低噪声宽带放大器的设计及应用

本文详细地叙述了UHF频段低噪声宽带放大器的设计及其应用。放大器由三只低噪声双极晶体管2sc3358组成,制作在环氧玻璃纤维敷铜板上,并安装在一个90×50×30mm~3的铝制屏蔽盒内。其性能为:频率范围470～970MH_2,增益>28dB,噪声系数(合混频器)<1.5dB。     

一种高线性GaAs pHEMT宽带低噪声放大器的设计

针对互补金属氧化物半导体工艺在高频时性能差的缺点,基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种用于无线通信系统的宽带低噪声放大器,宽带低噪声放大器的设计采用负反馈来获得平坦的增益和较低的输入输出反射系数。电路版图设计好后利用Advanced Design System 2005进行仿真。仿真结果表明,该放大器在0.3~2.2 GHz频带内,增益高于12 dB,且变化小于3 dB;噪声系数在1.04~1.43 dB之间,输入输出反射系数均小于-10 dB,群延时特性在整个频带内接近线性,且在整个频带内无条件稳定,所设计的宽带低噪声放大器能够很好地满足实际需要。     

一种10厘米波段低噪声晶体管放大器

本文叙述一种10厘米波段低噪声微波晶体管放大器的设计。已获得噪声系数2—3db。三级放大器频率复盖±l0％,增益20db以上。电路采用微波集成电路,制在双面敷铜聚四氟乙烯纤维板以及氧化铝陶瓷两种基片上。利用电抗斜率补偿的方法改善频率特性,使增益不平坦度达到约1db。     

微波超宽带低噪声放大器的设计

设计和制作一种小型超宽带低噪声晶体管放大器 ,采用全微带匹配网络和负反馈技术 ,利用新型晶体管器件 HEMT,经自编的程序 MMatch和商业软件 Touchstone双重辅助设计 ,实现在 0 .9-3.6 GHz两个倍频程的超宽带范围内增益 >2 9.4 d B,增益平坦度 <5 % ,噪声系数 <1 .8d B,输入、输出驻波比 <2 .2 ,1 d B,压缩点输出功率 >1 7.9d Bm.该放大器制作在 5 2× 2 5 mm2的聚四氟乙烯基板上 ,经测试满足设计要求 .     

12GHz频段波导传输型FET放大器

本文叙述了应用ＧａＡｓ ＭＥＳ ＦＥＴ直接安装在矩形波导管内，实现波导型二端口场效应晶体管放大的结构；同时，介绍利用Ｓｍｉｔｈ园图进行匹配设计的工程近似法；以及从工程的观点导出噪声系数的转换公式．并把这些结果用于研制１２ＧＨｚ频段ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ低噪声波导传输型放大器。当应用国产ＷＣ—６０型砷化镓场效应晶体管（该管用在５０欧微带放大系统时，测得功率增益为９ｄＢ；噪声系数为２．６ｄＢ）制成一级功率增益ＧＰ≥１０ｄＢ；噪声系数ＮＦ≥２ｄＢ的波导传输型前置放大器，     

砷化镓材料的激光微孔技术

激光打孔是砷化镓场效应晶体管生产中的一项新技术。该工艺能够提高器件的功率和截止频率。通过对砷化镓衬底上近万个激光微孔的观察和归纳分类,我们分析了其成孔机理及微观过程;总结出了成孔规律并得出了成孔结果。     

宽带平衡式低噪声放大器的研究与设计

为解决低噪声放大器设计时带宽和驻波的问题,提出一种结合平衡放大结构和负反馈技术设计宽带低噪声放大器的方法。采用ATF38143晶体管,利用ADS软件对其进行匹配优化,以自偏压的形式提供负压简化电路,通过并联谐振电路调节增益平坦度,设计出一个工作在1.5~2.5 GHz内、端口驻波小于1.4,噪声系数优于0.55、最大增益大于14 dB、带内增益平坦度优于2 dB的宽带低噪声放大器,很好地解决了低噪声放大器的带宽和驻波问题。     

S波段单片低噪声放大器

S波段单片低噪声放大器采用了0.5 μm φ3英寸(76.2 mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,由三级自偏电路构成,单电源( 5 V)供电.对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后,随机抽取一定数量的样品装架测量, 并对放大器进行了增益和相位的统计.统计表明:在S波段带宽300 MHz范围内,增益在24.5～26 dB范围内, 相位线性度小于1°,相位偏差±7°,噪声系数最大1.4 dB,输入输出驻波最大1.4,1 dB压缩输出功率大于10.5 dBm.另外,还对放大器进行了高温、低温环境试验和静电模拟和试验.     

