铕镝离子掺杂锆酸钡纳米晶的制备及发光性质

采用溶胶-凝胶-燃烧法在700℃和较短的煅烧时间下制备了钙钛矿结构的BaZrO3纳米晶,对产物进行不同摩尔浓度的Eu3+、Dy3+掺杂,并对产物的发光性质进行了研究.结果表明:Eu3+掺杂的BaZrO3样品具有5D0→7F1(595 nm)和5D0-7F2(615 nm)的强电子吸收,且在Eu3+掺杂摩尔浓度为5%附近...     

DGO单晶的生长、结构和光学性质

一、引言 不久以前,我们曾发现NH_2CH_2COOH可与H_2C_2O_4结合形成NH_2CH_2COOH·H_2C_2O_4单晶,简称GO。在NH_2CH_2COOH—H_2C_2O_4—H_2O体系中,通过进一步研究,我们又发现了     

一种有机新晶体——GO单晶的生长、结构及光学性质

NH_2CH_2COOH是一种较活泼的有机化合物。据报道,它可以与H_2SO_4,H_2BeF_4,AgNO_3,HNO_3,CaCl_3等化合物形成单晶。最近,我们首次发现NH_2CH_2COOH还可以与H_2C_2O_4化合形成一种新化合物——甘氨酸草酸盐(分子式为NH_2CH_2COOOH·H_2C_2O_4,简称GO)。GO单晶的培育及其性能在文献中均未见报道.本文简要报道了这种有机新晶体的生长、结构及其光学性质。     

焰熔法生长LaAlO_3晶体的介电性质研究

报道 LaAlO_3晶体的焰熔法生长及其介电性质.所生长晶体的最大尺寸达Φ15×25mm~3.LaAlO_3晶体具有六方结构,晶胞参数为a=b=5.36■,c=13.11(?).晶体在室温下介电常数为24.2,介电损耗小于5×10~(-4)(10kHz).     

掺杂均匀ATGSAs单畴晶体的生长

通过观察晶体的畴结构和测量晶体的铁电,热电,介电性能,确定了ATGSAs 晶体的畴结构,性能和生长条件之间的关系,并利用定向生长技术,成功地培育出了大面积掺杂均匀的 ATGSAs 单畴晶体,已用来制出高质量的热释电摄象管和探测器。     

Li_2NH_4(IO_3)_3单晶的喇曼光谱研究

本文报道了水溶液法生长的Li_2NH_4(IO_3)_3单晶体在室温下的喇曼光谱,在728cm~(-1)处喇曼散射效率很高,说明此种材料有可能用来制作喇曼频移器。3123cm~(-1)处的谱线对应于NH~(+4)基团的伸缩振动。     

γ—甘氨酸单晶的生长及其光学性质

本文报导了从 NH_2CH_2COOH-H_2C_2O_4—H_2O 体系中生长γ-甘氨酸单晶的实验研究。当溶液中3.6相似文献   

碘酸钾(KIO_3)大单晶的生长

碘酸钾(KIO_3)单晶是一种具有良好的压电、热释电、电光及非线性光学性质的多功能复合材料。特别是有很大应用前景的非线性光学性质,更为许多理论与实验工作者所重视。然而,如何得到光学