AF2400-SiO2疏水复合光学薄膜制备及其表征

采用溶胶-凝胶工艺制备低折射率二氧化硅(SiO2)增透薄膜,用AF2400(Telflon)对薄膜进行表面处理得到AF2400-SiO2疏水复合光学薄膜.对薄膜的表面形貌、疏水性能、光学性能等进行测试,结果显示AF2400-SiO2复合光学薄膜表面平整,折射率为1.21,疏水角可以达到110°~120°.     

影响五氧化二铌粒径因素的研究

本文采用正交实验的方法研究了五氧化二铌粉末平均粒径、微观形貌与铌液浓度、焙烧温度、焙烧时间、沉淀方式等因素的关系.     

碳化硅零件氧化辅助抛光超精密加工的研究现状

通过等离子体氧化、热氧化、电化学氧化在碳化硅基材上获得软质氧化层,利用软磨粒抛光实现氧化物的快速去除,有利于提高材料去除效率、提升加工表面质量。研究发现,通过等离子体氧化辅助抛光,表面粗糙度RMS和Ra分别达到0.626nm和0.480nm;通过热氧化辅助抛光,表面粗糙度RMS和Ra分别达到0.920nm和0.726nm;在电化学氧化中,基于Deal-Grove模型计算得到的氧化速度为5.3nm/s,电化学氧化辅助抛光后的表面粗糙度RMS和Ra分别是4.428nm和3.453nm。氧化辅助抛光有助于烧结碳化硅加工工艺水平的提升,促进碳化硅零件在光学、陶瓷等领域的应用。     

退火对TiO2和Ta2O5光学薄膜的结构和光学性质的影响

将反应磁控溅射制备的二氧化钛和五氧化二钽薄膜在温度400℃的条件下退火处理.利用X射线衍射、原子力显微镜和分光光度计等设备对退火后薄膜的结构、表面形貌和光学性质进行研究.实验表明:退火后的T iO2薄膜为多晶结构,薄膜的表面粗糙度、折射率和消光系数都出现增大现象.然而,对于退火后的T a2O5薄膜,它的结构还是非晶态,薄膜的表面粗糙度比退火前小;同时折射率和消光系数均有减小.这些结果说明薄膜退火后的特性与薄膜材料的内部结构及结晶转变温度等有密切相关.     

SnO_2薄膜的制备及其光电特性

以高纯Sn丝为蒸发源,采用真空热蒸发法在石英衬底上沉积了厚度为205nm的金属Sn薄膜.随后,在高纯氧氛围中于200~500℃条件下进行氧化处理.利用X线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同氧化温度下样品的结构、光学、电学特性.结构测量表明,不同氧化温度会产生不同结晶状态的氧化产物,提高氧化温度可得到单一、稳定的四方晶系SnO_2.光学测量结果证实,随氧化温度的升高,薄膜样品的光学带隙增大,电流-电压测试表明薄膜电阻率随氧化温度的升高而降低.     

二硫化铼量子点的制备及其光致发光性质研究

采用液相超声法首次成功制备出二硫化铼量子点(ReS_2 QDs),表面形貌、物相组分和光学性能测试发现:ReS_2 QDs平均粒径为2.7 nm,呈现六方晶系圆形结构并具有斯托克斯(Stokes)位移效应,表现出比体材料更优异的光学性能.     

用PEM监控制备TiO_2薄膜及其光学性能的研究

使用金属钛作靶材,利用中频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了TiO2薄膜.为使反应溅射的工作点能够稳定在"过渡区",使薄膜获得理想的化学配比和较高的沉积速率,使用了等离子体发射光谱监控法(PEM)对溅射过程进行控制.利用台阶仪测膜厚,用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计以及光学薄膜测试分析仪等手段对TiO2薄膜的结构以及光学性能进行表征,研究了不同工艺条件对薄膜结构和光学性能的影响.结果表明,较高的PEM工作点下制备的TiO2薄膜具有较高的折射率,使用PEM控制的中频反应磁控溅射方法可以制备出性能良好的TiO2光学薄膜.     

