CF3自由基的共振增强多光子电离研究

通过ＣＦ４气体直流脉冲放电产生ＣＦ３自由基,研究了３０９－３２５ｎｍ,波长范围内ＣＦ３自由基的（２＋１）共振增强多光子电离谱,初步确定了４ｐσ（＾２Ａ″２）和４ｐπ（２Ｅ’）２个Ｒｙｄｂｅｒｇ态的带源分别为６２７７７和６２６１４．４ｃｍ＾－１;相应的量子亏损值分别为０．９７和０．９５。并由振动带分析,获得了上述２个Ｒｙｄｂｅｒｇ态的全对称伸缩振动模和ＯＰＬＡ模的振动频率。实验表明：该实验方法对研究     

流动放电—化学发光法测定O(~3P)和C_2H_1反应速率常数

引言C_2H_4和O(~3P)反应动力学研究始于60年代初,至今仍是一个不断在进行研究的课题。人们分别采用流动放电、汞敏化分解、闪光光解和激光光解等手段产生O原子。而检测O(~3P)浓度的手段则更多,包括化学发光、光电离质谱、质谱、电子自旋共振     

O（^3p）原子与乙醚和异丙醚化学反应速率常数的测定

用流动放电-化学发光技术测定了O(~3p)原子与乙醚和异丙醚总包二级反应速率常数。反应速率常数与温度关系可表达为k_1=(1.91±0.70)×10~(-11)exp[-(2.14±0.16)kcal·mol~(-1)/RT]·cm~3·molec.~(-1)·s~(-1) [O(~3p) 乙醚] k_2=(3.25±0.80)×10~(-11)exp[-(2.57±0.20)kcal·mol~(-1)/RT]·cm~3·molec.~(-1)·s~(-1) [O(~3p) 异丙醚] 还讨论了醚分子中氧原子对α-位C—H键能及其反应活化能的影响。结果表明,氧原子使α位C—H键能减弱而降低了反应活化能。     

多晶氧化铁薄膜电极的光电化学性能

一、引言自1976年K.L.(?)ardee 和A.J Bard 报导用CVD 法制得氧化铁光敏膜以来,由于这种半导体材料既有较窄的禁带宽度(E_g=2.2eV),又在很大的pH 范围内(pH≥4)的溶液中有较高的稳定性而引起人们的兴趣.近年来,先后报导了用CVD 法、由α—Fe_2O(?)单晶、天然赤铁矿、高温烧结陶瓷、金属阳极氧化和金属热氧化制取电极并探讨将其用于光解水制氢的可能性.     

电子激发态CCl2自由基被H2O猝灭的研究

对CCl4/Ar混合气体直流脉冲放电产生CCl2自由基,再用541．52nm激光将电子基态CCl2激励到激发态A1B21（0,4,0）振动态的K＝0能级上,通过检测激发态CCl2时间分辨荧光信号,测得室温下CCl2（A1B1和a^3B1)被H2O分子猝灭的实验结果,用三能级模型分析处理实验数据,获得态分辨速率常数KA和Ka值,利用UMP2（Full）／6－31G（d,p）方法计算了该反应的势能面,揭示了反应的插入和加成－消除机理。     

O(~3P)原子与环戊酮的二级反应速率常数测定

我们用流动微波放电—化学发光方法首次测定了O(~3p)原子与环戊酮分子在303—503K温度范围内的反应速率常数,反应速率常数与温度关系为k=3.79±1.41×10~(-11)exp(-18.6±1.5kJ·mol~(-1)/RT)cm~3·molecule~(-1)·s~(-1)O(~3p)原子由流动微波放电产生,利用检测其与NO反应生成NO_2~*的化学发光强度的方法来检测O(~3p)浓度。此外,还就这类反应速率常数与环形分子结构关系进行了讨论。     

O（^3p）原子与丙酮和3.3—2甲基—2—丁酮化学反应动力学研究

用流动微波放电—化学发光方法测定O(~3p)原子与CH_3COCH_3和CH_3COC(CH_3)_3的化学反应速率常数k=3.37±1.00×10~(-12)exp(-7.03±0.22kcal.mol~(-1)/RT) (丙酮 0(~3p),T=373-503K)和k=4.61±2.60×10~(-11)exp(-5.46±0.44kcal·mol~(-1)/RT) (3.3-2甲基-2-丁酮 O(~3p),T=303-503K)并就测定的O(~3p)原子与一系列酮分子反应速率常数进行了讨论,估算了O(~3p)原子与各类C—H键反应速率的Arrhenius参数。发现与羰基相邻的C—H键与O(~3p)反应的活化能要略大于非相邻的同类键反应的活化能。还根据Evans-Polanyi关系式,对这些键的键能进行了讨论。     

碱金属原子和OH三级反应速率常数研究

本文利用简化的单分子反应速率理论计算了低压下碱金属原子Na、K、Rb、Cs与OH 自由基反应(A+OH+M→AOH+M)的三级速率常数(200—2000K),并给出了该速率常数与温度关系的简化表达式.     

N2,NO,N2O,NH3 及胺类分子对电子激发态CCl2(A1B1)自由基猝灭的动力学

对CCl4 /Ar混合气体直流脉冲放电产生CCl2 自由基,再用541.52nm激光将电子基态CCl2 激励到激发态A1B1(0,4,0)振动态的k=0能级上,通过检测激发态CCl2 时间分辨荧光信号,该信号呈双指数衰减,测得室温下CCl2(A1B1)被N2,NO,N2O,NH3及胺类分子猝灭的实验结果,用三能级模型分析处理实验数据,获得态分辨速率常数K A 和K a 值,并对实验结果进行了讨论.     

用碰撞络合物模型计算CH(A~2Δ)电子态猝灭截面

依据碰撞络合物模型,用最大作用势和取向平均两种方法计算了CH(A~2Δ)自由基被23种分子猝灭的猝灭截面及其与温度的关系。讨论了用碰撞络合物模型计算电子激发态粒子猝灭截面的适用范围。低温区,在碰撞络合物形成过程中无位垒(除离心位垒外)的体系可以得到较满意的结果,否则不能正确预言猝灭截面与温度的关系;但在大的温度区间内,特别在高温区,适用性会变好。