受激喇曼散射

本文以受激喇曼散射问题为中心,对非线性光学、受激喇曼散射、元激发的受激喇曼散射及喇曼散射的应用(包括喇曼激光器,喇曼光谱分析,产生近10~(-14)秒的超短脉冲以及在研究分子动力学方面的应用)等作了初步介绍。     

a-C:H膜及其退火的激光喇曼光谱研究

用高频阴极辉光放电沉积在控制基片温度来制备氢化非晶态碳(a—C:H)膜,退火温度上升到600℃,这些膜的喇曼光谱在波区1000～1800cm~(-1)进行的,a-C:H膜的喇曼光谱是一个非对称的简单的谱带。随着退火温度的升高,a—C:H膜出现两个峰值,也观察了金刚石和天然石墨的喇曼光谱,这些光谱与现代研究的模型进行了讨论,其结果认为非晶态碳具有三次配位和四次配位原子的网状结构模型相一致。     

TGS和掺杂磷酸TGS晶体的喇曼光谱

本文报导TGS和P晶体于室温下,在20—2000cm~(-1)波数范围内的喇曼散射光谱测量结果,并将得到的振动模式进行分类和标定,其中TGSP晶体的喇曼光谱是本文首次报导。     

E_u~+注入单晶硅经快速热退火后的喇曼光谱研究

喇曼光谱及扫描镜徽区形貌象说明,E_u~+注入(注入能量350Kev,注入剂量2×10~(15) cm~(-2) )n 型单晶硅后,在表面可形成一连续非晶层.经过895℃快速热退火(RTA)可以消除注入损伤,Si 损伤区恢复完整;当快速退火温度为1285℃时,在硅表面存在 E_u 的表面偏析及表面增强喇曼散射(SERS)现象,我们对增强机理进行了讨论.     

Li_2NH_4(IO_3)_3单晶的喇曼光谱研究

本文报道了水溶液法生长的Li_2NH_4(IO_3)_3单晶体在室温下的喇曼光谱,在728cm~(-1)处喇曼散射效率很高,说明此种材料有可能用来制作喇曼频移器。3123cm~(-1)处的谱线对应于NH~(+4)基团的伸缩振动。     

PS激光泵浦高压H_2的受激喇曼散射研究

利用脉宽20ps、脉冲序列能量约40mJ的锁模Nd:YAG线偏激光泵浦高压氢,在365至605nm范围内获得的70余条受激喇曼散射(SRS)谱线.经分析,这些谱线分别与氢的振动喇曼频移4156cm~(-1)和4144.2cm~(-1)的一些反斯托克斯(AS)谱线及由它们激励产生的各阶转动SRS谱线(转动喇曼频移为587cm~(-1))相对应.     

用激光喇曼光谱分析研究半导体中杂质

用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空间分辨力(几个μm~2),而且共振杂质喇曼散射有极高的检测灵敏度,可达10~(-9)的数量级。     

乙酰丙酮-meso-四-对氯苯基卟啉稀土络合物的共振喇曼光谱和红外吸收光谱

用4579和5145激发线测得10个稀土乙酰丙酮-meso-四-对氯苯基卟啉[简称M(p-C1)TPPacac,M=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Yb,Lu]的共振喇曼光谱,对其共振喇曼光谱特性和结构进行了讨论,同时测试研究了这些络合物在1700～400cm~(-1)范围内的喇曼和红外吸收光谱。     

锑化铟(InSb)中自旋反转受激喇曼散射

在外磁场下,入射激光光束通过n型锑化铟(InSb)晶体,引起导带朗道能级内电子自旋方向的反转,产生受激喇曼散射。斯托克斯受激喇曼散射光输出频率为:ω_s=ω_o-gμ_BB,其中ω_o为入射泵浦光频率,μ_B为波尔磁子,B为磁场强度,g为InSb中导带电子的有效g因子。在InSb中,由于窄禁带宽度和强的自旋轨道耦合,使有效g因子值大达50,这意味着散射光的频率能在较大范围内磁调谐。自旋反转喇曼散射作为可调谐的红外辐射源的研究和应用,近来在国际上受到了重视。     

α—AlPO_4晶体喇曼光谱的研究

本工作对α—AlPO~4晶体在多种几何配置下的喇曼光谱进行了测试分析,识别了它的全部喇曼活性模,其中识别了A_1类声子的437cm~(-1)模,并对有争议的1040、745、1098、1130cm~(-1)模作出了明确认定。我们还采用圆柱体样品,对异常声子的方向色散进行了研究,实验结果与理论计算相符合。     