用激光拉曼谱表征半导体陶瓷湿度传感器中晶粒微结构的特性

半导陶瓷湿度传感器是用固相反应和粉末压片烧结的方法制作，它以二氧化锆、二氧化硅、五氧化磷为主料，并且掺杂三氧化二钇和五氧化二铌。借助于高分辨率的四角和单斜二氧化锆的激光拉曼标准谱，二氧化锆晶粒的微结构显然在未掺杂和三氧化二钇或五氧化二铌掺杂的样品中分别属于单斜和四角对称晶系。它们在激光显微镜下发出可以区分的不同色彩的荧光。未掺杂的二氧化锆晶粒是线工为１￣２μｍ的斜角四边形，而掺杂烧结的晶粒是尺寸大     

溶胶-凝胶法制备氧化铝薄膜的研究

采用溶胶 -凝胶法在普通玻璃载片上制备了Al2 O3 薄膜 .通过XRD ,DSC -TGA以及椭圆偏振测厚仪等测量手段研究了勃姆石溶胶的制备条件 ,氧化铝薄膜的光学参数以及勃姆石凝胶在热处理过程中的物理变化 .结果表明 :异丙醇铝的浓度、水解温度和胶溶剂的加入量直接影响了勃母石溶胶的稳定性 .45 0℃热处理所得薄膜单层厚度为 31.3nm ,折射率为 1.72 ,表面均匀 ,透光性好     

包渗法制备硅化物涂层的结构形貌及形成机理

采用包渗法在C-103 铌合金基体上制备MoSi2 涂层,通过X 射线衍射、扫描电镜和能谱分析等手段研究涂层表面、截面形貌以及氧化后涂层结构变化,并分析硅化过程中涂层的形成机理.研究结果表明包渗法制备硅化物涂层是通过反应扩散形成的,硅化过程服从抛物线规律;该涂层为复合结构MoSi2 相为主体层;以NbSi2相为主、并含少量Nb5Si3 相的两相为过渡区;Nb5Si3 相为扩散层.在高温氧化环境下,涂层表面生成致密的非晶氧化层,有效地阻止了氧向涂层内扩散.     

Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO（锡铟氧化物）靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征.Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1 eV;Ga2O3（45 nm）/ITO（14 nm）/Ga2O3（45nm）膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光电性质.     

氧气流量对TiO_x薄膜结构和光学特性的影响

用直流反应磁控溅射法在未加热的玻璃基片上制备出晶态TiOx(x2)薄膜,研究关键工艺因素即氧气流量对薄膜的沉积速率、表面形貌、显微结构和光学特性的影响。研究结果表明:随着氧气流量增加,薄膜的沉积速率从38.54nm/min下降到3.28nm/min,溅射模式也从转变模式过渡到氧化模式,薄膜表面均方根粗糙度逐渐减小,表面更趋平整;当氧气流量≤5mL/min时,得到不透明的晶态TiOx(x2)薄膜;当氧气流量5mL/min时,所沉积的TiOx薄膜呈透明非晶态,薄膜平均透射率高于80%。     

化学浴沉积法制备纳米氧化亚铜薄膜及其表征

以五水硫代硫酸钠和五水硫酸铜配制冷溶液,氢氧化钠配制热溶液,利用氧化铟锡导电玻璃基底在两种溶液中循环浸泡的化学浴沉积法制备氧化亚铜薄膜。对沉积过程中所发生的化学反应进行了讨论,并将制成的薄膜样品分别利用X射线衍射仪、扫描电镜、场发射扫描电镜和紫外-可见分光光度计进行表征,表征结果从多方面证实了合成的材料为纳米量级的氧化亚铜薄膜。构成薄膜的颗粒粒径约为十几纳米,每经过一次循环,薄膜厚度增加11～12nm.氧化亚铜对波长在200nm到500nm范围内的光有较高吸收率,禁带宽度计算值约为2.18eV.     

Microstructures and optical properties of sol-gel derived TiO2 anatase thin films

TiO₂ anatase thin films on quartz substrates were prepared with sol-gel method. The dry gel films, made by spin coating 10 times, were calcined at various temperatures. From X-ray diffraction analyses, it is found that the anatase to rutile phase transformation temperature of the films is higher than 850°C, the films are preferentially oriented on (0 0 1) plane, i. e.c-axis oriented. The thickness, refractive indexes, absorption coefficients and extinction coefficients of the films were determined from UV-Vis transmission spectra of the films using a UV-Vis spectrophotometer. The thickness of the films is about 570 nm. The refractive indexes, absorption coefficients and the extinction coefficients of the present films are larger than the values of anatase films prepared by sputtering. This indicates that the films made with sol-gel method are very dense. Biography: LIU Zhong-chi(1967-), male, Master candidate. Research direction: non-linear optical materials.     

