静压下ZnSe/Zn1-xCdxSe应变异质结中电子的本征态

运用三角势近似且计入电子向势垒的隧穿,通过数值计算方法求解定态薛定谔方程,研究流体静压力影响下有限深势垒ZnSe/Zn1-xCdxSe应变异质结中电子的本征态问题,讨论了其基态、第一激发态和第二激发态本征能量及相应的各级本征函数,同时与无应变的情形进行了比较分析.数值计算结果表明,应变使电子的能级降低,能级间距减小,且导致波函数的隧穿几率增加.静压效应显著降低能级和能级间距.因此,讨论电子在应变型异质结构中的散射问题时,需要计入材料间由于晶格不匹配而产生的应变效应的影响.     

界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

利用电容－电压（C－V）测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属－氧化物－半导体（MOS）电容结构的电荷存储特性的影响,研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2/Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用,长时间存储模式下的电荷存储行为主要是由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2/Si衬底界面态决定。     

用DLTS技术研究MNOS结构界面陷阱

提出利用深能级瞬态谱技术ＭＮＯＳ结构中界面陷阱的分布，阐述了并建立了ＭＮＯＳ结构ＤＬＴＳ存储峰和界面态峰的解析理论，并给出区分这两个谱峰的实验方法，并研制的ＭＯＮＳ结构进行的ＤＬＴＳ描述了理论结果，所获得的存储陷阱和界面态的分布规律与应用热少许电流谱和保留特性方法交     

深能级瞬态谱仪样品台系统的改进

深能级瞬态谱仪能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态,经过全面的数据分析,可以确定杂质和缺陷的类型、含量、陷阱密度、随深度的分布、陷阱上载流子的激活能以及陷阱中心对自由载流子的俘获截面信息等。在使用过程中存在温度控制不理想、样品架不稳定两大问题。通过对深能级瞬态谱仪样品台系统的相关部分进行改进和改造,解决了上述问题,提高了实验的准确度,提高了实验效率,拓宽了测试样品的种类。     

ZnO压敏陶瓷中的原子缺陷和界面电子态研究

分析指出耗尽层内施主浓度Nd、界面受主态密度Ns和界面能级深度Es是影响ZnO压敏陶瓷电性能的重要参数 .Nd与体内原子缺陷有关 ,室温下主要取决于电离的浅能级本征和非本征施主Zn·i,Zn¨i和Al·Zn,Ns和Es与界面原子缺陷密度和性质有关 .本征界面缺陷V′Zn和V″Zn对界面受主态形成起基本作用 ;偏析于晶界的大离子半径的Bi和Ba以及界面上的化学吸附氧O-和O2 -对提高Ns和Es起关键作用 ;易变价过渡元素Mn ,Co和Ni对进一步提高受主态密度起重要作用 ;Sb通过生偏锑酸钡相在稳定势垒方面起较大作用 ,对提高态密度也有一定帮助 .     

SiO_2-InP MIS结构的界面态和体深能级的研究

本文用恒定电容深能级瞬态谱(CC—DLTS)方法研究了SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级。结果表明在价带顶附近界面态密度最高,可达9×10~(12)ev~(-1)·cm~(-2)以上,随着离开E_v指向E_i迅速降低。在E_v 0.41ev和E_v 0.55ev处各测得一个深能级。文中测量了淀积前InP表面四种不同处理的样品,发现界面态密度依賴于表面处理的方法,但其分布是相似的。文中还对InP MIS结构样品的CC—DLTS测量方法和测试条件作了探索与分析。最后,对SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级分布作了讨论分析。     

多晶硅薄膜电学输运理论的研究进展

多晶硅薄膜已广泛应用于平板显示、微机电系统和集成电路等领域,在太阳电池和平板系统领域也有着巨大的应用前景。由于多晶硅薄膜存在晶界,晶界内的晶体缺陷和悬挂键会向带隙中引入界面态,界面态一方面会束缚载流子并形成势垒阻碍载流子的传输,另一方面会作为有效复合中心加重载流子的复合,因此,多晶硅薄膜上制备的器件的性能要低于与之对应的单晶硅薄膜器件的性能。为了从理论上阐明暗场和光照条件下多晶硅薄膜的电学性质,人们已发展了各种理论模型。此外,为了确定晶界界面态在带隙中的分布,人们已发展出分析法和计算机模拟两种方法。本文将简要概述人们在多晶硅薄膜电学输运理论和晶界界面态分布确定方法等方面的主要研究进展,以期对从事多晶硅薄膜或多晶半导体输运性质研究的科研工作者有所参考和启发。     

