LaAlO_3/GaAs异质结界面的空穴导电行为分析

采用脉冲激光沉积方法在GaAs(001)单晶基片上生长LaAlO_3薄膜构成LaAlO_3/GaAs异质结,利用原子力显微镜和XRD对LaAlO_3/GaAs异质结进行表征,并通过PPMS对LaAlO_3/GaAs异质结进行面内电阻和霍尔电阻测试,研究其界面电输运性能。结果表明,LaAlO_3在GaAs表面生长均匀,LaAlO_3/GaAs异质结界面处存在空穴型的导电行为,且该空穴来源于界面处的悬空键效应。     

砷化镓结型激光器研制过程中的观察和测量

一、用红外反射光谱测量砷化镓外延层的自由载流子浓度。 高掺杂GaAs单晶的红外反射率R表现出一反常色散,如图1:     

GaSb薄膜结构的X射线衍射谱的精细分析

在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术生长了GaSb薄膜,并用原子力显微镜和XRD技术分析了其结构特征.其结果可为生长优质的大失配太阳能电池材料提供一点参考.     

Ga-In-P三元相图的计算及Ga_xIn_(1-x)P-GaAs液相外延

在生长温度及组分附近对Ga-In-P相图进行了细致的计算。在GaAs(100)衬底上获得了Ga_xIn_(1-x)P单晶层。组分由电子探针确定X～0.45—0.55     

采用热壁外延技术在GaAs衬底上生长CdTe单晶薄膜

我们采用自行设计制造的热壁外延(HWE)装置在GaAs(100)衬底上生长了CdTe晶膜。分析测试表明,该膜为(100)单晶膜。HWE技术生长的CdTe/GaAs结构为外延生长HgCdTe提供了十分合适的衬底。 外延源是用99.999％的cd和Te,在10~(-4)Pa真空,800～1000℃温度下煅烧100h而获得的CdTe多晶。衬底采用(100)GaAs单晶片,解理成6×6 mm~2方块。清洁处理     

溅射GaAs薄膜的光学性质与有效介质近似

用射频溅射法制备了基本符合化学计量比的GaAs 薄膜,研究了薄膜的结构和成份与溅射条件的关系.利用椭圆偏振光谱法测量了薄膜的光学性质.结果表明,在可见光区,薄膜的吸收系数远大于GaAs 单晶的数值,而介电常数及光学能隙则较低.应用有效介质近似理论计算了薄膜中各种结构所占的体积百分数,并对结果进行了讨论.     

富镓稀溶液中片状GaAs单晶的生长过程

本文采用慢冷却方法,对4％GaAs的富Ga稀溶液(结晶温度为785±2℃),进行片状单晶生长的试验并讨论了单晶的生长过程,实验指出,闪锌矿结构类型的GaAs,在自由生长条件下,低指数晶面的线性生长速度为{110}>{100}>{111},其晶片总为{111}面和{100}面所包围。最大晶面为(111)面和(TTT)面,晶片外观只有两种,即生长速度较快时,(111)面呈正六边形,生长速度快时,获得菱形的(111)面。多数晶片位错密度小于10~2/cm~2,片的大小为3×3×0.8mm~3左右。     

降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究

GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。     

无水无氧条件下的单晶制备方法

本文报导了无水无氧条件下的单晶制备方法，主要有液体扩散法、气体扩散法和降温法．实验表明这些方法具有良好的效果，且可使用于对空气不敏感化合物的单晶制备     

砷化镓多晶表面清洗技术的研究

根据实际生产经验,分析了GaAs多晶料表面杂质的类型、产生原因及对后续单晶生长的影响,明确了多晶表面清洗工艺的重要性,介绍了针对不同类型杂质的清洗方法和原理,并在此基础上进行了多晶表面清洗实验,结果表明:无论是酸性清洗液还是碱性清洗液,都能达到去除GaAs多晶表面杂质的目的;Ga和As各自的氧化物在酸、碱溶液中溶解的难易程度决定了利用不同清洗液清洗后,多晶表面的光亮程度;从安全性和环保性角度来看,碱性清洗液是清洗多晶料表面更好的选择。     

提拉法生长大直径白宝石单晶

探讨了电阻炉提拉法生长白宝石单晶过程中，固体和液体中温度梯度与生长速率和晶体应力的关系．对生长系统和工艺作出相应的调整、改进．实验中摸索出了生长Φ＞４０ｍｍ的白宝石单晶的工艺     

