| 宽带GaAs MMIC功率放大器的设计 |
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| 引用本文： | 张务永,王翠卿,王生国,王同祥,张慕义.宽带GaAs MMIC功率放大器的设计[J].河北省科学院学报,2005,22(3):19-22. |
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| 作者姓名： | 张务永 王翠卿 王生国 王同祥 张慕义 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050002 |
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| 基金项目： | 国家科技重点实验室基金(514320501030Z2301) |
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| 摘 要： | 概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术。介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况。该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3~6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18~25%。
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| 关 键 词： | 宽带 MMIC 功率 HFET 有耗匹配 |
| 文章编号： | 1001-9383(2005)03-0019-04 |
| 修稿时间： | 2005年5月10日 |
Design of broad-band GaAs MMIC power amplifier |
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| ZHANG Wu-yong,WANG Cui-qing,WANG Sheng-guo,WANG Tong-xiang,ZHANG Mu-yi.Design of broad-band GaAs MMIC power amplifier[J].Journal of The Hebei Academy of Sciences,2005,22(3):19-22. |
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| Authors: | ZHANG Wu-yong WANG Cui-qing WANG Sheng-guo WANG Tong-xiang ZHANG Mu-yi |
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| Abstract: | The developed process of GaAs MMIC power amplifier is introduced , then design technique of power amplifier is discussed. The design and process of a S/C-band broad-band GaAs MMIC power amplifier is introduced. Lossy matching structure modality and HFET technique is adopted in this chip. It can provide more than 3W output power, more than 23dB gain, and less than 2.5:1 input VSWR and output VSWR, and 18-25% efficiency over the 3-6GHz band. |
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| Keywords: | Broad-band MMIC Power HFET Lossy matching |
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