硅全离子注入的GaAs双栅MESFET

本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10¹²cm^-2,接触层注入条件为50keV、8×10¹²cm^-2,退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.     

新型Si基毫米波VGCPW建模

基于Si基0.18μm标准CMOS工艺研究新型低损耗V型结构接地共面波导（VGCPW）,用HFSS软件建立物理模型,进行三维电磁仿真,研究内部电磁场分布.采用ADS软件的传输线模型卡及其目标优化控件,建立适合于毫米波段CMOS 单片集成电路仿真和设计的新型低损耗VGCPW等效传输线模型.     

砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究

本文采用中频衰减法和微带测试电路.测量了超高频应用的低噪声GaAs双栅肖特基势垒栅场效应晶体管(以下简称GaAS双栅MESFET)的最小噪声系数NF_min、相应功率增益G_a和增益控制量G_R,借助网络分析仪测量了S参数.测试表明,1GHz下最佳噪声系数NF₀为0.8dB,而G_a、G_R可达11.5dB和48dB,在0.5~2GHz频带内,器件处于稳定工作状态.