X_i~-(Pb~ )色心的偏振喇曼测量和BT分析

对KBr:Pb~(2 )、KCl:Pb~(2 )和RbCl:Pb~(2 )单晶中的低频喇曼信号进行了偏振喇曼测量。偏振喇曼数据的BT分析表明,上述单晶中观察到的22,30和28cm~(-1)信号对应的点缺陷同属于C_(3v)点群。据此提出了与这些低频信号对应的X_1~-(Pb~ )色心的结构模型。     

YBa_2Cu_3O_(7—δ)超导样品的喇曼光谱

本文对YBa_2Cu_3O_7-δ超导样品及经“淬火”处理后样品的喇曼光谱进行了分析,得到超导相Cu—O键的剌曼活性模为335,440和492cm~(-1),它们分别对应于Cu(2)-O(2)键在a方向上、Cu(2)—O(3)键在b方向上的反对称拉伸振动及Cu(l) O(l)键在c方向上对称拉伸振动。     

BaWO4晶体的喇曼光谱分析

采用群论的方法分析了BaWO4晶体的对称性分类，得到36个简正模，与BaWO4晶体的运动自由度相等，其中有18支喇曼活性光学膜. 实验中， 采用X(ZZ)，X(YY)，Z(XY)和X(YZ)配置获得了Ag, Ag＋Bg, Bg, Eg振动模，共观测到10支喇曼峰，并对观测到的各个配置的喇曼峰进行了指认，其中X(ZZ)配置的921?cm-1（υ1）处的喇曼峰强度最强，频移最大，线宽较窄，容易获得较高的喇曼增益，是喇曼激光器设计中的首选谱线，为喇曼激光器的设计提供了理论指导.     

KBr单晶中V_k心的喇曼散射

报道经大剂量 x 辐射后溴化钾单晶的喇曼测量结果.除 F 心信号外,首次观察到一个喇曼频移为147cm~(-1)的信号.这一信号被指认为 V_k 心的非弹性散射.     

高级受激喇曼散射的观察

本文报导了苯的高级受激喇曼实验;分别用调Q及锁模红宝石激光激发苯液体,用摄谱仪拍摄受激喇曼谱线,观察到苯的最强喇曼线Δν=992cm~(-1)的五级斯托克斯线,并观察到四级反斯托克斯线。测量了喇曼线的能量转换效率,观察了光束花样。发现在苯的多级斯托克斯线的强度分布上存在着“级跳”现象。     

HPLC电化学检测法测定制药厂废水中硫脲和硫

本文建立了反相离子对液相色谱-电化学检测法同时测定制药厂废水中的硫脲和硫.流动相为10%甲醇+2.0mmol/L四丁基溴化铵(TBABr)+0.02ommol/L EDTA·2Na+0.01mol/LNaH_2PO_4缓冲溶液(pH5.5),流速为1ml/min,柱温40℃,检测电位.5V(vs,Ag/AgCl).工作曲线的线性范围是0—120,μg/ml,检出限为硫脲18μg/L、硫1.5μg/L.样品测定的回收率在97—104%范围内.     

OPFIRL中超喇曼过程的电偶极跃迁增强效应

利用超喇曼过程,可以获得在一定范围内频率准连续可调的亚毫米波激光;证实在红外—微波双光子泵浦亚毫米波激光的超喇曼过程中存在电偶极跃迁增强效应,利用这种效应,有可能提高超喇曼激光器的效率。     

苯硫酚在银衬底上的吸附取向研究

用表面增强喇曼光谱(SERS)研究了苯硫酚在银衬底上的吸附取向,并用扫描电子显微镜(SEM)研究了银粒子在衬底上的形貌特征.结果表明,苯硫酚通过硫原子和银衬底之间形成了银硫键,以倾斜方式吸附于衬底上,使得苯环和衬底之间存在一定程度的相互作用.     

用喇曼光谱研究半导体带隙和合金组分

阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(3c))附近的2TA和2TO双声子共振特性。实验表明共振喇曼散射可以测定半导体的直接带隙和间接带隙。     

铯原子蒸汽中6S-5D跃迁的受激电子喇曼散射

本文报导染料激光在碱金属中通过受激喇曼变换所产生的相干红外辐射。对铯的6S-5D(J=3/2,5/2)跃迁(14597cm~(-1),14499cm~(-1)斯托克斯位移)进行了研究。同时还观测到许多光抽运受激发射线。