低噪声场放及其应用

本文描述了微波低噪声砷化镓场效应晶体管放大器的设计及其应用.该放大器是由两个低噪声砷化镓场效应晶体管C×50B组成,制作在金属化了的聚四氟乙烯介质板上,并装在一个100×60×40mm~3的盒里。放大器的性能指标是:频率范围2.7GHz～3GHz,增益≥20db,噪声系数包括混频器≤1.8db。     

瞬时浮点放大器增益决定电路的选择

<正> 在数字地震仪和其他要求测量信号动态范围很大的数字仪器中,可以采用能自动准确选择增益的瞬时浮点放大器。比如石油和煤田地震勘探中的地震信息,利用检波器所能接收到的信号,最小1μv,最大1V,其信号变化的动态范围高达120db。即使前置放大器设置36db 的固定增益,主放大器仍须84db 的可变增益,才能使信号不失真的进行放大。此外,这种可变     

集成电路运算放大器KD-203

KD—203是一种高增益、低漂移、低噪音、低功耗通用性较强的运算放大器,它的主要参数指标如下: 参数名称符号优值典型值直流开环电压增益Ado 100万倍20万倍共模抑制比CMR 100db 100db     

光接收机中前置跨阻放大器的设计

利用0.6μm CMOS工艺设计了一种用于光纤通信的跨阻前置放大器。电路采用推-挽反相器级联形式的结构,本身能够自偏压,不需设计偏压电路,减少了芯片面积,同时它的输出可以端到端地满摆幅工作,而且只要放大部分的2个MOS管都处在饱和区,就能得到最大的电压增益;利用SmartSpice软件对电路进行仿真,结果表明在 5 V电源电压作用下,该放大器的增益为78.9 dbΩ,3 db带宽为540 MHz。     

一种10厘米波段低噪声晶体管放大器

本文叙述一种１０厘米波段低噪声微波晶体管放大器的设计。已获得噪声系数２－３ｄｂ。三级放大器频率复盖±１０％，增益２０ｄｂ以上。电路采用微波集成电路，制在双面敷铜聚四氟乙烯纤维板以及氧化铝陶瓷两种基片上。利用电抗斜率补偿的方法改善频率特性，使增益不平坦度达到约１ｄｂ。     

PCM30/32系统用双通道运算放大器的研制和特性分析

本文介绍了用于PCM~(30)/32端机编码器的双通道运算放大器电路和特性分析,其电压增益约为100db,单位增益带宽约为100MHZ。零点漂移约为1my;所得实验结果,同理论一致。     

微波FET超宽带放大器的网络综合

本文给出一种频带覆盖达到100:1的微波FET 超宽带放大器的理论和设计方法。从微波FET 的小信号简化模型出发,在满足最大增益带宽积的条件下,以电压传输系数函数对级间网络进行网络综合,再以优化方法对电路参量进行调整,从而使放大器在超宽带范围内获得平坦的增益响应和小的输入输出驻波比特性,本文所提出的理论和设计方法已由实验结果所验证。     

4GHz微波低噪放大器的设计与仿真

文中介绍了一种基于GaAsMESFET的微波低噪放大器的设计方法。结合微波电路设计理论与仿真软件ADS2006对电路进行仿真和优化使电路在全频带内绝对稳定,原理图仿真指标达到较满意的结果,其中增益为15．112dB,噪声1．371dB。设计电路版图并对其进行协同仿真（co-simulation）,并与原理图仿真结果进行比较和分析。该放大器可广泛应用于无线通信系统中。     

程控增益放大器及其与微机的接口技术

分析一种由单片数模转换器构成的数字程控放大器的原理,给出该程控增益放大器的两种结构,并对其中一种给出设计示例及测试结果。测验表明这种程控增益放大器的增益控制精度高;该放大器易于微机接口,文中给出一种接口电路实例。本文讨论的程控增益放大器性价比高、电路结构简单、可靠性好、通用性强,在智能测量仪器及工业控制等方面有广泛的用途。     

半均匀频率依变损耗宽带匹配网络的机助综合

对于微波集成电路与单片微波集成电路中由两类集总参数元件(电感和电容) 所构成的宽带匹配网络,提出了一种新的机助综合方法,该法计及元件的频率依变损耗,使综合结果的增益特性更接近于实际能够达到的性能,尤其适用于单片微波集成电路宽带放大器的设计。这一方法思路明晰便于工程应用。     

一种高性能低功耗两级全差分运算放大器设计

分析并设计了一种高速、高增益、低功耗的两级全差分运算放大器.该运算放大器用于高速高精度模数转换器中.运算放大器第一级采用增益自举cascode结构获得较大的直流增益,采用2个新的全差分运算放大器替代传统的4个单端运算放大器作为增益自举结构.该放大器采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计,电源电压1.8 V,直流增益125 dB,单位增益带宽300 MHz(负载3 pF),功耗6.3 mW,输出摆幅峰峰值达2 V.     

