PS激光泵浦高压H_2的受激喇曼散射研究

利用脉宽20ps、脉冲序列能量约40mJ的锁模Nd:YAG线偏激光泵浦高压氢,在365至605nm范围内获得的70余条受激喇曼散射(SRS)谱线.经分析,这些谱线分别与氢的振动喇曼频移4156cm~(-1)和4144.2cm~(-1)的一些反斯托克斯(AS)谱线及由它们激励产生的各阶转动SRS谱线(转动喇曼频移为587cm~(-1))相对应.     

X_i~-(Pb~ )色心的偏振喇曼测量和BT分析

对KBr:Pb~(2 )、KCl:Pb~(2 )和RbCl:Pb~(2 )单晶中的低频喇曼信号进行了偏振喇曼测量。偏振喇曼数据的BT分析表明,上述单晶中观察到的22,30和28cm~(-1)信号对应的点缺陷同属于C_(3v)点群。据此提出了与这些低频信号对应的X_1~-(Pb~ )色心的结构模型。     

α—AlPO_4晶体喇曼光谱的研究

本工作对α—AlPO~4晶体在多种几何配置下的喇曼光谱进行了测试分析,识别了它的全部喇曼活性模,其中识别了A_1类声子的437cm~(-1)模,并对有争议的1040、745、1098、1130cm~(-1)模作出了明确认定。我们还采用圆柱体样品,对异常声子的方向色散进行了研究,实验结果与理论计算相符合。     

溶于亚硫酰氯中的硫

激光喇曼光谱表明,稳定态的硫在亚硫酰氯中仍以D_(4d)构型的八员环分子存在。其较强的喇曼散射带为153,218,451和479cm~(-1)。在-7℃—+13℃的温度区,硫在亚硫酰氯中的溶解度为0.72g—2.75g/100g SOCl_2。溶解焓变为24.1kJ/mol。     

乙酰丙酮-meso-四-对氯苯基卟啉稀土络合物的共振喇曼光谱和红外吸收光谱

用4579和5145激发线测得10个稀土乙酰丙酮-meso-四-对氯苯基卟啉[简称M(p-C1)TPPacac,M=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Yb,Lu]的共振喇曼光谱,对其共振喇曼光谱特性和结构进行了讨论,同时测试研究了这些络合物在1700～400cm~(-1)范围内的喇曼和红外吸收光谱。     

TGS和掺杂磷酸TGS晶体的喇曼光谱

本文报导TGS和P晶体于室温下,在20—2000cm~(-1)波数范围内的喇曼散射光谱测量结果,并将得到的振动模式进行分类和标定,其中TGSP晶体的喇曼光谱是本文首次报导。     

铯原子蒸汽中6S-5D跃迁的受激电子喇曼散射

本文报导染料激光在碱金属中通过受激喇曼变换所产生的相干红外辐射。对铯的6S-5D(J=3/2,5/2)跃迁(14597cm~(-1),14499cm~(-1)斯托克斯位移)进行了研究。同时还观测到许多光抽运受激发射线。     

YBa_2Cu_3O_(7—δ)超导样品的喇曼光谱

本文对YBa_2Cu_3O_7-δ超导样品及经“淬火”处理后样品的喇曼光谱进行了分析,得到超导相Cu—O键的剌曼活性模为335,440和492cm~(-1),它们分别对应于Cu(2)-O(2)键在a方向上、Cu(2)—O(3)键在b方向上的反对称拉伸振动及Cu(l) O(l)键在c方向上对称拉伸振动。     

KBr单晶中V_k心的喇曼散射

报道经大剂量 x 辐射后溴化钾单晶的喇曼测量结果.除 F 心信号外,首次观察到一个喇曼频移为147cm~(-1)的信号.这一信号被指认为 V_k 心的非弹性散射.     

高级受激喇曼散射的观察

本文报导了苯的高级受激喇曼实验;分别用调Q及锁模红宝石激光激发苯液体,用摄谱仪拍摄受激喇曼谱线,观察到苯的最强喇曼线Δν=992cm~(-1)的五级斯托克斯线,并观察到四级反斯托克斯线。测量了喇曼线的能量转换效率,观察了光束花样。发现在苯的多级斯托克斯线的强度分布上存在着“级跳”现象。     

KBr∶Pb~(2+)单晶喇曼谱的温度演化及其机制

在液氮温度下对 x 射线辐照后的 KBr:Pb~(2+)单晶进行了喇曼研究.锻烧实验发现频移为161cm~(-1)和275cm~(-1)信号存在着温度相关现象.在绝对温度77K时161cm~(-1)信号占绝对优势,275cm~(-1)信号强度很弱.在锻烧温度为230K 时,161cm~(-1)信号变得极弱,而275cm~(-1)信号占绝对优势.161cm~(-1)和275cm~(-1)信号被分别指认为 KBr:Pb~(2+)单晶中的 Br_~-和 Br_~-色心的非弹性散射.     

