微旋转结构法测量Al薄膜的残余应力

薄膜的残余应力是影响MEMS器件工作可靠性和稳定性的重要因素,微旋转结构法能够简单有效地测量薄膜的残余应力.文中采用MEMS工艺制作Al薄膜微旋转结构,根据微旋转结构法对m薄膜的残余应力进行了测量和计算.实验结果表明,溅射Al膜的残余应力为张应力,大小在80～110 GPa之间.对Al薄膜悬梁进行静电驱动,其驱动电压为31 ～34 V,与根据Al膜残余应力的测量值所计算出的驱动电压基本吻合.     

一种低功耗CMOS LNA优化设计方法

基于SMIC 0.18 CMOS工艺,设计了一个工作频率为5.8 GHz的差分低噪声放大器。针对低功耗电路的设计要求,通过在输入级增加电容实现了限定功耗下的输入和噪声同时匹配。仿真结果表明,设计的低噪声放大器具有良好的综合性能指标。增益为22.47 d B,噪声系数为1.167 d B,输入反射系数(S11)、输出反射系数(S22)、反向隔离度(S12)分别为-24.74 d B、-17.37 d B、-31.52 d B。在1.5 V电源电压下,功耗为17.3 m W。     

SOLR校准分析柔性微波集成电路的不连续性

去嵌入传输线技术是微波集成电路不连续性分析的常用方法。用该方法分析形变柔性衬底上的不连续性时,由于馈线为非均匀传输线,激励源端口不连续引起的寄生效应会影响不连续性特性,导致分析不准确。文中提出采用SOLR(short-open-load-reciprocal)校准技术分析不连续性。将不连续性作为校准中的被测件,激励端寄生效应和馈线作为误差项,通过理想电壁、理想磁壁、理想匹配层和不连续性自身构建短路、开路、负载和可逆通路校准,从而消除误差项对不连续性分析的影响。对柱面微带和弯曲微带上不连续性的分析结果表明,该方法可有效消除激励端口的寄生效应影响。     

混沌脉冲位置调制中的混沌控制

针对混沌脉冲位置调制(CPPM, Chaotic Pulse Position Modulation) 中系统容易出现的混沌发散现象,提出一种混沌控制方案.通过此控制,解决了原CPPM中可能出现的因发散而导致收发机停止工作这一问题.仿真结果表明该方案简单、有效、可行.