低噪声电子器件的噪声测量

本文提供了一种低噪声电子器件的噪声测量方法,并且给出了对国产场效应晶体管进行实际测量的实验曲线。     

L波段低噪声放大器的电路设计与性能分析

闸述了L波段低噪声晶体管放大器中各种降低噪声措施的基本原理,给出了低噪声电路设计的一般原则,以及L波段卫星地面接收系统前端低噪声高频放大器输入级中噪声匹配电路的设计举例.     

X、Ku波段宽带低噪声放大器的设计

文章利用有损匹配的方法设计了一种覆盖X、Ku波段的宽带低噪声放大器,其工作频率为8～18 GHz,带内功率增益大于32 dB,增益平坦度小于3 dB,输入输出端口的回波损耗S11和S22均优于-7 dB,噪声系数小于2.8 dB,最大输出功率为16 dBm,且具有工作频带宽、输入输出匹配结构简单的特点.     

噪声源相关的低噪放大器设计

导出了噪声源相关时的最佳匹配源电阻,并举例说明在这种情况下低噪放大器设计的主要特点。     

宽带GaAs MMIC功率放大器的设计

概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术。介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况。该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3~6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18~25%。     

阻容耦合放大器电路通频带的计算

本文通过对一个具体电路的—3dB带宽的计算,即上限截止频率和下限截止频率的计算,分别介绍了计算通频带的方法。     

低噪声晶体管放大器的设计

以实现声频放大器低噪声化为出发点，阐述了具体设计的几个方面．从低噪声放大器设计的基本原理和方法入手，对晶体管放大器的噪声模型（Ｅｎ－Ｉｎ模型）作了分析，并推导出一种实用的最佳源电阻Ｒｓｏｐｔ近似求法．还对系统电路的低噪声设计略加探讨．     

基于负阻抗变换有源接收天线的稳定性研究

对于基于负阻抗变换为基础而设计的有源接收天线,具有较高的接收灵敏度和理想的天线高度;但是由于负阻抗变换是一种正反馈,致使天线的稳定性变差,因此采用宽带低噪声可变增益放大器和深度负反馈电路的结合来改善天线稳定性,并通过仿真和实验来给予验证.实验结果证明,通过加入可变增益放大器,基于负阻抗变换的有源接收天线具有高稳定性、高灵敏度和低噪声等特性,从而最终实现一个性能优良的有源接收天线.     

MMIC MGA-87563在低噪声放大器LNA中的应用

本文介绍了在低噪声放大器LNA中使用的芯片MMICMGA-87563的特征、电路结构。通过对MMICMGA-87563噪声指数及增益的分析,来改善LNA的性能。使得在接收端接收到微弱信号时,能不受噪声干扰而进行放大、传送到下一级。这样就提高了信号传输的可靠性。     

基于USB的卵母细胞电压钳同步数据采集和分析软件设计

介绍了基于USB接口的卵母细胞电压钳系统的数据采集分析系统,应用Delphi语言开发了系统的人机操作实验界面,探讨了电压钳的USB同步传输、数据采集和和显示的实现方法.在细胞模型测试中,电压钳放大器的跨膜电流分辨达到了0.01nA,噪声测试低于10pA.在非洲爪蟾卵母细胞表达Kv4.2钾通道实验中,记录跨膜电流波形清晰,数据分析可靠.与国外同类仪器相比:该系统操作简单,价格低,数据采集和分析方便,适用于卵母细胞表达实验.