BaWO4晶体的喇曼光谱分析

采用群论的方法分析了BaWO4晶体的对称性分类，得到36个简正模，与BaWO4晶体的运动自由度相等，其中有18支喇曼活性光学膜. 实验中， 采用X(ZZ)，X(YY)，Z(XY)和X(YZ)配置获得了Ag, Ag＋Bg, Bg, Eg振动模，共观测到10支喇曼峰，并对观测到的各个配置的喇曼峰进行了指认，其中X(ZZ)配置的921?cm-1（υ1）处的喇曼峰强度最强，频移最大，线宽较窄，容易获得较高的喇曼增益，是喇曼激光器设计中的首选谱线，为喇曼激光器的设计提供了理论指导.     

铷蒸汽中的受激电子喇曼散射和光学抽运受激发射

通过 Rb 蒸汽中5S-6S 受激电子喇曼散射获得了在3626 cm~(-1) 附近可调谐的红外输出,还观察到了许多光学抽运受激发射谱线。     

a-C:H膜及其退火的激光喇曼光谱研究

用高频阴极辉光放电沉积在控制基片温度来制备氢化非晶态碳(a—C:H)膜,退火温度上升到600℃,这些膜的喇曼光谱在波区1000～1800cm~(-1)进行的,a-C:H膜的喇曼光谱是一个非对称的简单的谱带。随着退火温度的升高,a—C:H膜出现两个峰值,也观察了金刚石和天然石墨的喇曼光谱,这些光谱与现代研究的模型进行了讨论,其结果认为非晶态碳具有三次配位和四次配位原子的网状结构模型相一致。     

四（对硝基苯）卟啉对二甲基甲酰胺的CARS信号增强效应

首次发现二甲基甲酰胺(DMF)溶液在添加适量的四(对硝基苯)卟啉(PNNNN)后,其865cm~(-1)处的Raman振动模所对应的CARS(相干反斯托克斯喇曼散射)光谱信号有明显的增强效应.从实验和理论两方面探讨了添加剂浓度变化对这种光谱信号增强效应的影响,并在四波混频理论的基础上,对上述增强效应的产生机理做了较细致的定性分析。     

受激喇曼散射

本文以受激喇曼散射问题为中心,对非线性光学、受激喇曼散射、元激发的受激喇曼散射及喇曼散射的应用(包括喇曼激光器,喇曼光谱分析,产生近10~(-14)秒的超短脉冲以及在研究分子动力学方面的应用)等作了初步介绍。     

晶体 C(?)MnCl_3,CsMgCl~3:Mn~(2 )吸收光谱及 g 因子研究

从晶体CsMnCl_3 及CsMgCl_3:Mn~(2 )的实际对称性——D_(3d)点群对称出发,采用赵敏光等提出的络合物中Mn~(2 )离子的SCF d_轨道,研究了CsMnCl_3中Mn~(2 )的电子能级和吸收光谱.解释了在18000cm~(-1),18610cm~(-1);21870cm~(-1),23110cm~(-1);26885cm~(-1),27686cm~(-1);30740cm~(-1),31208cm~(-1)等处的分裂是低对称畸变晶体场而产生。并考虑到微扰三级项对Mn~(2 )离子g 因子的贡献,计算了CsMgCl_3:Mn~(2 )晶体的g 因子,g"=2.0022,g(?)=2.0020(实验值g"=2.0017±0.0004;g(?)=2.0016±0.0004),从而解释了引起该类晶体中g 因子微小变化的原因。     

E_u~+注入单晶硅经快速热退火后的喇曼光谱研究

喇曼光谱及扫描镜徽区形貌象说明,E_u~+注入(注入能量350Kev,注入剂量2×10~(15) cm~(-2) )n 型单晶硅后,在表面可形成一连续非晶层.经过895℃快速热退火(RTA)可以消除注入损伤,Si 损伤区恢复完整;当快速退火温度为1285℃时,在硅表面存在 E_u 的表面偏析及表面增强喇曼散射(SERS)现象,我们对增强机理进行了讨论.     

KCl:Pb~(2+)单晶中的低频喇曼信号及相应的点缺陷

在绝对温度77K经x射线辐照后的KCl:Pb~(2+)单晶中观察到一个频移为30cm~(-1)的低频喇曼信号.结合测量信号强度随x射线辐照时间的变化及F带光对相应的点缺陷的影响,推断这一低频信号可能起因于被杂质铅稳定的填隙氯离子的局域振动.     

用激光喇曼光谱分析研究半导体中杂质

用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空间分辨力(几个μm~2),而且共振杂质喇曼散射有极高的检测灵敏度,可达10~(-9)的数量级。