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相似文献
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1.
电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了Al,B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响。室温电阻率测定表明,加入Al,B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率,随着Al,B和Zr加入量的增加,试样的室温电阻率下降。讨论了Al,B和Zr在碳化硅中的存在形式,并分析了试样的导电机理。  相似文献   

2.
固相烧结多孔碳化硅的光致发光及电阻率   总被引:3,自引:1,他引:3  
碳化硅粉末经压制成型后,在高温常压下固相烧结制成多孔碳化硅样品。用紫外激光对样品激发,样品的光致发光谱在低温下在2.02eV位置出现一发光主峰,在2.13eV位置出现一微弱肩峰;在室温下发光峰位置有所蓝移。样品的电阻率随着烧结温度的上升而上升,随着成型压力的升高而降低。发光来自缺陷态。  相似文献   

3.
工艺参数对反应烧结碳化硅导电性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
对碳化硅颗粒尺寸,工艺参数与反应烧结碳化硅导电性的关系进行了研究,试验结果表明,随着碳化硅颗粒尺寸的减小,生坯成型压力增加,烧结气氛压力增大,碳化硅电阻率也增大,且烧结温度对电阻率的影响不大,同时,对不同烧结工艺下显微结构与电阻率的关系进行了分析讨论。  相似文献   

4.
反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率   总被引:6,自引:0,他引:6  
研究了反应烧结碳化硅及随后经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系。反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低。  相似文献   

5.
本文初步探讨了稀土元素对高镍(Ni20%)奥氏体球墨铸铁石墨球化的影响;研究了Mo、Cr、Al和Ce、Y等元素对室温、高温机械性能及耐热性能(抗氧化、抗生长、抗形变)的影响;分析了第二高温强化相Mo和Cr或Mo,Cr复合碳化物之结构形态和化学组成。  相似文献   

6.
通过放电等离子烧结制备了碳化硅块材,分析了烧结温度、保温时间等对碳化硅块材的密度、物相组成、微观形貌和硬度的影响,并对其高温导热性能进行了测试.结果表明,当烧结温度为1800℃,保温时间为5min时,通过放电等离子烧结能够获得致密度为98%的碳化硅块材.与传统热压烧结相比,放电等离子烧结制备的碳化硅块材的热导率略低,其主要原因是放电等离子烧结的保温时间较短与烧结样品的致密度略低,且晶界结合性较差所导致.  相似文献   

7.
研究了碳化硅陶瓷的粉末注射成形工艺,分析了成形工艺及烧结助剂对其显微组织及力学性能的影响,探索了粉末注射成形碳化硅陶瓷的导电特性。以碳化硅为助剂的固相烧结温度为2100℃,脱脂坯烧结后具有最高的真实密度(3.12g/cm3),相对密度达97.5%,烧结后试样由固相碳化硅组成,XRD及TEM能谱分析表明试样内部无残余氧化硅,制品晶粒平均尺寸小于1μm,室温弯曲强度达345MPa。采用直流电流电压测试方法,测定了粉末注射成形方法制得的SiC陶瓷在室温至800℃范围内的直流电导率。  相似文献   

8.
反应烧结碳化硅的显微组织   总被引:5,自引:0,他引:5  
对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究。结果表明:选用α-SiC+C粉的混合物作为生坯,SiC相的体积分数随生坯中wC的增加而增加,但过大的WC将使硅化后的试样出现残碳;选用碳毡作为毛坯,反应烧结碳化硅的显微组织特点是C/SiC反应生成的碳化硅颗粒均匀细小,并呈线状分布在游离硅中,浸渍过树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粗大呈不均匀分布。X射线衍射结  相似文献   

9.
研究了Zn—V-B玻璃料的添加对(Ba,Sr)TiO3PTC陶瓷微观结构和电性能的影响,并分析了玻璃料增强PTC效应的原因.扫描电镜结果显示,1240℃烧结后玻璃料促进了晶粒长大,但1280℃烧结后对晶粒生长影响不大.玻璃料一方面有助于晶粒长大和室温电阻率的降低;另一方面高阻的玻璃料存在于晶界增大了晶界电阻随玻璃料加入量增加,1240℃烧结后室温电阻率先减小后增大;烧结温度高于1240℃,室温电阻率单调增大.通过分析Mn02和V205在ZnO压敏陶瓷中的变价以及Mn提高BaTiO3陶瓷PTC效应的机理,初步认为V的变价是玻璃料显著改善PTC效应的原因.  相似文献   

