基于极化不敏感超材料的类电磁诱导透明特性研究

设计了一种由4条金属直线和1个圆环构成的类电磁诱导透明超材料，当电磁波垂直入射到该超材料表面时，其具有水平极化和垂直极化不敏感特性。仿真了超材料的传输曲线特性，以及其表面电流分布特点，计算了相位传输曲线和群折射率，并对其介电常数传感特性进行了分析。计算所得群折射率最大值可达380，说明该超材料可用于制作慢光器件。用于制作传感器时，其D_FOM值约为20.13，与前人所设计的传感器相比，具有较高的灵敏特性。研究结果表明，该超材料在制作慢光器件和传感器件方面具有一定的应用价值。     

碳纳米管光伏器件的研究进展

碳纳米管（CNT）具有优异的电学特性和独特的一维纳米结构，是制作光伏器件的良好材料.文中介绍了单根/多根CNT光伏器件、CNT薄膜光伏器件、CNT 有机光伏器件、杯状叠层CNT光伏器件等典型CNT光伏器件，并阐述了这些CNT光伏器件的结构及特性，分析了CNT在器件中的作用.     

《磁光材料及其应用》简评

山东聊城师范学院于含云、孟晓雷二同志所编著的《磁光材料及其应用卜书，内容新颖、章节分明、撰写严谨，即有先进性又有广泛性，理论深度较高，该书的出版无疑对我国所从事固体物理、磁学、光学和磁光材料及器件的科研、工程技术人员提供了一部实用性强参考价值大的专门理论著作．对我国磁光材料的发展具有重要的现实意义·该书不仅详细介绍了磁光材料、磁光器件的基础知识和发展现状，更重耍的是对磁光材料的各种生长方法、生长技术以及磁光理论均做出了开创性的论述，对磁光材料的生R机理给出了定量解释·书中对接饬、掺钢稀土石榴石磁…     

光通信器件的发展历史、现状与趋势

 从行业和技术的角度概述了光通信器件的发展现状,介绍了中国光通信器件的发展水平,分析了中国光通信器件与国际领先水平的差距。分析表明,光集成技术是未来光器件的主流发展方向,Ⅲ-Ⅴ族材料和硅基材料被业界普遍看作未来光集成技术的两大阵营,将改变光器件的设计和未来。     

位置敏感器件(PSD)的杂光干扰研究

光电位置敏感器件（ＰＳＤ）是一种可直接对其光敏面上的光斑位置进行检测的光电器件，基于ＰＳＤ可构成多种非接触的高精度动态位移监测仪器。在ＰＳＤ器件使用中的一个关键问题是如何克服各种杂光干扰，以提高检测的精度和可靠性。根据ＰＳＤ的原理及其特征方程，分析了杂光在ＰＳＤ上的两类作用模式，并根据ＰＳＤ特征方程推导了存在杂光干扰时ＰＳＤ输出信号与杂光的关系，及杂光导致的位置误差方程。根据上述推导，文章给出了３种克服杂光干扰的实用方法。     

Luminescence Property of Phosphor Gd 3Ga 5O 12 :Ag

采取在不同的温度下烧结不同的时间方法制备了一种新型的兰色发学材料,用Ｘ光衍射对材料的结构进行了分析．并利用电子束蒸发的方法制备该材料的薄膜电臻发光器件．对该器件进行了光致发光,电致发光,亮度电压等发光性质进行了测试．得出器件亮度大约为２尼特     

Gd3Ga5O12：Ag材料的发光性质

采取在不同的温度下烧结不同的时间方法制备了一种新型的兰色发光材料,用Ｘ光衍射对材料的结构进行了分析,并利用电子束蒸发的方法制备该材料的薄膜电臻发光器件,对该器件进行了光致发光,电致发光,亮度电压等发光性质进行了测试,得出器件亮度大约为２尼特。     

半导体材料范畴的界定

将半导体材料定义为广义半导体材料和狭义半导体材料2类,分别介绍了其各自范畴。提供了全球主要广义半导体材料厂商名录,分析了广义半导体材料在集成电路芯片制造中的占比情况及国产化率情况;对狭义半导体材料按材料组分、结晶状态、禁带宽度、光电子器件应用及微电子器件应用列举了常见的5种划分方法,并指出狭义半导体材料以代系划分仅限于微电子器件用,且其各有不同的应用领域,不完全是替代关系。     

基于加载条形光波导结构的聚合物热光开关

为解决有机/ 无机杂化材料薄膜厚度较薄且难加工等问题, 设计并制作了一种基于加载条形光波导结构 的 MZI(Mach-Zehnder Interferometer)型快速、 低功耗热光开关器件。 聚合物材料具有较低的热导率和较大的热 光系数, 能有效降低器件的功耗, 以热导率相对较大的 SiO 2 的衬底作为下包层, 可有效加快器件响应时间。 采用热光系数较大的有机/ 无机杂化材料 DR1/ SiO 2 -TiO 2 作为波导芯层, 以聚甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸环 氧丙酯的共聚物(P(MMA-GMA): Poly-Methyl-Methacrylate-Glycicly-Methacrylate)作为加载条波导, 以聚甲基丙 烯酸甲酯(PMMA: Polymethyl Methacrylate)作为波导上包层, 设计了热光开关器件。 采用 COMSOL 软件模拟了 器件的光场和热场分布, 采用微加工工艺并结合光漂白技术进行了开关器件的制备。 并在 1 550 nm 工作波长 下测试开关器件的性能。 可在缩短器件响应时间的同时降低器件的功耗, 驱动功率为 9. 2 mW, 消光比为 21. 2 dB, 开关的上升、 下降时间分别为 152. 8 滋s 和 180. 0 滋s。     

有机发光器件光输出效率分析

本文对以MEH-PPV为发光层发光器件的光输出特性进行了研究,在考虑发光层的吸收及不同的波长情况下对器件的光输出进行了数值模拟,并在此基础上对器件进行改进.经过比较,改进后的器件提高了光的透射率和最大发光角.将此方法与Garbuzov等人设计的器件进行结合,计算得出结合后的器件比原器件的光能输出提高了约30%.     