基非掺杂与掺Te的GaSb薄膜 的缺陷结构对比分析

在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术,采用相同工艺生长了非掺杂及掺Te的GaSb薄膜．以原子力显微镜、X射线衍射谱和正电子湮没谱技术对比分析了样品的结构及缺陷．研究表明,样品在掺Te后在界面处缺陷减少,外延生长较好．并分析其缺陷的产生机理．     

共焦激光扫描显微系统中暗场成像新途径

本文描述了作者首次依据空间频谱的分布特征,提出了在共焦激光扫描显微系统中实现暗场成像的新途径--离轴成像法。并成功地应用到了单晶砷化镓(GaAs)的红外透射成像上.与传统的明场法相比,取得的图像不仅更具细节,对比度提高,而且还明显地消凃了来自其它截面的伪像。     

单晶铝线材连铸工艺的试验研究

根据单晶连铸技术原理,分析了单晶连铸过程的主要影响因素,并根据流体力学模型以及传热模型计算了液体金属压力和牵引速度。结果表明:根据模型确定的参数是合适的,并在铸型温度为690～780℃、冷却距离为50mm、牵引速度为1.1mm/s、开始时静压头为5～6mm、连铸时动压头为2mm左右的工艺条件下获得了Φ8mm高品质的单晶铝线材。     

直流电弧等离体喷射CVD金刚石生长面的浸润性研究

为了开展CVD金刚石生长面的浸润性研究,采用直流电弧等离体喷射技术,制备了纳米金刚石自支撑膜、微米金刚石自支撑膜以及毫米单晶金刚石.结果发现：对于相同的金刚石生长表面,接触角按甘油、饱和葡萄糖水溶液、饱和NaCl水溶液和蒸馏水的顺序逐渐增大,表明所制备金刚石的表面对各液体的浸润性逐渐变差;而对于同种滴液,接触角在不同的金刚石表面表现出不同的大小,说明不同的CVD金刚石对于同种液体具有不同的浸润性.而表面能的计算结果表明纳米金刚石自支撑膜生长面的表面能最高,其次是微米自支撑金刚石膜,而单晶金刚石的表面能最小.     

C60Br24粉末单晶的制备及X—射线衍射分析

介绍了制备Ｃ６０Ｂｒ２４粉末单晶的新方法．用气相法制备出Ｃ６０单晶颗粒．Ｘ－射线衍射分析表明制得的颗粒是纯Ｃ６０单晶．然后用液体溴浸润Ｃ６０单晶颗粒．７２ｈ后形成Ｃ６０Ｂｒ２４单晶颗粒．样品在６５℃下退火１８ｈ,以除去未反应的溴和使Ｃ６０Ｂｒ２４分子排列规整．退火后样品的Ｘ－射线衍射谱较复杂,因为样品中还有无序的溴分子存在．于是将样品在相同退火温度下再退火３６ｈ．元素分析和红外光谱分析均表明经５４ｈ退火后的样品成分是Ｃ６０Ｂｒ２４,它的Ｘ－射线衍射谱显然要清晰得多．对该衍射谱的最佳拟合得出Ｃ６０Ｂｒ２４单晶为正交面心结构,其晶格常数为ａ＝２．１５６ｎｍ,ｂ＝１．６７５ｎｍ,ｃ＝１．２９４ｎｍ．     

GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺,实验结果表明,p—GaAs甩Au—Cr金、n—GaAs用Ag—Sn合金的欧姆接触工艺,比接触电阻率Rc<10~(-4)(欧姆)(厘米)~3应用于GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器,得到良好的效果。     

离子液体中碘催化2-芳基-1H-苯并咪唑衍生物的合成

碘催化下,以芳醛、邻苯二胺为原料,在离子液体[BMIm]Br中选择性反应得到了一系列2-芳基-1 H-苯并咪唑衍生物.该方法具有中性反应条件、产率较高和环境友好等优点.其中化合物3i的结构通过X单晶衍射分析加以证实.     

金属酞菁配合物在MPc-GaAs半导体电极上的光伏效应

在光电化学电池(PEC)中分别测定了6种典型的金属酞菁配合物(MPc)在GaAs单晶电极上所形成的异质结的光伏效应,并研究了不同介质电对及介质溶液的酸碱性对光伏效应的影响,结果表明:O_2/H_2O(KCl溶液)及l_2/l~-_3是两种较好的电池介质电对;介质溶液酸碱性的改变对金属酞菁配合物的光伏效应有较大的影响;6种金属酞菁配合物中ZnPc、MgPc具有较好的光伏效应。     

GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析

探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义。