10.
自结合碳化硅材料高温氧化行为研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了气孔率为11 .5 % 的自结合碳化硅材料在1 300 ℃空气中的高温氧化行为.研究结果表明:氧化初期形成的非晶态SiO2 对材料中孔隙与裂纹尖端起钝化作用,造成材料室温强度随氧化时间的增加而增加.当氧化22 .5 h 时,材料强度最高,达293 MPa;随着氧化时间的增加,非晶态SiO2 晶化形成方石英,以及冷却过程中引发的表面裂纹,造成材料室温强度的降低.表面裂纹的出现,使得自结合碳化硅的氧化增重动力学曲线符合对数规律  相似文献   

11.
The wetting behavior of copper alloys on SiC substrates was studied by a sessile drop technique. The microstructure of SiCp/Cu composites and the pressureless infiltration mechanism were analyzed. The results indicate that Ti and Cr are effective elements to improve the wettability, while Ni, Fe, and Al have minor influence on the improvement of wettability. Non-wetting to wetting transition occurs at 1210 and 1190℃ for Cu-3Al-3Ni-9Si and Cu-3Si-2Al-1Ti, respectively. All the copper alloys react with SiC at the interface forming a reaction layer except for Cu-3Al-3Ni-9Si. High Si content favors the suppression of interracial reaction. The infiltration mechanism during pressureless infiltration is attributed to the decomposition of SiC. The beneficial effect of Fe, Ni, and Al is to favor the dissolution of SiC. The real active element during pressureless infiltration is Si.  相似文献   

12.
掺杂元素物态对PTC材料性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了Y-Sb,Li-Mn,Si-Al等元素以固相或液相掺杂对正温度系数热敏电阻(PTC)材料性能的影响。实验结果表明,Li-Mn液相掺杂可以提高材料PTC效应及耐压值;Si-Al液相掺杂可降低材料室温电阻率,提高材料耐压值,Y-Sb液相掺杂可以降低材料室温电阻率,但PTC效应有所降低  相似文献   

13.
以稻壳作为硅源和碳源,不同掺量的Al2O3、Nd2O3、CeO2等作为添加剂,用碳热还原法在1 500℃条件下成功合成了SiC。利用XRD分析了试样在烧成过程中的物相变化,用SEM观察了试样的显微结构。结果表明,当无添加剂时,稻壳在1 550℃下仅能形成少量SiC,掺入Al2O3、Nd2O3、CeO2,均能促进SiC的形成。其中,掺3.5%Al2O3于1 500℃下烧成试样的SiC合成率最高,达到89.12%。  相似文献   

14.
Four modified Al diffusion coatings (Al, Cr? Al, Al?Si and Cr? Al ? Si coatings) were prepared on Ni3Al based single crystal superalloy IC20. The oxidation tests were carried out at 1 150 °C for up to 100 h. Cyclic hot corrosion tests were carried out at 950 °C for 50 h. The results indicate that the oxidation and corrosion resistance s of IC20 alloy are improved significantly by the coatings, and both oxidation and hot corrosion resistances of the four coatings are rated in the order (from worst to best) of Cr ? Al, Al, Cr ? Al ? Si, Al? Si coatings. It is found that the degradations of Al and Cr ? Al coatings are very quick due to the serious inter-diffusion between the coatings and substrates. The inter-diffusion between Si-containing coatings and substrates is reduced since Si effe ctively retards the outward diffusion of Mo. The weak effects of Cr and benefit effects of Si to the oxidation and hot corrosion resistance were discussed. The hot corrosion degradation mechanism of superalloy IC20 was analyzed.  相似文献   