一种基于电阻型光耦可变增益放大器设计

采用改变电阻来控制放大器增益的方法,介绍了一种基于电阻型光耦的可变增益放大器的设计方式。通过实测,增益变化具有较高的线性度。     

300兆赫集成参量放大器

采用变容二极管的参量放大器具有低噪声的显著优点.由于变容二极管工作于反向区域,因而参放的噪声主要是由串联电阻 R_8引进的热噪声.由附录中的计算可以看出,在 P 波段,利用已有的管子参数和电路技术要做到 1db 左右的噪声系数应该是可以的.若进一步致冷,可成为现在实用的 P 波段最低噪声系数的微波放大器.使用在 P 波段的变容二极管的另一个特点是具有较强的抗烧毁能力.近年来,在微波电路集成化方面,已制     

毫米波单片低噪声放大器的研制

采用OMMIC0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了两级和三级2种毫米波单片低噪声放大器.以最小噪声度量为设计依据,通过适当提高偏置电流的方法改善毫米波频段的增益,使得放大器在保持噪声系数较小的同时获得较高的增益.两级低噪声放大器采用串联负反馈结合并联负反馈的结构,可以获得比较平坦的增益;三级低噪声放大器采用三级相似的串联负反馈结构级联,可以紧凑结构、在相同的芯片尺寸下获得较高的增益,2种低噪声放大器芯片的尺寸均为1.5mm×1.0mm.测试结果表明,在28~40GHz频段内,两级低噪声放大器增益最大为15.4dB、噪声系数最小为3.2dB;三级低噪声放大器增益最大为24.8dB、噪声系数最小为2.73dB,达到预期目标.     

宽带低附加相移可变增益放大器

基于130 nm BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可变增益放大器和开关衰减器的组合结构,其中可变增益放大器在宽带、高效率的反馈式放大器的基础上通过改变偏置实现增益控制,而开关衰减器的应用在拓宽增益控制范围的同时减小了偏置变化范围,从而减小了不同增益状态下的附加相移.提取版图寄生参数后的仿真结果表明：在1.6 V供电电压下,该可变增益放大器在3.5～11 GHz范围内增益平坦度小于±0.75 dB,增益控制范围为-22～10 dB,增益步进值为0.5 dB,噪声系数小于6.5dB,不同增益状态下的附加相移小于±5°,电路输出1 dB压缩点大于12 dBm,动态功耗小于155 mW.该可变增益放大器拓扑在满足项目需求的同时为减小可变增益放大器的附加相移提供了一种思路.     

Nelder-Mead单纯形法对微波FET低噪声放大器的优化

本文提出了对微波FET放大器兼顾增益、驻波比、低噪声的目标函数表达式。采用Nelder-Mead单纯形法优化,进行计算机辅助设计。优化实例中的计算结果经用户加工使用和生产实践,效果良好。     

量纲概念在分析负反馈放大器中的应用

用方框图法分析负反馈放大器,要根据不同的负反馈类型,首先求出基本放大器的电压增益A_v、电导增益A_G、电阻增益A_R及电流增益A_I。其中除求出的A_v可直接用于求A_(vf)外,其余三种增益皆需根据定义推导出其表达式求解。本文提出用量纲概念去分析负反馈放大器,只需用熟知的方法求出各种类型负反馈放大器的电压增益A_(v),然后通过量纲转换求解A_(vf),使分析方法变为简单、可靠。     

微波多级FET宽带放大器的实频直接设计法

给出多级级联网络的功率传输增益表达式。以该表达式为基础,提出微波多级FET宽带放大器的实频直接设计法。这一方法无需负载及FET的数学模型,只需知道其实频参数(阻抗或散射参数)即可。适当选择匹配网络的拓扑结构,即可进行优化设计,物理概念清晰,应用简便。宽带匹配网络可以计及集总元件的频率依变损耗,从而有利于提高微波宽带放大器的设计精度。     

基于DSP的宽带直流放大器的设计与研究

文章介绍了一种基于DSP的宽带直流放大器,该装置的信号放大由可控增益运算放大器AD603来完成。同时还采用DSP和AD558增益控制电路实现增益预置并显示,带宽达50MHz,并且增益在0~60 DB连续可调。     

一种高性能全差分运算放大器的设计

设计了一种具有高增益、大带宽的全差分折叠式共源共栅增益自举运算放大电路,适用于高速高精度流水线模数转换器余量增益电路(MDAC)的应用,增益自举运算放大器的主放大器和子放大器均采用折叠式共源共栅差分结构,并且主放大器采用开关电容共模反馈来稳定输出电压,该放大器工作在5.0V电源电压下,单端负载为2pF,采用华润上华(CSMC)0.5μm 5VCMOS工艺对电路进行仿真测试,结果显示该运放的直流增益可达到126.3dB,单位增益带宽为316MHz。精度为0.01%时的建立时间为4.3ns。