扩大数字全息视场的方法研究

目的 扩大数字全息的视场,提高数字全息的实用性.方法 提出并从理论上研究了扩大数字全息视场的两种方法--预成像法和图像拼接法,分析了两种方法各自的优点和局限性,提出将预成像法与图像拼接法相结合扩大数字全息的视场.结果 将该方法应用于物体三维形貌的测量,获得了人嘴石膏模型的三维形貌.结论 将预成像法和图像拼接法相结合能够有效地扩大数字全息的视场.     

基于三阶对称的一种快速傅立叶变换算法

在分析傅立叶变换特性的基础上，利用傅立叶变换核的三阶对称性，给出了一种快速傅立叶变换算法。该算法原理简单，编程容易，该算法N可为任意正整数，并给出了计算机软件实现的方法和步骤。作为比较，用该算法和DFT算法对函数exp(-t)作了傅立叶变换，二相比，提高时效4倍多。     

快速傅立叶变换Cooley-Tukey算法补零问题

目的 研究快速傅立叶变换补零问题；方法基于傅立叶变换定义，分析任意函数序列x(n)补零前后傅立叶变换结果；分析推导补零规则；运用同余概念及其运算规则，分析补零规则各量之间的关系。结果任意长度的函数序列长度补零前后傅立叶变换结果是不相同的；补零必须使得补零后函数序列数N1为补零前函数序列数N的整数倍，中且为2的整数次幂；若要满足这一条件，则N必为2的整数次幂。结论使用快速傅立叶变换算法对任意长度函数序列补零时，必须注意到补零前后傅立叶变换的结果是不相同的；若按补零规则补(r-1)N个零，则可使补零后特定关系的函数序列的傅立叶变换对应于补零前的傅立叶变换；并非任意长度的函数序列都能满足这一关系，只有Ⅳ为2的整数次幂的函数序列才能满足补零规则的要求。     

PLD法制备纳米氧化锌薄膜

目的研究制备高质量的纳米ZnO薄膜的最佳方案。方法通过反应条件和工艺参数的控制,用PLD法制备纳米氧化锌薄膜,对所制备的纳米氧化锌薄膜进行XRD谱研究,采用原子显微镜观察其形貌并研究氧化锌薄膜的各种光学性质。结果在激光脉冲能量为150 mJ、氧气压为20Pa条件下制备出了高质量的c轴择优取向的纳米氧化锌薄膜。结论制备工艺参数的控制对其性质有着极其重要的影响。     

生成β-C3N4的热力学与化学动力学计算

提出了磁控溅射法合成碳化氢实践中β－Ｃ３Ｎ４,Ｐ－Ｃ３Ｎ４,－（Ｃ２Ｎ２）ｎ－３种结构的最可能生长模式,采用化学热力学方法计算了生成这３种结构的反应在不同温度下的平衡常数,并用化学动力学方法了各中间产物和β－Ｃ３Ｎ４,Ｐ－Ｃ３Ｎ４,－（Ｃ２Ｎ２）ｎ－的化学反应速率常数。这些结论对β－Ｃ３Ｎ４晶体生长于非晶相中这一普遍实验现象给予一种可能的解释。     

深能级瞬态分析法研究纳米氧化锌的绿光发光机制

目的 研究纳米氧化锌的绿光发光机制.方法 深能级瞬态分析法.在实验设计中.根据衬底和薄膜的性质,利用示波器、纯电阻箱、信号源等简单的实验设备.在理论计算方面,用Matlab语言编程计算得到缺陷能级.结果 实验精度较高;缺陷能级距导带1.62 eV,这个能量差值恰和孙玉明在ZnO缺陷能级计算的博士论文中氧空位缺陷能级相符.结论 绿光发射是电子由导带到氧空位缺陷能级的跃迁所致.     

ZnO薄膜的光谱特性研究

目的 在NaCI衬底上制备ZnO薄膜，分析其红外吸收谱。方法 用透射电镜观察并拍摄了薄膜的微观结构，对电镜照片进行测试、分析。结果 表明样品有分形结构，在远红外区有反常吸收，即低频反常色散现象。结论 结果与分形结构反常电导理论取得一致。     

衬底温度对ZnO薄膜的结构和发光性能的影响

目的 研究衬底温度对znO薄膜结构和发光性能的影响及薄膜结构与发光性能两者之间的关系.方法 在玻璃衬底上采用射频磁控溅射法,固定其他工艺参数、改变衬底温度制备znO薄膜.对薄膜进行XRD谱和室温光致发光(PL)谱研究.结果 衬底温度在25℃到250℃之间,随着温度的升高,结晶质量变好,且紫外发光相对明显增强.在衬底温度为250℃时,结晶质量和发光性能均达到最优化.继续升高衬底温度,结晶质量和发光性能都下降.结论 衬底温度对ZnO薄膜的制备有着重要的影响;薄膜发光性能与结晶质量密切相关,结晶质量越好,紫外发先相对强度越大.     

一种基于石墨烯纳米带的半金属材料设计

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,设计一种基于石墨烯纳米带的半金属材料,发现通过边缘的F取代,原来处于自旋半导体的石墨烯纳米带显示出自旋半金属特性。F原子取代是一种有效的方式,打破了原来纳米带的对称性,改变了边缘态的能级位置,使得这种石墨烯纳米带成为自旋半金属。     

溅射气压对ZnO薄膜生长、发光性能和结构的影响

沉积缺陷少、晶粒高度c轴择优生长的ZnO薄膜是制备短波发光器件和压电谐振传感器的关键问题之一.以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备纳米ZnO薄膜,实现了室温下强的紫外受激发射和弱的深能级发射.通过对薄膜表面形貌的观测, 以及对X射线衍射(XRD)谱和室温光致发光(PL)谱的分析,研究了不同溅射气压对ZnO薄膜生长、结构和发光性能的影响.结果显示溅射气压在1.9 Pa-3.5 Pa之间,晶粒直径先增大后减小,在2.6 Pa时晶粒生长到最大;在3.2 Pa时薄膜单一取向性最优,以此推断最佳的溅射气压在2.6 Pa-3.2 Pa之间.实验在玻璃衬底上制备出了XRD衍射峰半高宽仅为0.12°的、高度c轴择优生长的ZnO薄膜.