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| a—Si:H太阳电池的RBS技术分析 | |
| 引用本文： | 冯良桓 ,谢必正 ,郭华聪 ,王明华 ,蔡亚平 ,夏宜君 ,杨经福 ,周心明.a—Si:H太阳电池的RBS技术分析[J].四川大学学报(自然科学版),1988(1). |
| 作者姓名： | 冯良桓 谢必正 郭华聪 王明华 蔡亚平 夏宜君 杨经福 周心明 |
| 摘 要： | 用背散射技术分析了辉光放电法制备的非晶硅太阳电池。测出了a—Si:H、Al、ITO各层膜的厚度,H和C在非晶硅氢合金中的浓度。分析出了a—Si:H表面含有的某些金属杂质的浓度。消除这些杂质后,a—Si:H大阳电池的性能和稳定性得到改善。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |