CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析

针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.实验结果表明,该抗辐射触发器不仅对单粒子闩锁效应免疫,而且具有非常高的抗单粒子翻转的能力.      

异戊氧基乙酸的合成

研究了以异戊醇为原料, 氢氧化钠为碱性试剂制备异戊氧基乙酸的合成路线, 并探索出本合成法的最佳反应条件, 摩尔产率达８９ ％     

高PSRR超低噪声的LDO设计

便携式医疗电子设备在信号传输中易受到噪声干扰,为了抑制交流纹波对微小信号的影响,设计了一种高电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR)、超低噪声的低压差线性稳压器(low-dropout regulator,LDO)。利用电流缓冲和动态零极点追踪补偿技术来实现环路的稳定,同时也扩展了环路的单位增益带宽,提高了高频下的PSRR。稳压器采用两级结构,通过预稳压调制级加低通滤波器结构来实现低压差线性稳压器的超低噪声,且低通滤波器的截止频率有利于低频下PSRR的提高。基于5V-0.35μm CMOS工艺设计,采用cadence仿真软件进行仿真验证。仿真结果表明,在100kHz、10kHz、1kHz、100Hz频率下,PSRR分别可达到-66、-85、-96和-97dB。在不同的负载下,输出噪声在10Hz~100kHz频段不超过10μVrms,重载(250mA)时的输出噪声最低可达到7.5μVrms,可用于便携式医疗电子设备。     

固体超强酸TiO_2/SO_4~(2-)催化合成异戊氧基乙酸烯丙酯

在固体超强酸ＴｉＯ２／ＳＯ２ －４ 催化下, 由异戊氧基乙酸和烯丙醇合成异戊氧基乙酸烯丙酯－ 考察了催化剂用量、原料配比、反应时间等因素对产物产率的影响, 确定了最佳反应条件, 产物产率８８－４ ％ , 纯度９７ ％ －     

时间分数阶Camassa-Holm型方程的各种精确解及其动力学性质

利用变量分离法与齐次平衡原理相结合的方法,系统地研究了时间分数阶Camassa-Holm型方程,获得该方程各种类型的精确解,并讨论了这些解的稳定性、有界性、渐进性等动力学性质和衰减现象,通过图像模拟,以图例的形式直观地展示了部分精确解的动力学行为和动力学现象.     

空间辐射效应防护的标准单元库设计与实现

为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI(Silicon on Insulator)集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计开发了基于33 V 035 μm PD（Partly） SOI CMOS(Complementary Metal-Semiconductor)工艺平台,并面向Synopsys电子设计自动化软件的抗辐射加固标准单元库。标准单元采用H型栅及源漏非对称注入结构,以提高抗辐射性能,最后对该单元库进行了电子设计自动化工具流程验证和测试验证。实验结果表明,检错纠错验证电路功能符合设计要求,抗总剂量水平大于300 krad (Si)。     

高硼掺杂金刚石粉末微电极电化学性能研究

文章以H3BO3-石墨层间化合物（GICs）为碳源,高温高压合成的高硼掺杂金刚石为原料,制备成粉末微电极,用循环伏安曲线法测定其电化学性能。     

大型磨机结构强度计算

本文采用有限元方法对半自磨机MZS8848回转体在不同工况钢球冲击情况下进行了强度计算,为大型磨机的设计提供有效参考。     

不可逆谐振子量子奥托制冷循环性能特征南昌大学理学院物理系，南昌330031

建立了以谐振子系统为工质的量子奥托制冷循环模型，基于海森堡量子主方程，推导出谐振子系统热力学可观测量的运动方程，得到了量子奥托制冷循环的模拟图．数值分析了平均摩擦功率、制冷率、制冷系数和输入功率与绝热过程时间的关系．进一步分析了热传导和等频率过程时间对循环性能参数的影响．     

一种基于灰度投影的带钢表面缺陷检测算法

根据带钢表面缺陷图像的特点提出了一种利用带钢图像的灰度投影进行带钢表面缺陷目标检测的一种算法.该算法首先是把带钢图像分别进行向下和向左的灰度投影,然后在此基础上计算出向下投影与向左投影的投影均值并分别找出其中的最大值与最小值,之后分别把它们做差,如果向下投影均值的差值和向左投影均值的差值中至少有一个超过了给定的阈值则认为图像存在缺陷,否则无缺陷.该算法在多次实验中都能够很成功地完成带钢表面缺陷目标检测的功能.