a—Si:H太阳电池的RBS技术分析

用背散射技术分析了辉光放电法制备的非晶硅太阳电池。测出了a—Si:H、Al、ITO各层膜的厚度,H和C在非晶硅氢合金中的浓度。分析出了a—Si:H表面含有的某些金属杂质的浓度。消除这些杂质后,a—Si:H大阳电池的性能和稳定性得到改善。     

29～1 100keV能区98Mo(n,γ)~(99)Mo反应截面的测量

在２．５ＭＶ静电加速器上，利用活化法相对于１９７Ａｕ的中子俘获截面，在２９～１１００ｋｅＶ中子能区测量了９８Ｍｏ（ｎ，γ）９９Ｍｏ的反应截面，并将测量结果与已有数据进行了比较     

~（181）Ta，（139）La，~（140）Ce和~（142）Ce麦克斯韦谱平均俘获截面的测量

在脉冲静电加速器上，利用~７（ｐ，ｎ）~７Ｂｅ反应产生的中子和使用活化法相对于Ａｕ的麦克斯韦谱的平均俘获截面，测量了ｋＴ＝２４ｋｅＶ的~（１８１）Ｔａ，~（１３９）Ｌａ，~（１４０）Ｃｅ和~（１４２）Ｃｅ麦克斯韦谱平均俘获截面，并将测量结果与文献值进行了比较．     

10—100keV能区的中子俘获截面研究

以~(197)Au为标准,用飞行时间方法,测量了10—100keV能区,~3Nb、~(169)Tm、~1Ta、Ag、Hf和W的中子俘获截面.通过~7Li(p,n)~7Be反应产生运动学准直中子,用两个Moxon—Rae探测器探测俘获事件,其结果与有关文献值作了比较.     

￣（165）Ho（n，γ）￣（166m）Ho反应截面测量

用活化法相对于Ａｕ的中子俘获截面，测量了２０３，６７６和９７４ＫｅＶ中子引起的１６５Ｈｏ（ｎ，γ）１６６ｍＨｏ的反应截面。结果分别为３７．４±５．６，１２．２±２．４和１０．９±３．１ｍｂ．