溅射气压对ZnO薄膜生长、发光性能和结构的影响

沉积缺陷少、晶粒高度c轴择优生长的ZnO薄膜是制备短波发光器件和压电谐振传感器的关键问题之一.以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备纳米ZnO薄膜,实现了室温下强的紫外受激发射和弱的深能级发射.通过对薄膜表面形貌的观测, 以及对X射线衍射(XRD)谱和室温光致发光(PL)谱的分析,研究了不同溅射气压对ZnO薄膜生长、结构和发光性能的影响.结果显示溅射气压在1.9 Pa-3.5 Pa之间,晶粒直径先增大后减小,在2.6 Pa时晶粒生长到最大;在3.2 Pa时薄膜单一取向性最优,以此推断最佳的溅射气压在2.6 Pa-3.2 Pa之间.实验在玻璃衬底上制备出了XRD衍射峰半高宽仅为0.12°的、高度c轴择优生长的ZnO薄膜.     

鄂尔多斯盆地志丹地区延长组深部长9油气藏成藏规律研究

对鄂尔多斯盆地志丹地区上三叠统延长组深部长9油气藏的生烃潜力、沉积体系、储集条件、构造条件等进行了研究,对油气藏成藏规律进行了深入探讨,认为该区延长组深部具有较好的成藏条件,其成藏主要受烃源岩展布、沉积体系时空分布、优质砂体发育、鼻状隆起等因素的控制.同时指出,这几个因素的优化匹配是寻找延长组深部长9油层组岩性油藏突破的关键.