异戊氧基酞菁的瞬态吸收性质研究

以系列异戊氧基空心酞菁和金属酞菁为研究对象,采用纳秒激光闪光光解法对浓度为10-5mol.L-1的酞菁溶液进行了三线态激发态吸收性质研究,获得了三线态吸收曲线,并测定了酞菁配合物的三线态寿命。由于d电子和金属-配体之间电荷转移等因素的影响,ZnPc(OC5H11)4具有较强的三线态吸收和较长的三线态寿命。     

酞菁铁的模板合成及其对氧还原的电催化性能

针对直接甲醇燃料电池阴极常用的铂基催化剂易中毒、选择性差等问题,以Fe2＋为模板剂控制合成了酞菁铁配合物催化剂.红外光谱测试表明,Fe2＋与酞菁中的N形成了配键.研究结果表明,随着温度的升高,酞菁铁对氧还原反应的电催化活性逐渐增强,且对甲醇氧化反应无催化活性,证明酞菁铁具有较好的催化选择性.     

4-(3,5-二氯-2-羟基苯)二氮烯基金属酞菁的合成及性质

以4-硝基邻苯二腈与2,4-二氯苯酚为原料,经还原、重氮化、偶合合成了4-(3,5-二氯-2-羟基苯)二氮烯基邻苯二腈,然后与尿素、钼酸铵和金属盐在熔融状态下合成了三种4-(3,5-二氯-2-羟基苯)二氮烯基取代的金属酞菁.用IR,UV-vis光谱对产物进行测定和表征,对比了三种化合物吸收光谱.结果表明,4-(3,5-二氯-2-羟基苯)二氮烯基金属酞菁与无取代酞菁相比,Q带最大吸收波长发生不同程度的红移,且红移大小顺序为镍酞菁、钴酞菁、铜酞菁.     

苝二酰亚胺敏化TiO_2可见光光催化降解罗丹明B

采用水热法制备了苝二酰亚胺(PTCDI)敏化的光催化剂TiO2/PTCDI以及PTCDI和酞菁铜(CuPc)共敏化的可见光光催化剂(TiO2/PTCDI)-CuPc。利用XRD,TEM和UV-Vis光谱对催化剂进行表面形貌和结构表征。以罗丹明B的光催化降解为模型反应,考察敏化样品的可见光光催化性能。研究表明染料共敏化样品(TiO2/PTCDI)-CuPc的活性比TiO2和TiO2/PTCDI分别提高了223%和113%。应用能带结构理论,阐明了TiO2/PTCDI和(TiO2/PTCDI)-CuPc的光生电子转移路径和光催化降解机理。     

四羧基钴酞菁催化氧化邻苯二胺测定过氧化氢

在pH值为9.0的Britton-Robinson缓冲溶液中,以四羧基钴酞菁作为过氧化物模拟酶催化过氧化氢与邻苯二胺的反应,建立一种测定微量过氧化氢的新方法。结果显示,反应的产物2,3-二氨基吩嗪在421nm处有一最大吸收峰,其吸光度值随过氧化氢加入量的增加而增加,吸光度差值与过氧化氢浓度在0～2.07×10-4mol/L范围内呈线性关系,检出限为1.36×10-5mol/L。该方法简单,适用于微量过氧化氢含量的测定。     

OTS修饰的酞菁锌薄膜晶体管

制备并提纯了酞菁锌(ZnPc)有机场效应晶体管,该薄膜器件以具有大π键的ZnPc作为载流子传输有源层,以自制的热生长SiO2膜层作为晶体管的栅绝缘层,经长链两亲分子十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰以后,具有复合双绝缘层的结构.测试结果显示:以此为基础制备的器件具有良好的I-V输出特性,OTS/SiO2复合双绝缘层的器件结构能有效改进有机薄膜晶体管的性能.     

钴酞菁的微波合成及牛白蛋白测定

以邻苯二腈、硫酸钴为原料,采用微波固相法合成了钴酞菁。将钴酞菁磺化所得的磺酸基钴酞菁溶液与牛白蛋白作用将导致共振瑞利散射显著增强。在460 nm处存在一共振散射强峰,其强度增加与牛白蛋白的浓度呈线性关系,据此建立了一种用共振散射光谱测定牛白蛋白的方法。该方法的线性范围为0.1~6.0 ug/mL,检测限为5.73 ng/mL。     

2(3)-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)酞菁铜的合成、 光特性及电化学性质

利用分步合成方法在酞菁铜外围引入4个2-异丙基-5-甲基苯氧基团, 合成一种酞菁铜, 经过表征确定了化合物结构. 分析结果表明, 此化合物在低温近红外1 180 nm左右有较强的光磷光发光, 可作为潜在的近红外发光材料. 电化学的研究结果表明, 这种化合物的电化学过程是环上氧化还原的单电子过程.     

Preparation of organic thin-film field effect transistor

The organic thin-film field effect transistor was prepared through vacuum deposition by using teflon as di-electric material. Indium-tin-oxide acted as the source and drain electrodes. Copper phthalocyanine and teflon were used as the semiconductor layer and dielectric layer, respectively. The gate electrode was made of Ag. The channel length between the source and drain was 50 μm. After preparing the source and drain electrodes by lithography, the copper phthalocyanine layer, teflon layer and Ag layerwere prepared by vacuum deposition sequentially. The field effect electron mobility of the device reached 1.1×10ˉ6 cm2/(V@s), and the on/off current ratio reached 500.