电子碰撞Ag的L壳层电离截面的测量

作者用Si(Li)探测器测量了能量为5～2keV的电子碰撞Ag的L壳总平均电离截面；用Monte Carlo方法计算的电子反射能谱，修正了来自衬底的反射电子对测量结果的影响．作者对实验结果与Cryzinski的理论计算结果进了比较．     

29～1 100keV能区98Mo(n,γ)~(99)Mo反应截面的测量

在２．５ＭＶ静电加速器上，利用活化法相对于１９７Ａｕ的中子俘获截面，在２９～１１００ｋｅＶ中子能区测量了９８Ｍｏ（ｎ，γ）９９Ｍｏ的反应截面，并将测量结果与已有数据进行了比较     

射频磁控溅射司太立合金淀积薄膜的主要元素成份测量

司太立合金是动力工业上一种重要的合金材料,它是一种钴基合金,具有优良的抗水蚀性能,尤其是核动力发电设备上具有特殊的用途.在发电设备中,通常将司太立合金的条状薄板熔焊在基体上,但由于热效应引起的工件变形及内应力,不得不采取后工艺加以消除,其效果亦不是十分满意.本工作试图采用磁控溅射技术直接在基体上形成一层司太立合金薄膜。磁控溅射七十年代发展起来的一种新型技术,它与一般溅射相比,其优点是淀积速率快,基体温度低,损伤小.但由于各种元素的溅射系数差别较大,因此溅射形成合金需要一段平衡时间,溅射系数最高的成份优先溅射以后,     

利用14N(d，p)15N核反应对各品系小麦种子中蛋白质含量分析初探

粮食作物提供的植物蛋白是人体所需要的蛋白质中最基本、最重要的来源 ,提高粮食作物中的蛋白质含量 ,对改善食品质量、提高营养水平有着重要意义 ,国际上一直把改善谷物蛋白质含量作为重要研究课题 .测定植物样品中蛋白质含量的传统方法是Ｋ氏 (Ｋｊｅｌｄａｈｌ)化学分析法 ,但Ｋ氏法是破坏性的 ,同时又很费时 ,难以满足在选种培育计划中对大批量样品进行快速分析的需要 .因此由基于对氮元素成分的分析出发 ,从而促进了确定蛋白质含量的核技术在这一需求下得到迅速的发展[1] ,如快中子活化法、热中子活化法、光子活化分析法和由质子、α粒…     

电子注入对CdSe探测器性能的影响

研究了一种制作CdSe室温核辐射探测器的新工艺，并通过对CdSe室温核辐射探测器MIS接触电极电子注入机理的研究发现，CdSe探测器形成MIS接触电极可以降低表面漏电流，减少探测器噪声，提高探测器能量分辨率。制备出的CdSe室温核辐射探测器对^241Am 59.5keV和^109Cd 87KeV γ射线的能量分辨率分别为9．6％和7．5％。     

电子碰撞引起的Hf和W元素的L-X射线产生截面比研究(英文)

本工作测量了元素Hf和W的L -X射线产生截面比Lβ/Lα 在从阈能到 3 2keV能区内同能量的函数关系 .实验结果表明 ,比值 Lβ/Lα 在阈能附近和入射能量有关 ,该特性完全不同于在较高能量处现有的 L 壳层数据及所有的 K 壳层数据 ,与他人发表的结果和两种理论预言也作了比较     

由21—40keV电子轰击钼引起的k壳层电离截面的测量

用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量能量为２１－４０ｋｅＶ电子引起的Ｍｏ的特征Ｘ射线，从而确定ｋ壳层的电离截面。描述了衬底影响测量结果的方法。同各种理论计算的比较表明，实验结果和Ｒｕｄｇｅ的计算吻合较好。     

电子碰撞引起的元素钬和锇的L壳电离

无论在基础研究方面, 还是在高技术应用方面, 电子轰击原子的内壳电离截面都具有重要意义. 目前电子轰击元素K和L壳层电离截面的测量多采用薄靶或气体靶, 气体靶仅限于少数气体元素, 而薄靶又因制靶的困难使测量工作难于开展. 为了解决这些难题, 提出在厚衬底上镀薄膜的新方法来测量元素内壳电离截面. 用薄靶厚衬底技术测量了电子碰撞引起的元素钬和锇 L 壳分产生截面、总产生截面和平均电离截面, 电子能量从阈能附近到36 keV. 同时, 采用电子输运双群模型对衬底反射电子的影响作修正, 并把实验结果与Gryzinski和McGuire的两个理论计算结果进行比较.     

两种性价比高的核能谱放大器

描述了两种性价比高的核能谱放大器,测试了它们的主要性能并与相似用途的法国放大器的测试结果进行了比较 表明它们是两种经济实用型放大器