用热脱附谱研究磷硅玻璃薄膜

用热脱附谱（TDS）研究H2O在磷硅玻璃（PSG）中被吸附的问题。PSG是在400℃左右用化学气相淀积（CVD）方法生长的，在生长过程及以后的工序中容易吸收H2O，使器件失效。TDS是由25℃开始以20℃/min均匀升温到800℃获得的。由TDS的残余气体分析（RGA）模式可以推出H2O在PSG中的可能结合形式。建立生长、吸附、扩散和脱附等几个模型，通过实验测量了PSG中脱附的H2O随时间、温度、湿度等环境条件的变化。在VLSI多层布线中这些结果决定了许多工艺参数，如烘烤时间、金属淀积前的等待时间等。