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DCA准智能测量电路的设计与改进 总被引:1,自引:1,他引:0
实现了直流的准智能测量.在0~20A测量范围内做到了内阻恒为0.01Ω.改进后的电路在档位自动切换时具有数字显示稳定的特点. 相似文献
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Si3N4陶瓷的凝胶注成型工艺 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了微米级Si3N4粉的凝胶注成型工艺,系统地分析了引了剂、单体及交联剂等对坯体性能的影响。研究结果表明,当引发剂(APS)的质量分数w(APS)达到2%,单体与交联剂质量分数的比值在10%-30%,且溶液中有机单体的质量分数w(T)为20%时,坯体性能最佳,其强度最高可达40MPa。否则,坯体内部的有机网络不均匀,将导致坯体性能的下降。 相似文献
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测定了2种不同显微结构的Si3N4材料的阻力行为,并对裂纹扩展过程中的裂尖尾区闭合应力进行了估算,研究发现:Si3N4陶瓷的显微结构与阻力行为密切相关,长柱状β-Si3N4的R曲线较陡,而β/α双相陶瓷的R曲线较为平缓,同时,显微结构不同,裂纹尖端闭合应力也不同,因而会产生不同的R曲线。 相似文献
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反应烧结碳化硅的显微组织 总被引:5,自引:0,他引:5
对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究。结果表明:选用α-SiC+C粉的混合物作为生坯,SiC相的体积分数随生坯中wC的增加而增加,但过大的WC将使硅化后的试样出现残碳;选用碳毡作为毛坯,反应烧结碳化硅的显微组织特点是C/SiC反应生成的碳化硅颗粒均匀细小,并呈线状分布在游离硅中,浸渍过树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粗大呈不均匀分布。X射线衍射结 相似文献
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氧化物陶瓷与Ag—Cu—Ti钎料的界面反应 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了氧化铝和氧化锆陶瓷真空钎焊时陶瓷与Ag-Cu-Ti钎料合金的界面反应,分析了加热温度(1073-1323K)和保温时间(0-3.6ks)对界面反应的影响规律。扫描电镜和X射线分析结果表明:两种陶瓷均与Ag-Cu-Ti合金发生反应,反应层厚度随着漫画度和时间的增加而增加,对于氧化铝陶瓷,低于1123K时,反应产物为Cu2Ti4O和AlTi;在1173K以上温度时反应产物则为Ti2O,TiO和C 相似文献
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碱土云母可切削玻璃陶瓷的研究 总被引:5,自引:1,他引:5
基于Ba0.5Mg3(Si3AlO10)F2-Mg2Al4Si5O18-Ca3(PO4)2系统,制备出了含Ba碱土云母为主晶相的可切削玻璃陶瓷,弯曲强度σb=229MPa,断裂韧性KIC=2.48MPa.m^1/2,钻孔速度大于7mm/min。优良性能的获得借助于Ba云母玻璃陶瓷可控的微观组织,即相互交错的云母晶体和“卷心菜”的组织特征。 相似文献
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从断裂力学出发,利用阻力曲线(R曲线),建立了恒应力速率条件下陶瓷材料亚临界裂纹扩展模型.利用计算机数值计算,获得材料在动态载荷条件下,裂纹扩展速率V与应力强度因子K的关系(V-K曲线),并分析了动态疲劳现象的本质.此模型的中心思想在于将亚临界裂纹扩展分为相互独立的2个过程,即:裂纹瞬时局域失稳扩展和应力腐蚀.利用此模型,对Si3N4陶瓷的动态疲劳特性作出的理论预测与实验结果趋势一致. 相似文献
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常压烧结Si3N4陶瓷的阻力(R—曲线)特性 总被引:2,自引:2,他引:0
文章利用压痕微裂纹法测试了3种Si3N4基陶瓷的R曲线.结果发现:添加Y2O3和Al2O3的Si3N4材料(1号)具有明显上升的R曲线;添加ZrO2的材料(2号)次之;添加AlN的材料(3号)的R曲线变化幅度最小.并结合断口形貌分析发现,材料的R曲线行为与其微观结构密切相关. 相似文献
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本文通过对12CrMo钢经亚温淬火,200℃回火的试棒,在室温~-196℃范围内进行光滑拉伸、缺口拉伸、冲击性能试验.结果表明:(1)少于30%M的双相组织,当试验温度低于-140℃,σ_(0.2)增加速率大于σ_b,断裂强度S_K和塑性(δ,ψ_K)迅速下降,缺口强度σ_(bN)下降,缺口敏感度(σ_b/σ_(bN))>1,呈脆性解理断裂,断口处位错分布由室温的胞状亚结构转变为均匀分布的位错网络.(2)少于30%M的双相组织的试棒在光滑拉伸、缺口拉伸、冲击载荷下,都存在延性到脆性转变,转变温度分别为Tc_光低于-140℃,Tc 在-60℃附近,Tc_冲在-20℃. 相似文献