TFEL of Ce3+ in zine sulpho-oxide

A new TFEL material ZnS_xO_1−x: Ce³⁺ is prepared. The EL brightness of ZnS_xO_1−x: Ce³⁺ is at least one order higher than that of ZnS: Ce³⁺ at the same doping concentration of Ce³⁺. The EL emission wavelength of ZnS_xO_1−x: Ce³⁺ (X = 0.5) ranges from 400 to 600 nm. The emission of ZnS_xO_1−x: Ce³⁺ may be used as the blue part of white TFEL.     

TFEL系统中一种新的发光现象

在我们的实验中发现ＴＦＥＬ器件中有一种新的发光现象。在一定工艺条件下制成ＺｎＳ：ＥｒＦ３的样品中有两次亮度跃升。在第二次亮度跃升中器件的光谱发生明显的变化．Ｅｒ３＋的５２８５的绿光在第二次跃升中变化两个数量级，而兰光和红光却没有发生这种突变，我们认为这种第二次突变可能与在高场下ＥＬ中有较多电子达到较大能量有关。     

溅射法制备硫化锌薄膜的探索

利用射频磁控溅射法制备硫化锌薄膜，用Ｘ射线衍射、透射电镜、研究薄膜的结构相变，揭示了硫化锌薄膜的微观结构和相变特征．     

ZnS:TmF3薄膜电致发光特性的研究

为了提高蓝色薄膜电致发光器件(TFEL)的发光亮度,自行配制了氟化铥(TmF3),并制备了以ZnS:TmF3为发光层的薄膜电致发光器件,研究了TmF3的掺杂浓度对ZnS:TmF3 发光器件发光特性的影响.实验结果显示,当掺杂浓度为1.2%mol时,发光亮度最强.     

橙黄色电致发光器件发光特性的研究

本文叙述了橙黄色薄膜电致发光器件(TFEL)和采用陶瓷厚膜作为绝缘层、ZnS:Mn作为发光层的橙黄色陶瓷厚膜电致发光器件(CTFEL).测量了器件的电致发光光谱和亮度-电压曲线,研究了效率-电压等特性.     

NH_4I气氛制备ZnS:Cu,Mn ACEL粉末

本文研究了ZnS:Cu,Mn ACEL粉末的亮度灼烧温度及Cu含量的关系.研完了材料的PL和EL光谱。通过对材料的退火处理,改善了材料的老化性能,制作的橙色发光屏在50Hz,220V条件下激发,经过1千小时后,亮度仍能达到8cd/m~2以上,可满足实用要求。     

激活剂对粉末电致发光材料发光性能的影响

采用掺杂2种激活剂制备了粉末电致发光材料ZnS:Cu,Au,发现激活剂Cu+,Au+的掺杂量对材料亮度有较大影响.当掺入激活剂Au+与基质ZnS的质量比为0.05%,而掺入Cu+的量比达到0.29%时,得到了在400 Hz,150 V激发下,亮度可达105 cd/m2的绿色电致发光材料.通过光谱分析发现,掺杂后并没有改变发光材料的颜色.同时,用扫描电子显微镜(SEM)对ZnS:Cu,Au颗粒进行了尺寸和形貌表征.     

水热法制备ZnS:Mn纳米晶体及其发光特性

研究了水热法(200°C)制备的不同浓度Mn掺杂ZnS纳米晶体发光特性。所合成样品为10～16 nm的立方相纤锌矿结构,随着Mn掺杂浓度的增加,PL光谱峰值产生了红移。在摩尔比为10 ％ Mn掺杂时PL发光最强。讨论了样品的发光机理,计算了晶体场强度,同时观察到摩尔比为10 ％ Mn掺杂样品发出白光,说明其在白光LED及全色荧光粉中具有潜在的应用价值。     

硫代水杨酸修饰的CdSe/ZnS纳米晶的合成及应用研究

以硫代水杨酸作为修饰剂,合成了水溶性的CdSe/ZnS纳米晶.合成最佳条件为:CdSe与包覆层ZnS摩尔比为1∶8,pH值为11.00、回流时间为45 min、回流温度为80℃.从透射电子显微镜看到该纳米晶外观是独特的树枝形;紫外吸收光谱和荧光光谱表明CdSe/ZnS纳米晶比单一的CdSe纳米晶具有更好的发光特性;荧光强度在3个月内变化不大.在最佳实验条件下,将合成的CdSe/ZnS与牛血清白蛋白(BSA)作用,测得体系相对荧光强度与BSA质量浓度呈线性关系,线性响应范围为2.56～15.0 mg/L,线性方程为ΔF=101.17C-11.29(C为BSA质量浓度,单位是mg/L),R=0.996 2,检出限为0.64 mg/L.