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本文介绍在N型InSb中用可调谐CO和CO_2激光器进行价带或受主杂质能级电子跃迁到导带所引起的束缚电子带间法拉第效应的实验研究,实验分析指出在CO_2激光器的10.6μ和9.6μ波段,对于较低的载流子浓度的样品,测量得到的法拉第旋转角是有两部分组成,是取正值的自由载流子造成的旋转角与取负值的束缚电子造成的带间法拉第旋转角之和。用CO激光器的5.3μ波段,由于光子能量接近77K和20K时InSb禁带宽度相应的能量,可以观察到带间法拉第效应的谐振现象,和BHL理论公式的计算结果相符,初步观察了带间法拉第旋转角随磁场变化的振荡曲线。 相似文献
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在外磁场下,入射激光光束通过n型锑化铟(InSb)晶体,引起导带朗道能级内电子自旋方向的反转,产生受激喇曼散射。斯托克斯受激喇曼散射光输出频率为:ω_s=ω_o-gμ_BB,其中ω_o为入射泵浦光频率,μ_B为波尔磁子,B为磁场强度,g为InSb中导带电子的有效g因子。在InSb中,由于窄禁带宽度和强的自旋轨道耦合,使有效g因子值大达50,这意味着散射光的频率能在较大范围内磁调谐。自旋反转喇曼散射作为可调谐的红外辐射源的研究和应用,近来在国际上受到了重视。 相似文献
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