15.
采用XRD、SEM分析测试方法研究在600~1200℃和1800℃真空热处理2 h条件下SiC/Mo界面反应层微观结构,并对SiC/Mo界面反应前后Mo金属的力学性能进行比较。研究表明:在800和1000℃热处理后,Mo与SiC分解的C在表面反应生成Mo2C;在1200℃热处理后Mo表面出现了Mo2C和Mo3Si相,以亚微米颗粒状反应层结构存在;当1800℃热处理后出现了Mo5Si3、Mo5Si3C以及扩散未分解的SiC。采用EDS方法在SiC/Mo界面反应层的断口处确定出Si扩散深度大于C。在600~1200℃热处理后,SiC/Mo界面反应对Mo金属的维氏硬度和延伸率均增大,而拉伸强度改变较小。  相似文献   

16.
以电熔镁砂、天然鳞片石墨、煤沥青、Al粉及Si粉为主要原料,以热固性酚醛树脂为结合剂,混匀后压制成MgO-C材料试样。将试样在氮气气氛下分别经1000℃×3h、1200℃×3h、1400℃×3h热处理,研究热处理温度对材料物相组成、显微结构及力学性能的影响。结果表明,1000℃热处理后,试样中Al消失,反应生成了柱状AlN和八面体状MgAl2O4,此温度下Si尚未参与反应;1200℃热处理后,Si开始反应生成六边形板状的SiC,镶嵌在镁砂基体中,提高了试样的高温抗折强度和热震后残余抗折强度;1400℃热处理后,试样中除有柱状AlN和八面体状MgAl2O4生成外,还有较多晶须状SiC和针状β-Si3N4生成,形成了良好的非氧化物结合,使得材料具有优良的高温力学性能和抗热震性能。  相似文献   

17.
以MoO3、Si粉和Al粉为原料,采用机械化学还原法制备了Al2O3-Mo3Si/Mo5Si3纳米复合粉体.利用X射线衍射(XRD)、激光粒度分析仪(LPS)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和差热-热重分析(DTA-TG)等对复合粉体和球磨过程中粉体的固态反应过程进行表征.结果显示,MoO3-Si-Al混合粉体球磨5h后转变为Al2O3-Mo3Si/Mo5Si3复合粉体,反应为机械诱导的自蔓延反应.球磨20h后,Mo3Si、Mo5Si3和Al2O3的晶粒尺寸分别为27.5、23.3和31.8nm,产物具有纳米晶结构,粉体平均粒度为3.988μm,颗粒呈球形,分布均匀.DTA分析表明,复合粉体在机械化学反应过程中首先发生MoO3和Al之间的铝热反应,之后将发生一系列Mo和Si之间的反应,生成Mo5Si3和Mo3Si.  相似文献   

18.
在氩气气氛下,以粉煤灰为原料,石墨为还原剂,研究碳还原粉煤灰制备SiC/Al2 O3系复合材料的反应过程,并探索其制备的工艺条件.利用X射线衍射分析还原产物的物相变化规律,使用扫描电镜和能谱仪观察复合材料的微观结构.结果表明:在1673 K粉煤灰中石英相与碳反应生碳化硅,1773 K莫来石相基本分解完全.随着反应温度的升高,生成碳化硅和氧化铝含量增加,较合适的温度条件为1773~1873 K;保温时间的延长,有利于碳化硅和氧化铝的生成,较好的保温时间为3~4 h;增加配碳量对碳化硅和氧化铝的生成有促进作用,较合适的C/Si摩尔比为4~5.在制备出的SiC/Al2 O3复合材料中碳化硅在产物中分散较为均匀,并且粒度小于20μm.  相似文献   

19.
以12Cr2Mo1R钢所用渣系为研究对象,选择Al作为脱氧剂,建立脱氧热力学模型.在不同的Al添加量条件下对12Cr2Mo1R钢熔渣-金属界面处各物质的平衡质量分数进行计算,分析各物质平衡质量分数随Al添加量的变化规律,为在给定Al添加量条件下进行终点成分预报,以及根据钢种成分要求选择Al添加量范围提供理论依据.结果表明,随Al添加量的增加,Si,Mn,Al,Al2O3的平衡质量分数呈上升趋势;SiO2,MnO,FeO的平衡质量分数呈下降趋势.若仅从Si,Mn,Al成分合格的角度考虑,Al的添加量占吨钢的百分比不能超过02%.  相似文献   

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