链路意义下网络抗毁性的一种新刻画

随着元器件性能的大幅提高,网络故障多因链路受阻或破坏所引发,为了更好地刻画和分析网络抗毁性,从链路角度引入新的连通性参数——图的边毁裂度.运用组合优化和类比分析方法研究并给出了若干具有特殊结构的图的边毁裂度的计算公式和一般图的边毁裂度的界,同时讨论了图的边毁裂度与其它参数的关系,并举例表明结果是最好的.     

栈序列的生成及算法

文中就集合N＝S{1，2，3,…，n}的n个元素按次序1，2，3，…，n入栈时，不同的出栈次序对应的n元序列，即栈序我的个数及其生成方法做了探讨。     

小分子掺杂聚合物发光二级管中的光谱变化

在ＰＰＶ的衍生物中掺入有机镓的配合物作为发光材料,通过匀胶法得到单层有机发光二极管,发现它的发光颜色随驱动电压的升高由绿色向蓝色变化,同时混合器件的发光比只含ＰＰＶ衍生物或有机镓配合物器件的强得多。原因在于激子在器件中复合区域的改变及激发能量在材料中的传递,讨论了其中的电荷传输过程。     

基于网络选址的设施系统可靠性

将设施系统的结构用网络表示,其中顶点代表服务设施或客户,边代表物品或信息的传输途径。设施系统的可靠性在很大程度上会受网络边失效的影响。为了度量此种情形下的设施系统可靠性,提出可行可靠度概念。基于集合覆盖问题、 p-中值问题和无容量限制固定费用选址问题建立一个综合选址模型,设计邻域搜索算法并求解一个实例。结果表明,在成本增加不多的情况下,考虑边失效情形可以明显提高设施系统的可靠性。     

烷氧基取代聚对苯乙炔发光二极管性能的研究

本文报道了采用脱氧缩合反应得到可溶于一般有机溶剂的聚对苯乙烯衍生物（ROPPV）的光电性质．材料先致发光光谱说明ROPPVR光峰在578mm在610nm处存在一个振动模式，以ROPPV作为发光层制备了发光二极管并对其特性进行了讨论．     

树和单圈图的Hosoya拓扑指标的界

一个连通图G=(V,E)的Hosoya指标H(G)=∑mk=0P(G,k)其中P(G,k)为图G的k匹配数,m是G中k可能取的最大值。目的系统讨论给定顶点的树和单圈图中H的最值问题,为充分估计并利用计算机搜索具有某种化学或物理性质的分子给出一个界值范围;重点讨论树的H值的计算问题,给出一个递归算法。方法利用组合数学和算法理论中的一些方法。结果1)H(Kn)≥H(G)≥n;H(Pn)≥H(T)≥n;H(Cn)≥H(G)≥H(K1*,n-1)。2)H(T)=H(T-R) ∑ki=1H(T-R-Ri)=∏ki=1H(TRi) ∑ki=1∏km=1∏kij=1H(TRm)H(TRij)。结论给出了树的Hosoya指标的一种递归计算方法。     

卡氏积图的抗毁性

为了描述一些常用网络结构的抗毁性,为网络设计者设计高效网络结构提供有价值的方法和依据,通过界定完全图的卡氏积和网格图等一些常用网络图的毁裂度来刻画它们的抗毁性.     

毁裂度的Nordhaus-Gaddum型结果

给出了图的毁裂度的界，进而讨论了图的毁裂度的Nordhaus—Gaddum型问题。     

关于拓扑指标Z2(G)研究的一个结论

分子的化学与物理性能一般能用分子图的拓扑指标统计地反映出来．反过来，通过对分子图的拓扑指标的研究，以期得到理想的分子具有重要的理论价值和应用背景．文中解决了两个问题：1．对于任意的自然数Z，是否都存在一个简单连通图G，使得Z2(G)=Z?2．对于任意的自然数Z，是否都存在树T，使得T2(T)=Z?