Ga-In-P三元相图的计算及Ga_xIn_(1-x)P-GaAs液相外延

在生长温度及组分附近对Ga-In-P相图进行了细致的计算。在GaAs(100)衬底上获得了Ga_xIn_(1-x)P单晶层。组分由电子探针确定X～0.45—0.55     

液相外延调制掺杂GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结特性

用液相外延方法在较低温度(580°—700°)下生长了顺序不同的GaAs-Al_xGa_(1-x)As调制掺杂异质结构。测量了温度低达1.5K和磁场高达7.5T之下的霍尔效应,并测量了俄歇溅射谱及氦离子卢瑟福背散射谱。在舒伯尼柯夫—德—哈斯振荡上观察到了各向异性,说明在异质结界面上存在着二维电子气的输运,它和体载流子的输运相并联。