一种10厘米波段低噪声晶体管放大器

本文叙述一种10厘米波段低噪声微波晶体管放大器的设计。已获得噪声系数2—3db。三级放大器频率复盖±l0％,增益20db以上。电路采用微波集成电路,制在双面敷铜聚四氟乙烯纤维板以及氧化铝陶瓷两种基片上。利用电抗斜率补偿的方法改善频率特性,使增益不平坦度达到约1db。     

传输线行波匹配新概念放大器

从传输线行波匹配的原理出发，以普通的分布式放大器理论为基础，提出了用传输线行波匹配的方法设计单级宽带放大器的新概念．主要讨论了据此概念而导出的一种新概念放大器，这种放大器的性能远优于普通分市式放大器．它具有较好的宽带匹配及较为平坦的增益特性，其增益带宽积及工作效率均比普通的分布式放大器提高了一倍，设计灵活简单，便于集成化．本文给出了这种新概念放大器的基本工作原理及其设计方法．最后，通过计算机模拟分析软件ＳＰＩＣＥ设计了一个性能较为出色的、两级级联的新概念放大器，它工作于ＤＣ－１７ＧＨＺ，增益为１０．６ｄＢ．     

微波FET超宽带放大器的网络综合

本文给出一种频带覆盖达到100:1的微波FET 超宽带放大器的理论和设计方法。从微波FET 的小信号简化模型出发,在满足最大增益带宽积的条件下,以电压传输系数函数对级间网络进行网络综合,再以优化方法对电路参量进行调整,从而使放大器在超宽带范围内获得平坦的增益响应和小的输入输出驻波比特性,本文所提出的理论和设计方法已由实验结果所验证。     

同向泵浦喇曼光纤放大器的增益特性

为分析同向泵浦喇曼光纤放大器中各参量对增益的影响，根据同向耦合波方程导出了放大器输出端信号光的解析解，并给出了放大器增益的表达式。在参量取典型值的条件下，分析了光纤长度、初始信号光功率、初始泵浦光功率、光纤有效面积、拉曼增益系数等参量对放大器增益的影响，所得部分结果与文献的实验结果一致。根据各个参量对放大器增益的不同影响，可以优化放大器的增益特性，从而提高放大器的增益，进而提高其放大性能。     

微带平衡混频器

本文介绍了我们研制的１０ｃｍ波段和２２ｃｍ波段微带平衡混频器，其中２２ｃｍ波段混频器的噪声系数是ＮＦ≤６ｄｂ：隔离比是Ｄ≥２０ｄｂ；信号支路的驻波比是　＜１．５。Ｓ波段混频器的噪声系数是ＮＦ≤７ｄｂ；隔离比是Ｄ≥１７ｄｂ；信号支路的驻波比是　≤１．６。为了进一步改善混频器特性，我们将电桥做成圆形，并且将其两输出臂之一增长了四分之一波长。（混频器的噪声系数内包括了中放级的噪声系数ＮＦｉｉ≈１．５ｄｂ）．     

4GHz微波低噪放大器的设计与仿真

文中介绍了一种基于GaAsMESFET的微波低噪放大器的设计方法。结合微波电路设计理论与仿真软件ADS2006对电路进行仿真和优化使电路在全频带内绝对稳定,原理图仿真指标达到较满意的结果,其中增益为15．112dB,噪声1．371dB。设计电路版图并对其进行协同仿真（co-simulation）,并与原理图仿真结果进行比较和分析。该放大器可广泛应用于无线通信系统中。     

高增益S波段相对论速调管的3D研究

在相对论速调管放大器的研究，非工作模的激发是影响器件正常工作的一个重要因素，尤其是高增益情况，这些非工作模在实际结构中还包含非对称模式．同时在相对论速调管放大器的结构中，其输入和输出部分不可避免地要引入3D结构，因此依据2D理论或2DPIC模拟得到的结果不能满足实际结构的实验需要．论文依据2DPIC设计的高增益s波段相对论速调管放大器模型进行3D研究，研究了输入、输出部分中3D结构对束波互作用的影响，通过3DPIC模拟排除了2DPIC模拟中不能反映的非对称模式的影响，验证了3D冷腔分析结果，实现了2DPIC的模拟结果：电子束参数为流强5kA、电子能量600kV，注入微波功率0．88kW、模拟微波输出功率0．57GW，相应增益为6．48×10^5．     

程控增益放大器及其与微机的接口技术

分析一种由单片数模转换器构成的数字程控放大器的原理,给出该程控增益放大器的两种结构,并对其中一种给出设计示例及测试结果。测验表明这种程控增益放大器的增益控制精度高;该放大器易于微机接口,文中给出一种接口电路实例。本文讨论的程控增益放大器性价比高、电路结构简单、可靠性好、通用性强,在智能测量仪器及工业控制等方面有广泛的用途。     

宽带增益线性渐变MMIC放大器设计

本文介绍了一种采用ＭＭＩＣ元器件设计宽带增益线性渐变放大器的方法．按这种方法设计的放大器可实现增益线性渐变，输入输出匹配良好．此方法在同类放大器设计中有一定的参考价值．     

