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1.
模拟和验证了一种低成本的,以标准CMOS工艺为基础,无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理,相应提出了高压器件中所做出的改进,列举了该工艺技术中所用的特殊版图;对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟;将模拟结果与实际测试结果进行了比较,验证了这种高压工艺技术的实用性。  相似文献   
2.
短期电力负荷预测的小波支持向量机方法研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
在充分研究和比较多种负荷预测方法的基础上,提出一种称为小波支持向量机(Wavelet Support Vector Machines,WSVM)的负荷预测新算法.该方法是在研究支持向量机(SVM)核方法与小波框架理论的基础上,引入非线性小波基函数来构造SVM的核函数,从而得到新的SVM模型,并给出了此模型的结构设计与实现算法.通过实例验证,该方法能有效提高预测精度.  相似文献   
3.
鉴于有机太阳能电池材料选择的多样性,本文研制出一套微机化自动测试系统。它可以自动测定短路电流、开路电压的光电作用光谱、量子效率的光谱响应以及禁带宽度等参数,为寻求一种有效的有机光电转换材料提供了方便。该系统也可用于无机材料太阳能电池的研究。  相似文献   
4.
用热脱附谱(TDS)研究H2O在磷硅玻璃(PSG)中被吸附的问题。PSG是在400℃左右用化学气相淀积(CVD)方法生长的,在生长过程及以后的工序中容易吸收H2O,使器件失效。TDS是由25℃开始以20℃/min均匀升温到800℃获得的。由TDS的残余气体分析(RGA)模式可以推出H2O在PSG中的可能结合形式。建立生长、吸附、扩散和脱附等几个模型,通过实验测量了PSG中脱附的H2O随时间、温度、湿度等环境条件的变化。在VLSI多层布线中这些结果决定了许多工艺参数,如烘烤时间、金属淀积前的等待时间等。  相似文献   
5.
微分析技术已经成为微电子产业发展的重要技术支撑,FIB(focusedion beam)结合了精细加工技术和微分析技术,具有在亚微米线度上的微细加工和高分辨率成像的能力,成为强有力的TEM(transmission electron microscope)制样工具以及电路修补的有力工具.同时,FIB辐照对样品结构的损伤以及器件性能的影响受到广泛的关注.为使实际FIB的工作更优化,更有针对性,从而确保不同器件在FIB加工后的可靠性,从研究FIB辐射对材料结构的损伤入手,针对两种不同类型的晶体管(常规工艺NMOS晶体管和埋沟工艺PMOS晶体管),进行了FIB辐照下的电学性能对比.较常规工艺的NMOS晶体管,埋沟工艺的PMOS晶体管在跨导和迁移率等参数的变化情况与前者相似,但是在阈值电压变化,辐照损伤修复方面,后者显示出独特的性能.  相似文献   
6.
设计了一种嵌入于FPGA芯片的锁相环,实现了四相位时钟、倍频、半整数可编程分频、可调节相位输出功能,满足对于FPGA芯片时钟管理的要求.锁相环采用了自偏置结构,拓展了锁相环的工作范围,缩短了锁定时间,其阻尼系数以及环路带宽和工作频率的比值都仅由电容的比值决定,有效地减小了工艺、电压、温度等对电路的影响.锁相环采用0.18μm CMOS数字工艺,嵌入复旦大学自主研发的FPGA芯片FDP-Ⅱ,经过流片验证,实现了工作频率范围10~600 MHz,整体电路功耗仅为29 mW,锁定时间小于4μs,峰峰值抖动小于±145 ps.  相似文献   
7.
高压MOS器件具有复杂和特殊的结构,存在自热效应与沟道长度调制效应.这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小,即存在负阻效应.为有效表征这一特性,使用标准器件建立子电路模型,通过合适的器件选择和参数设置来模拟负阻效应.同时,根据不同沟道区域的饱和原理,采用不同的模型与参数进行模拟,使子电路适用于不同栅压和漏压.子电路具有精确的模拟性能,在电路模拟中,可以作为一个黑匣子直接调用,克服传统BSIM3模型模拟上的不足.  相似文献   
8.
介绍了1000 BASE-T物理编码子层(PCS)采用的4D-PAM5编码算法,分析编码算法中的一些关键性技术.提出解码流程,并给出了解码中字同步算法及其硬件结构.用Verilog HDL完成了PCS的硬件设计,进行了仿真验证,并给出了流片测试结果.  相似文献   
9.
金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm~2的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍.  相似文献   
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