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| Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制 | |
| 引用本文： | 董业民,陈静,汤乃云,叶春暖,吴雪梅,诸葛兰剑,姚伟国.Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制[J].科学通报,2001,48(6). |
| 作者姓名： | 董业民 陈静 汤乃云 叶春暖 吴雪梅 诸葛兰剑 姚伟国 |
| 作者单位： | 1. 苏州大学物理系, 2. 中国科学院上海冶金研究所, |
| 基金项目： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室的资助 |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸. 经600～1000℃退火, Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm. 在紫外光的激发下, 所有样品都发出很强的394 nm的紫光. 随着Ge纳米晶粒的出现, 样品有580 nm的黄光发出, 其强度随着晶粒的增大而增强. 对于经不同温度退火的样品, 这两个波段的峰位都保持不变. 根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论. |
| 关 键 词： | Ge-SiO2薄膜 射频磁控溅射 光致发光 发光机制 |
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