磁控溅射制备的氧化钒薄膜的结构研究

用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）,原子力显微镜（ＡＦＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了磁控溅射制备的氧化钒薄膜的宏观、微观和电子学结构。建立了薄膜的相结构与ＸＰＳ谱中Ｖ２ｐ３／２特征峰的结合能之间的定量关系。给出了二氧化钒薄膜的ＡＦＭ像。所得到的二氧化钒热致变色薄膜的结构特性与光电特性相一致。     

zr掺杂对Ti02光学性质的影响

利用电子束沉积方法在玻璃基底上制备了TiO2薄膜及zr掺杂TiOz薄膜．采用拉曼光谱仪和分光光度计对膜的结构和吸收光谱进行了表征;研究结果表明：退火温度为773K时,沉积得到的Ti02薄膜为锐钛矿结构的薄膜;Zr掺杂锐钛矿型TiO2,导致带隙减小,掺杂后在350—450nm附近的光吸收系数增大,TiO2的吸收带产生红移,增强了TiO2的光催化活性;1％掺杂量对光的吸收系数于大5％的掺杂量．     

稀土Dy掺杂纳米CdO薄膜的特性分析

为改善氧化物半导体薄膜的特性,采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备稀土Dy掺杂纳米CdO薄膜并进行热处理,对薄膜进行结构、电学和光学特性进行测试分析。实验结果给出:掺杂稀土Dy后CdO薄膜沿(111)晶向的衍射峰增强,随掺Dy含量增大峰强度逐渐减弱,掺Dy含量为5%时可促进CdO薄膜晶粒的生长,改善薄膜晶相结构特性。制备的薄膜表面颗粒均匀,存在颗粒聚集现象。掺Dy含量为9%时,在波长大于900 nm的范围透光率可达90%,高于纯CdO薄膜。     

应用于太阳能电池的AZO透明导电薄膜光学性质研究

以铝掺杂氧化锌陶瓷靶作为溅射源,采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌（AZO）透明导电薄膜,利用全光谱拟合法计算了AZO薄膜的光学常数和厚度,研究了厚度对AZO薄膜光学性质的影响.结果表明：拟合光谱曲线与实测光谱曲线一致,薄膜的光学性能与厚度密切相关,AZO薄膜折射率表现为正常的色散特性.另外还采用包络法计算了AZO薄膜的折射率和厚度,两种方法所得结果基本相符.     

多孔阳极氧化钛反射光学性质的研究

利用直流磁控溅射沉积钛膜,以硫酸为电解液进行不同时间的阳极氧化,获得多孔阳极氧化钛(PATO)薄膜.用X射线衍射仪、扫描子显微镜、原子力显微镜分别表征PATO薄膜的结构和形貌特征,用分光光度计测量样品的反射光谱.结果表明,制得的氧化钛薄膜是多晶的Ti10O18;样品的表面有明显的孔洞结构,且粗糙度随着氧化时间的增加而增大.随着氧化时间从10min增加到40,60,90,120min,样品的颜色相应地由蓝色逐渐过渡到黄色、橙色、紫红色和淡紫色.氧化时间为120min的PATO薄膜的在可见光区的折射率低于2.0,孔隙率约为0.32;粗糙的表面及薄膜内部的孔洞增强了光的散射,导致其消光系数大于0.1.     

纳米4H-SiC薄膜的光学性质研究

SiC薄膜具有结构不易控制,透明性较差的特点,采用PECVD方法淀积的纳米SiC薄膜经光学透过率测试表明,在637nm和795nm处高的光透过率,并且当薄膜的厚度增大时,仍然具有高透过率的特性,这一结果表明,PECVD技术具有制备结构均匀,透明的纳米SiC薄膜的优势,同时,在与非晶SiC薄膜进行对比中发现非晶SiC薄膜的透过率不如纳米SiC薄膜。