300伏全兼容CMOS集成电路器件设计与工艺

本文介绍一种与Ⅳ阱硅栅CMOS集成电路技术完全兼容的高压MOS器件的设计方法和制备工艺。这种高压MOS器件可以和CMOS逻辑电路、模拟电路集成在同一芯片上而不需任何附加工艺步骤。此种器件的闽电压为|1±0.2|V,漏击穿电压大于300V,泄漏电流小于50nA,当宽长此为115,栅偏压V_(GS)=10V时,其饱和电流大于35mA,跨导大于4000μ,而导通电阻小于600Ω。该器件在等离子显示、静电复印、场致发光、高低压开关等方面有广泛的应用。     

CMOS工艺片上传输线研究

对深亚微米硅基CMOS工艺集成电路中常用的微带线和共面波导2种传输线结构进行了研究.从理论上分析了传输线分布参数和损耗,利用0.13μm CMOS工艺制作了特征阻抗分别为50和70Ω的微带线和共面波导元件库,在0.1~30 GHz频率范围内利用网络分析仪和SOLT测试技术进行测试.利用分布参数电路模型和测试得到的S参数提取出了特征阻抗、衰减常数、品质因数等传输线基本参数.研究结果为设计者选择和设计高性能传输线提供出可借鉴的实用性模型.     

实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具

鉴于PC机广泛普及和使用方便,在PC机上建立起实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具。利用已有的工艺模拟软件SUPREM、器件模拟软件MINIMOS及电路模拟软件PSPICE,完成了响应表面拟合、SPICE模型参数提取及数据转换等程序,形成一个可以进行工艺、器件及电路分析和优化设计的TCAD工具,并用于研究实验设计方法在IC优化设计中的应用。     

结合晶体管版图效应分析的模拟集成电路设计

为了实现模拟集成电路版图设计的自动化,提出一种称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管阵列的版图布局方法。90 nm/1. 2 V互补式MOS的测试元件组(TEG)芯片被开发用以实验采样,芯片搭载多种导电沟道分割形式的多指栅晶体管,晶体管在电路的版图设计中以不同的布局形态呈现。这些晶体管的电气参数被测试并抽取,用以分析和评价其直流性能。以二级模拟运算放大器为实验电路,分别采用晶体管阵列和全定制方式进行版图设计,从工艺波动性和版图面积两方面进行对比。成品实测结果表明:以晶体管阵列方式实现共源共栅运放电路时,10枚TEG芯片的平均失调电压为4. 48 m V,对比手工版图的5. 59 m V,抗波动性能约提升了20%,显示了晶体管阵列版图设计方法的有效性。     

0.35 μm CMOS工艺实现的1.9 GHz上变频器

分析了利用深亚微米CMOS工艺进行了射频集成电路设计的方法,在此基础上设计出了采用标准0．35μmCMOS工艺的输出频率在1．9GHz的上变频器,它可以用在WCDMA发射／接收机中,整个设计利用SPICE软件和HP ADS软件进行电路和系统模拟模拟,模拟结果：三阶互调ⅢP为10dBm,转换增益大于10dB,。已经利用Cadence工具进行版图设计和验证,最后通过美国MOSIS工程流片,芯片面积大约为0．6mm^2,目前初步的性能测试已经完成,芯片混频效果良好,在单电源＋3．3V供电情况下,功耗小60mW,进一步的测试将在近期完成。     

新型Si基毫米波VGCPW建模

基于Si基0.18μm标准CMOS工艺研究新型低损耗V型结构接地共面波导（VGCPW）,用HFSS软件建立物理模型,进行三维电磁仿真,研究内部电磁场分布.采用ADS软件的传输线模型卡及其目标优化控件,建立适合于毫米波段CMOS 单片集成电路仿真和设计的新型低损耗VGCPW等效传输线模型.     

基于0.8μm工艺的CMOS光传感器数据融合系统

提出了一种利用0.8μm标准CMOS工艺实现的多传感器数据融合系统.分析了该系统的工作原理,讨论了模拟集成电路子系统的模块设计和组成,论证了系统组成中电路部分的设计细节.通过电路仿真验证了这种数据融合系统的可行性,给出了在0.8μm标准CMOS工艺环境下的系统设计版图,从而可以进行流片操作.     

基于LDMOS电容的振荡器设计

基于0.5μm CMOS工艺,考虑面积、功耗和工作状态中电容容值等因素,采用LDMOS电容来实现高精度频率的振荡器.一般的CMOS电容特性是非单调变化的,而LDMOS电容只工作在积累区和耗尽区,电容特性可近似理想电容.仿真和测试结果表明,在电源电压1.5～5 V大范围变动的情况下,振荡频率稳定性高,达到设计预期效果.在给电容充电用的静态电流只有40 nA的低电流条件下,振荡器模块中电容的版图面积只有65 μm×65 μm,而且LDMOS工艺和CMOS工艺兼容,可以在不增加工艺复杂度的前提下,用较小的版图面积产生高精度时钟信号.     

