起着分选电子能量的重要作用。因此,球面栅的制造还是一个值得重视的重要工艺。由于球面栅既要求具有良好的电子透过性又要求获得均匀的电场,所以它必须用极细的金属丝密织而成。据目前公布的资料来看,镀金的Mo丝组成100目栅网,其透过率为85％,     

封闭式出现电势谱仪及其应用

一、引言七十年代期间,由于表面科学迅速发展的需要,研究固体表面组分、表面结构或表面原子的电子结构的各种谱仪不断出现.软X射线出现电势谱(SXAPS)就是其中之一.在出现电势谱仪中,用一定能量的电子轰击固体(靶)表面,然后用光电法测定所产生的软X射线强度与轰击电子能量之间的关系.大家知道,在这种软X射线中包含着     

基于有效介电函数的SOI材料的光学表征

通过参考有关文献关于卢瑟福背向散射能谱(rutherford back scattering spectrometry,RBS)、透射电镜(transmission electron microscope,TEM)、俄歇电子能谱(auger electron spectroscopy,AES)、红外反射谱法(infra...     

氧化锌超微粒子薄膜的表面性质研究

用直流气体放电活化反应沉积的方法,制备了氧化锌超微粒子薄膜,并经AES成分分析及XRD物相结构鉴定,随制备条件不同,结构将明显改变。扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,粒子的粒径为88.5nm。用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)对超微柱子膜的表面成分此、表面电子态进行了研究,用Ar~+枪对样品表面进行了剥离,同时用AES作跟踪分析。结果表明,Zn/O比基本保持不变,C稍有减少。这和电子探针持续作用AES跟踪分析结果基本相同。样品表面的电子态是Zn2p_(1/2)、Zn2p_(3/2),Cls、Ols;粒径及基质对表面光电压谱有较大影响。     

测量InGaAsP/InP异质界面的化学斜面法

本文利用AES(俄歇电子能谱)测量了InGaAsP/InP异质界面的组分分布和界面宽度,提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法.同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响.     

Co/GC离子注入修饰电极的制备及表征

用离子注入法在玻碳表面注入钴制备了钴离子注入修饰电极 (Co/GC) ,用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱 (AES)等表面分析手段对Co/GC电极表面的元素组成和元素深度分布进行了表征 .在环丙氟哌酸 (CIF)溶液中 ,用线性扫描伏安法 (LSV)对Co/GC电极的催化活性进行了初步研究 .     

铸铝-碳钢电偶腐蚀及PBTCA的缓蚀研究

铸铝 -碳钢电偶腐蚀是工业水系统常见的腐蚀类型 .通过电偶腐蚀、腐蚀失重、扫描电镜 (SEM)、俄歇电子能谱 (AES)等表面分析技术 ,结合自腐蚀电位和极化曲线测量 ,研究铸铝 -碳钢电偶在水中的腐蚀及有机膦羧酸PBTCA对它们的缓蚀作用 .PBTCA对铸铝是一种阴极型缓蚀剂 ,能有效防止铸铝的点蚀 ,与硼酸盐结合使用能较好地抑制铸铝 -碳钢的电偶腐蚀 .     

C~ 注入Si中形成SiC的初步研究

将C 离子注入硅衬底,衬底温度约为400℃,C 离子引出电压为45keV注入剂量为5×1017cm-2.经高温退火形成碳化硅沉淀,利用X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层作了初步的分析.     

稀土在含C1-介质中对铝合金孔蚀的缓蚀规律及机理研究

采用化学浸泡试验,动电位极化试验及俄歇电子能谱(AES)研究了14种三价稀土金属离子对LY12CZ铝合金在0.1mol.1-NaCI中性介质中孔蚀的缓蚀规律及机理,研究结果表明三价稀土金属离子缓蚀剂属于阴极沉淀型缓蚀剂,其缓蚀规律随原子序数的变化呈镧系‘四分组效应',其中Ce3+缓蚀性能最佳,铝合金表面的铈转化膜为多层结构.     