自补偿式高增益低漂移放大器

本文报道了一种高增益、低漂移的前置放大器，它利用取样保持的方法，实现了运算放大器失调和温漂的自我补偿，从而实现了高增益、低漂移设计思想。实测结果表明，在放大器增益为６０ｄＢ，输入信号为０～５ｍＶ时，输大失调电压为２μＶ，输入温漂为０．２μＶ／℃，非线性误差为０．１６％。     

耦合器对掺铒光纤放大器增益谱的修正及模拟

根据陷波滤波器均衡法的原理，用光无源器件耦合器来修正掺铒光纤放大器增益谱线的不平坦，并探索出一种可以方便快捷地得到耦合器相关参数的方法。利用该方法可以对任何一个掺铒光纤放大器的增益谱进行优化设计，从而得到耦合器的相关参数，使得通过耦合器后的掺铒光纤放大器增益谱线的起伏小于给定阈值。     

半均匀频率依变损耗宽带匹配网络的机助综合

对于微波集成电路与单片微波集成电路中由两类集总参数元件(电感和电容) 所构成的宽带匹配网络,提出了一种新的机助综合方法,该法计及元件的频率依变损耗,使综合结果的增益特性更接近于实际能够达到的性能,尤其适用于单片微波集成电路宽带放大器的设计。这一方法思路明晰便于工程应用。     

一种高性能低功耗两级全差分运算放大器设计

分析并设计了一种高速、高增益、低功耗的两级全差分运算放大器.该运算放大器用于高速高精度模数转换器中.运算放大器第一级采用增益自举cascode结构获得较大的直流增益,采用2个新的全差分运算放大器替代传统的4个单端运算放大器作为增益自举结构.该放大器采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计,电源电压1.8 V,直流增益125 dB,单位增益带宽300 MHz(负载3 pF),功耗6.3 mW,输出摆幅峰峰值达2 V.     

一种高共模输入范围高输出电压摆幅的CMOS运算放大器

本文报道了一种具有高共模输入范围和高输出电压摆幅的ＣＭＯＳ运算放大器。为了达到高的共模输入电压范围，使用了互补差分对。输出级采用了ＡＢ类推挽输出以获得高的输出摆幅。计算机模拟结果表明，运算放大器具有７３ｄＢ的开环增益。在电源电压为±５Ｖ时，负载电阻为１０ｋΩ，输出电压摆幅为±４．８Ｖ。     

一种基于电阻型光耦可变增益放大器设计

采用改变电阻来控制放大器增益的方法,介绍了一种基于电阻型光耦的可变增益放大器的设计方式。通过实测,增益变化具有较高的线性度。     

一种新型低功耗CMOS运算放大器

本报道了一种新型的低功耗ＣＭＯＳ运算放大器。放大器设计ＭＯＳＦＥＴ在弱反型区工作，从而在较低功耗下获得较高增益。计算机模拟结果表明，在电源电压为±３Ｖ时，该ＣＭＯＳ运算放大器的开环增益可达９６ｄＢ，静态功耗为８０μＷ。     

毫米波单片低噪声放大器的研制

采用OMMIC0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了两级和三级2种毫米波单片低噪声放大器.以最小噪声度量为设计依据,通过适当提高偏置电流的方法改善毫米波频段的增益,使得放大器在保持噪声系数较小的同时获得较高的增益.两级低噪声放大器采用串联负反馈结合并联负反馈的结构,可以获得比较平坦的增益;三级低噪声放大器采用三级相似的串联负反馈结构级联,可以紧凑结构、在相同的芯片尺寸下获得较高的增益,2种低噪声放大器芯片的尺寸均为1.5mm×1.0mm.测试结果表明,在28~40GHz频段内,两级低噪声放大器增益最大为15.4dB、噪声系数最小为3.2dB;三级低噪声放大器增益最大为24.8dB、噪声系数最小为2.73dB,达到预期目标.     

增益钳制半导体光放大器的实验研究

为了提高半导体光放大器（SOA）的3dB饱和输出功率和稳定增益，用外腔反馈的方法在普通半导体光放大器的增益谱边缘引入一个钳制激光振荡，研制了增益钳制半导体光放大器（GC－SOA），对其阈值特性，增益特性及开关特性进行了实验研究，结果表明，通过在SOA的增益谱边缘引入钳制激光，稳定了SOA的增益，使SOA的饱和输出功率提高了4dB.     

Nelder-Mead单纯形法对微波FET低噪声放大器的优化

本文提出了对微波FET放大器兼顾增益、驻波比、低噪声的目标函数表达式。采用Nelder-Mead单纯形法优化,进行计算机辅助设计。优化实例中的计算结果经用户加工使用和生产实践,效果良好。     

微波晶体管放大器CAD

提出了一种新的设计微波晶体管放大器的电路模型，给出了通用优化设计程序，利用该程序分别设计了宽频带放大器，高增放大器及低噪声放大器。