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采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸. 经600~1000℃退火, Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm. 在紫外光的激发下, 所有样品都发出很强的394 nm的紫光. 随着Ge纳米晶粒的出现, 样品有580 nm的黄光发出, 其强度随着晶粒的增大而增强. 对于经不同温度退火的样品, 这两个波段的峰位都保持不变. 根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论. 相似文献
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利用双离子束溅射沉积共溅射方法制备了富Si SiO2 薄膜 ,研究了沉积参数、时间、工作气压PAr、基片温度等对沉积速率的影响 ,用TEM和XRD分析了样品的结构 ,当基片温度Ts <4 50℃时 ,所制备一系列样品均为非晶结构 ,当沉积基片温度较高时 (Ts ≥4 50℃ ) ,薄膜样品中才出现Si的颗粒 我们还分析了样品的室温光致发光现象 ,从PL谱中可以看出 ,样品有~ 32 0nm、~ 4 10nm、~ 560nm和~ 630nm四个PL峰 ,并对其发光机理进行初步探讨 相似文献
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Ge-SiO2薄膜的光致发光及其机制 总被引:3,自引:1,他引:2
采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜。薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理。根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸。经600-1000℃退火,Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9nm增至6.1nm。在紫外光的激发下,所有样品都发出很强的394nm的紫光。随着Ge纳米晶粒的出现,样品的580nm的黄光发出,其强度随着晶粒的增大而增强。对于经不同温度退火的样品,这两个波段的峰位都保持不变。根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论。 相似文献
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