添加元素在Ag—W材料中的行为

用俄歇电子能谱仪(AES),扫描电镜(SEM)及电子探针(EPAS)研究了Ni,Cu,Ce,S,C,Ca等元素在Ag-W材料中的行为.     

铝(210)表面的LEED,AES研究

采用低能电子绕射(LEED)和俄歇电子能谱(AES)的方法,研究了铝(210)表面的弛豫和表面结构。按多童散射理论,使实验测得的和计算的LEED谱有较好的吻合。结果表明:铅(210)表面的弛豫仲展至表面五个原子层,且垂直于表面的驰豫较平行于表面的弛豫显著得多。最后用静电模型对这些结果进行了讨论。     

Co(0001)表面氧物种及其与CO的作用

通过高分辨电子能量损失谱(HREELS)、俄歇电子能谱(AES)、低能电子衍射(LEED)等表征手段,考察室温条件下Co(0001)表面O_2的吸附、活化及其与CO的相互作用.室温下少量O_2的吸附出现位于69.9meV的能量损失峰,可归属为表面化学吸附氧物种,随着O_2暴露量的增加,出现位于56.6meV的能量损失峰对应于近表面区域氧物种.通过升温闪退及与CO相互作用的考察,表明近表面区域氧物种较不稳定.室温下,表面吸附的CO可以被表面吸附氧氧化,而表面氧物种则需要在较高温度下才能被CO还原除去.     

PECVD SiO_2/InP结构的AES和XPS分析

本文介绍了经不同表面处理制成的PECVD Si为_2/InP 結构的俄歇电子能谱(AES)和X光电子能谱(XPS),分析了SiO_2/InP结构介质层、界面过渡区和体内区的化学组分和组志。并研究了表面处理对SiO_2/InP界面过渡区宽度及其化学物理结构的影响。     

模型催化剂VOx/TiO2（110）的高分辨电子能量损失谱研究

模型催化研究能够更好认识催化过程,指导催化剂的合成.在TiO2(110)单晶上制备了VOx膜,采用俄歇电子能谱(AES)、低能电子衍射(LEED)、高分辨电子能量损失谱(HREELS)考察其结构和物理化学性质,及V-TiO2相互作用和热稳定性.结果表明,真空蒸着法制备的V/TiO2(110)界面发生明显的氧化还原作用,出现了VOx和低价Ti,暴露O2后低价Ti即被氧化回+4价,表面发生重构恢复到(1×1).在O2氛围中制备的VOx/TiO2(110)结构和V的价态会随覆盖度的增加发生变化,利用这种制备方法制备的VOx/TiO2(110)具有较多缺陷位,低温退火(≤600K)可使结构变得更规整.     

稀土在含C1-介质中对铝合金孔蚀的缓蚀规律及机理研究

采用化学浸泡试验 ,动电位极化试验及俄歇电子能谱 (AES)研究了 14种三价稀土金属离子对LY12CZ铝合金在 0 .1mo1.1—NaCI中性介质中孔蚀的缓蚀规律及机理 ,研究结果表明 :三价稀土金属离子缓蚀剂属于阴极沉淀型缓蚀剂 ,其缓蚀规律随原子序数的变化呈镧系‘四分组效应’ ,其中Ce3 缓蚀性能最佳 ,铝合金表面的铈转化膜为多层结构。     

硫磷酸硫化氧钼减摩剂中硫代过氧二磷酸酯的作用

本文在四球机上研究了四异丙基硫代过氧二磷酸酯对二异丙基二硫代磷酸硫化氧钼摩擦磨损性能的影响。发现硫代过氧二磷酸酯(TPDP)对硫磷酸硫化氧钼(MoDDP)的抗磨减摩性能有协同作用。俄歇电子能谱(AES)分析的结果表明,TPDP的存在,能提高表面膜中Mo、S的含量,并给出一种可能的作用途径。     

FGH95和Rene''''95合金粉末表面成分和组织结构的分析

对氩气雾化法生产的FGH95和Rene′95粉末颗粒用光学及电子显微镜、X射线能谱和俄歇谱仪等,观察和分析了合金粉末的形貌、显微组织和表面化学成分。