空间辐射效应防护的标准单元库设计与实现

为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI(Silicon on Insulator)集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计开发了基于33 V 035 μm PD（Partly） SOI CMOS(Complementary Metal-Semiconductor)工艺平台,并面向Synopsys电子设计自动化软件的抗辐射加固标准单元库。标准单元采用H型栅及源漏非对称注入结构,以提高抗辐射性能,最后对该单元库进行了电子设计自动化工具流程验证和测试验证。实验结果表明,检错纠错验证电路功能符合设计要求,抗总剂量水平大于300 krad (Si)。     

隔离可修调低功耗基准电压源

介绍了一种新型的可修调低功耗基准电压源。为适应低功耗集成电路应用,该设计采用共源共栅结构代替传统的放大器结构,使基准电压源的功耗大大降低;为克服由模拟集成电路设计工艺波动而导致的电阻值不精确的问题,该设计引入了电阻修调电路,使该基准电压源在各个工艺角下都能有很好的基准电压输出。同时,隔离式的电阻修调改善了传统的直接熔丝修调带来的噪声影响。在SMIC 0.18μm 3.3V标准CMOS工艺下应用spectre仿真,结果表明,温度变化范围为-40℃~100℃时,温度变化1℃,电压变化量为十万分之一,室温下的参考电压输出为1.22V,3.3V电源电压下的功耗约为3.6μW。该基准电压结构适用于低功耗集成电路设计。     

西部现代教育技术应用现状与对策

采用问卷和面谈方式，对我国西部三省部分中小学现状教育技术应用现状进行了调查研究。结果表明，该地区教师，教育技术水平偏低，教学软件，硬件设备严重不足，现有教学设备与日常教学严重脱离，并据此提出了改变我国西部教育技术现状的措施。     

国内新兴技术及其管理研究综述

20世纪90年代以来,新兴技术相关问题的研究引起了国内外学者的关注。从检索的中文期刊文献来看,国内学者对新兴技术管理的研究主要涉及新兴技术概念的界定及其特征、新兴技术管理实践、新兴技术辨识、新兴技术商业化评价、新兴技术的创生与演化的研究等方面,研究的深度和广度尚存在明显的不足。从当前国内的研究现状来看,今后应促进学科间的交叉研究,强化实证分析,带动理论创新,促进消化吸收,推动本土化研究,加强战略性新兴技术研究。     

电子测配色和分色制版技术在纺织印染工业中的应用

在纺织印染、染料等学科中，颜色的度量有着相当重要的作用和广泛的用途。纺织是最古老的行业之一，新的纺织技术不同于传统纺织技术，电脑测色与配色、电子分色制版等新技术又赋予了它新的内容。同时，古老的纺织业又为最现代的纺织技术提供了广阔的舞台。     

网络管理中的新技术及其应用

分析了传统的基于C/S模型网络管理技术的一些缺陷，系统地描述了目前网络管理中的一些新技术及其应用，如Web技术，CORBA技术和移动Agent技术等，并分析了各自的优、缺点。综合CORBA与Agnet技术的网络管理系统可以提高网络管理中的实时性和智能化，方便地实现网络的自主管理。     

技术融合的理论内涵研究

从对技术融合提出背景的基本理解开始,在对技术融合的动力、技术扩散的实质过程、生命周期以及结构与程度考察的基础上,提出了有关对技术融合理论的探索,突破了把技术融合单纯理解为技术行为的认识。     

《DSP技术及应用》基于FPGA实践教学改革的探讨

当前DSP(Digital Signal Processors)技术与多个其它领域的技术正逐渐趋向融合,互为牵连,为使教学模式跟上技术的这一发展趋势,在此提出一种多元化的教学思路,将EDA技术、DSP技术、MATLAB仿真技术进行教学整合,为该课程的实践教学提供了一种新的方式,丰富了该课程的实践内容,增强了实验课的趣味性。     

浅析技术转移中科技评估的运用

在信息时代,做好技术转移中的科技评估工作非常重要。介绍了科技评估的作用、方法、意义,探讨了科技评估中需要重视的问题。     

科技金融发展思考

从国内外经济社会与科技发展背景出发,探讨了促进科技和金融结合的目的与任务,阐释了科技金融内涵及其禀性特征、外延与系统结构,剖析了科技金融发展规律和表现形式,并从操作层面阐述了科技金融工作性质及特点,提出了今后亟待加强的方向性建议。     

浅谈本世纪初期我国农业的主导技术

文章从科学发展的方向和水平、亟待解决的与农业有关的问题以及世界农业发展的趋势等方面，讨论了本世纪初我国农业主导技术发展的基本走向。同时，还阐明了本世纪初的农业主导技术与现代农业技术的相互关系。     

论技术实在

真正的技术实在不仅包括以人工制品形式存在的技术实体,而且还包括虚拟技术、技术活动和技术效用。也就是说,它不只是一种实体存在,而且是一种活动与过程实在,还是一种关系实在。在整个活动过程中,渗透了人的目的、意志、需求和利益,参入了社会诸种复杂因素。既有客观性,也有主体性。是既存与建构的统一。