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| Ge-SiO2薄膜的光致发光及其机制 | |
| 引用本文： | 董业民,陈静,汤乃云,叶春暖,吴雪梅,诸葛兰剑,姚伟国.Ge-SiO2薄膜的光致发光及其机制[J].科学通报,2001,46(6):525-528. |
| 作者姓名： | 董业民 陈静 汤乃云 叶春暖 吴雪梅 诸葛兰剑 姚伟国 |
| 作者单位： | [1]苏州大学物理系，苏州215006 [2]中国科学院上海冶金研究 |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜。薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理。根据X射线衍射（XRD）谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸。经600-1000℃退火，Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9nm增至6.1nm。在紫外光的激发下，所有样品都发出很强的394nm的紫光。随着Ge纳米晶粒的出现，样品的580nm的黄光发出，其强度随着晶粒的增大而增强。对于经不同温度退火的样品，这两个波段的峰位都保持不变。根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论。 |
| 关 键 词： | 射频磁控溅射 光致发光 发光机制 锗－二氧化硅薄膜 退火处理 纳米晶粒 |
| 收稿时间： | 2000-09-13 |
| 修稿时间： | 2000年9月13日 |
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