用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布     

用深能级瞬态谱技术研究MOS结构界面态的分布

本文简述了深能级瞬态谱技术测量界面态分布的基本原理。在大量实验基础上给出典型MOS结构界面态分布的测试曲线与数据,对实验结果进行了有价值的分析。     

晶界处碳含量对超纳米金刚石的结构及电学性质影响的第一性原理计算

采用MedeA.软件中基于密度泛函理论(DFT)下的平面波赝势方法的VASP软件包进行模拟,计算了不同晶界处碳含量对超纳米金刚石电子特性和结构特性的影响。从对优化后的结构分析来看,晶界处碳含量的增加会增加超纳米金刚石中sp~2-C的含量,并且会使金刚石晶粒最外层的原子产生一定程度的位移或改变其键角。分析不同晶界处碳含量超纳米金刚石的能带发现,晶界碳含量的增加会减小结构的带隙,并且会在带隙里引入悬键能级和与sp~2-C相关的π*能级。对3个结构态密度的分析发现,晶界含量的增加不仅会减小结构的带隙,还会增加带隙里悬键能级和π*能级的能态密度,减小电子从低能级跃迁到高能级所需的能量,从而增加超纳米金刚石的导电性。     

多晶硅薄膜晶体管特性的研究

利用高级二维器件模拟程序MEDICI分析了多晶硅薄膜晶体管有源区的长度、体内陷阱、界面陷阱、栅氧化层厚度等几何参数及物理参数,并研究了这些参数对薄膜晶体管特性的影响     

半导体—金属—半导体双界面结构的电子态

本文用一个金属薄层夹在两个不同的半无限半导体之间的模型,在一个简立方金属和两个具有氯化铯结构的半导体的基础上发展了格林函数理论。首次得到了半导体—金属—半导体结构的格林函数。有了这些格林函数,可以使我们很容易地研究这样的系统所有的电子特性。作为应用例子,文中给出了局域界面态的计算。对两种特殊的半导体—金属—半导体双界面的研究表明,界面态可以存在,也可以不存在,取决于半导体的禁带和半导体与金属间的耦合强度。当存在界面态时,发现有两个界面态并且它们随金属薄层的原子层数的变化有一个非常相似于Ruderman-Kittel类型的振荡行为。     

GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析

探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义。     

Electron states of interfaces in multi-layered phthalocyanine films

The interfaces and interface electron states in Mylar/Al/UCL/CGL/CTL multi-layered photoreceptor are discussed. The interface electron states between CGL and CTL in sample A efficiently accelerated photogeneration carrier transport processes to bring about a lower V-r value and higher light sensitivity than sample B. The process might be interpreted as a kind of assistance sensitization effect based on interfacial electron states in the high fields; that is to say, the interface electron states between CGL and CTL accelerated carriers injection from CGL into the gap states of CTL, and followed by the interface electron states modulated transport processes of carriers in the CTL.     

沉积盆地岩性地层圈闭成藏主控因素分析

随着世界油气勘探技术的发展和理论研究的不断深入,在新发现的油气藏中岩性地层油气藏无论是产量还是储量上都占有重要地位.因此,对这类油藏的理论研究一直是国内外石油地质学家研究的重要内容.本文认为岩性地层圈闭与构造圈闭在成藏条件和成藏机制方面存在一定差别,岩性地层圈闭的形成条件复杂,决定了其成藏主控因素具有自身的特点.提出了岩性地层圈闭成藏“四元主控”观点:即运移通道条件、流体动力条件、储层临界物性特征和砂体封闭条件.这4项主控因素控制和决定了岩性地层油气藏的形成.     

BaFX:Eu(X:Cl,Br)中电子陷阱的研究

X线影像板需要近红外光激励．掺入Ca2＋,S2＋,Mg2＋后,用650～700um光激励BaFX：Eu2＋,可以更为灵敏．用正电子湮没寿命谱,电子顺磁共振谱,加热发光谱和光激励发光谱,研究了X射线辐照后BaFx：Eu（X：CI,Br）电子陷阱的性质、状态、密度和转换．     

Si－GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半无限晶体构成的Ｓｉ一ＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ．     

中国寒区粗粒土力学研究现状与进展

在寒冷地区,粗粒土是路基、土石坝等工程主要填料,也在高寒山区斜坡上广泛分布.寒区高铁路基冬季冻胀病害和高海拔斜坡春季滑塌灾害等的防治与评价,均与冻融作用下粗粒土的力学特性密切相关.在查阅大量中外文献的基础上,从本构关系、物理特性、力学性质和界面问题等方面对寒区粗粒土力学理论的研究现状进行综述.通过引入不同新理论建立了考...     

三元混晶双势垒结构中光学声子辅助共振隧穿及压力效应

采用连续介电模型,细致探讨了AIxGa1-xAs／GaAs双势垒结构中界面声子的色散关系及其与电子的耦合作用．进而采用Fermi黄金法则,在该结构的垒或阱为三元混晶材料时,分别计算了声子辅助隧穿电流密度．结果表明,在宽阱情形下,若垒为混晶材料,混晶效应不明显,只有一个明显的声子峰,该结论与实验符合较好;若阱为混晶材料,则混晶效应明显,具有两个声子峰,该结论对实验有指导意义．本文还讨论了压力对声子辅助共振隧穿的影响,结果显示：声子辅助隧穿峰和共振峰的峰值均随压力增加而减小,但声子辅助隧穿效应则随压力增加．