AlGaAs/GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由Al_yGa_(1－y_As，Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究．通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方．     

MOCVD工艺模拟系统

报道一个 Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 全方位综合工艺模拟系统． 该系统包含反应室气流流体力学模拟、化学反应热力学模拟和沉积过程动力学模拟等 ３ 个子系统， 它们可以独立运行， 也可以联合运行．     

InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究

用五带 k· p模型计算 In As/ Ga As/ In P及 In As/ In P的室温 PL谱的能级分布 ,分析PL谱峰值 .发现 Ga As的张应变层影响 PL峰值位置 ,与 In As/ In P量子点相比 ,In As/Ga As/ In P量子点 PL谱峰值有明显红移 ,并从能带理论给出解释     

聚合物阵列波导光栅复用器/解复用器的参数设计与损耗分析

对中心波长为1.55 μm、 波长间隔为1.6 nm的聚合 物阵列波导光栅波分复用/解复用器进行参数设计, 并对器件的损耗进行分析. 结果表明该设计符合试验与实用化的要求.     

利用(110)硅片制作微反射镜

采用体硅微机械加工方法,通过光刻、反应离子刻蚀和氢氧化钾水溶液湿法刻蚀等工艺,根据(110)硅片结晶学原理,在(110)硅片上制作出微反射镜。微反射镜的镜面为{111}晶面,利用扇形定位区域,精确地沿(110)硅片的{111}晶面进行定向腐蚀,可使微反射镜镜面垂直度达到90°±1°,表面粗糙度经测量低于6nm,在上面蒸金后其反射率可达95%。     

降低扭臂结构微机械光开关驱动电压的新方法

利用机械和电学特性，推导出悬梁的位移与外加电压之间的关系，指出外加电压与扭臂厚度的3次方成正比，随上下电极之间距离的减小而降低。提出了一种具有倾斜下电极的驱动结构，该结构可以通过具有倾斜一定角度的(111)硅片的各向异性腐蚀得到。理论分析表明，倾斜下电极结构可以使阈值电压从60V降低到32V。     

MOCVD工艺模拟系统

报道一个ＭＯＣＶＤ全方位综合工艺模拟系统，该系统包含反应室气流流体力学模拟，化学反应热力学模拟和沉积过程动力学模拟等３个子系统，它们可以独立运行，也可以联合运行。     

阵列波导光栅波分复用器计算机辅助分析系统

介绍一个阵列波导光栅(AWG)计算机辅助分析系统AWGCAD, 其主要由波导有效折射率分析模块、 参数相关分析模块、 波导弯曲损耗分析模块、 波导耦合间距分析模块等部分组成. 该软件可以对AWG器件进行参数优化、 结构设计、 特性分析和版图设计.     

MOEMS倾斜下电极光开关的空气压膜阻尼效应

从基于微机械光电系统(MOEMS)的倾斜下电极扭臂式光 开关出发, 求解雷诺方程, 得到空气压膜阻尼系数和阻尼力矩的分析公式. 通过求解动力学 方程, 给出空气压膜阻尼效应对于光开关响应时间的影响.