数控机床故障分析与可靠性评价技术的研究

针对传统数控机床可靠性建模时只考虑故障间隔时间而忽略故障性质的现象，提出兼顾机械故障和电气故障的混合威布尔分布模型，进而提高模型准确度.利用最大似然法来确定混合威布尔分布模型参数，用皮尔逊相关系数来确定数控机床各故障时间之间的关系.并通过K-S方法对模型进行检验， 最后确定其符合混合威布尔分布，并运用可靠性评定方法得出数控机床的平均无故障时间.     

冲床的数控改造

本文论述生产开关屏厂家配备数控冲床的必要性以及对现有冲床进行数控改造的方法.     

镧系收缩对(La0.8Ln0.2)2/3Ca1/3MnO3纳米粉体结构和电输运性质的影响

 用溶胶-凝胶法制备了系列掺杂(La_0.8Ln_0.2)_2/3Ca_1/3MnO₃(Ln=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er)纳米级晶体.对于所制备系列样品在同一实验条件下的测试发现,在La位被其他镧系元素部分替代后,平均晶格常数和容差因子也存在类似镧系收缩的单方向变化：随着替代原子Ln原子序数的增加,平均晶格常数a呈减少趋势,平均晶格常数b基本未发生变化,而平均晶格常数c总体来说略呈减少趋势;容差因子t在0.925～0.918之间逐渐减少,但体系仍保持钙钛矿结构.不同掺杂元素样品表面形貌和电输运行为差异很大,各样品颗粒粒度分布在30～800nm范围,转变温度在82～194K范围.铈组(La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu)掺杂样品的转变温度未呈现单一某一方向的变化,而钇组(Gd,Dy,Ho,Er)掺杂样品的金属-绝缘体转变温度随着原子序数的增加而增高,此变化方向的单一性与镧系收缩单一性相协调.     

V型沟槽Si衬底上SrTiO_3薄膜制备

在单晶Si(100)衬底以及经过改型处理的侧壁为Si(110)"V"型沟槽衬底上,分别采用液相沉积(LPD)和射频磁控溅射法(RF magnetron sputtering)制备了SrTiO3(STO)薄膜.通过对沉积溶液的温度、衬底的表面处理方法、衬底的放置方式以及热处理工艺的优化,研究了利用LPD法制备具有较为致密均匀的STO薄膜的条件;通过对溅射功率、溅射气压、衬底温度以及退火温度等具体参数的优化,研究了利用射频磁控溅射法在较低的衬底温度下制备具有一定取向的STO薄膜的条件.结果表明,射频磁控溅射法制备的STO薄膜在结晶状态、择优取向和表面形貌优于液相沉积.     

Sm-Gd掺杂CeO_2基纳米粉体的制备

采用均相沉淀法,以CO(NH2)2和(CH2)6N4为沉淀剂,Ce(NO3)3.6H2O,Sm2O3,Gd2O3为起始原料,经过700℃焙烧4.5h,分别制备了Sm,Gd掺杂及Sm和Gd共掺杂的CeO2基纳米粉体.利用X射线衍射、扫描电子显微镜和BET等方法,对焙烧粉体的物相、形貌、晶粒尺寸及比表面积进行分析表征.结果表明,通过控制反应条件可对粉体的形貌和粒径进行有效控制;当混合金属离子总浓度为0.04mol/L,起始沉淀剂浓度为0.5mol/L,pH值为6.8时所得前驱体粉末经过焙烧,其产物为具有立方萤石型晶体结构及良好相纯度和结晶性、粒度分布为21～28nm的球形纳米粉体.该方法不失为低温...     

La微掺杂对Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)化合物结构及导电特性的影响

采用络合物型溶胶-凝胶法,通过对Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi2212)超导相进行Bi位La微量掺杂制备(Bi1-xLax)2Sr2CaCu2O8+δ化合物粉体,研究了La替代部分Bi所引起的结构及导电特性变化.该粉体制备以可溶性无机盐为原料,乙二胺四乙酸(EDTA)为络合剂,La微掺杂x范围为0.01~0.09.利用TG-DTA曲线对化学反应过程进行分析,利用X射线衍射进行相分析,利用标准四引线法测试导电特性随温度的变化(R-T).结果表明,该粉体相仍保持正交Bi2212结构,但a和b轴长度增加,c轴减少;随La微掺杂的量的增加,对Bi2212相的导电特性影响显著.     

La1-xSrxMnO3体系中Mn3O4微孪晶表征

La1 xSrxMnO3(LSMO)锰氧化物由于具有显著的庞磁电阻效应而被广泛关注,但少量Mn3O4杂质相会破坏其磁电阻效应.采用透射电子显微术及其相关分析方法,系统表征了杂质相Mn3O4中的微孪晶结构,并分析其形成机制.研究发现,在具有锐钛矿结构的Mn3O4中,微孪晶的孪晶面为(112)面,且孪晶面附近含有少量Sr原子;孪晶面出现几率与Sr原子含量之间的关系表明,孪晶的形成归因于少量Sr原子降低了孪晶界面形成能,这有助于推测出从锐钛矿向钙钛矿发生结构演化的一般规律.     

Fe掺杂对Zn1 xCoxO纳米晶体结构及磁性行为的影响

利用溶胶-凝胶法制备了Fe掺杂Zn1 xCoxO(x=001~002)纳米晶体.通过XRD,TEM和VSM对其结构、晶格参数和磁性进行了表征和分析.所有样品都没有检测到非晶态产物以及Fe,Co团簇等第二相,即Fe掺杂没有改变Zn1 xCoxO晶体的纤锌矿型ZnO结构、晶粒度大小以及室温铁磁性.随着Fe掺杂浓度的提高,饱和磁化强度、剩余磁化强度和矫顽力等磁性参数都有相应的改善.Fe掺杂还引起了交换偏置,并且,该现象随着Fe掺杂浓度的提高而增强;但是,单原子Fe对饱和磁化强度的贡献低于单原子Co对自发磁化强度的贡献,这表明Fe,Co共掺杂ZnO材料与Co掺杂ZnO材料的磁性机制有所不同.     

La0.7Ca0.3MnO3材料中取向畴结构的电镜研究

利用透射电子显微镜(TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)研究了庞磁电阻材料La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)中的取向畴结构.电子衍射结果表明,块体LCMO材料中只存在正交相(Pnma),其衍射指数满足消光条件:0kl,k+l=2n+1;hk0,h=2n+1;h00,h=2n+1;0k0,k=2n+1;00l,l=2n+1.在晶粒中可观察到两种典型的取向畴形貌,分别为无定形和楔形.高分辨观察结果还发现,LCMO畴界均为不平直界面,由一些低能量高指数界面组成.