用离子注入改进真空中玻璃面闪络

本文报导把 He~ 注入玻璃表面增强了玻璃在真空中的面闪络电压,当注入剂量是4×10~(17)离子/厘米~2时,面闪络电压提高了68%.在讨论中分析了改进面闪络的原因。     

SnO_2(F)、Fe_2O_3和ZnSe(Fe)薄膜厚度的测量

用RBS技术、椭偏法和微量天平称重法测量了掺氟SnO_2(FTO)透明导电膜、掺铁ZnSe磁性半导体膜和Fe_2O_3气敏元件膜的薄膜厚度.实验结果表明,RBS技术的测量数值与椭偏法以及微量天平称重法测得的结果符合得较好。     

惰性气体氙(Xe)在不锈钢中的扩散和释放

采用2Mev~4He~ 离子的卢瑟福背散射技术详细地研究了Xe在不锈钢中的扩散和释放过程,不锈钢衬底中的Xe是由离子注入引入的,注入的能量为30Kev,~(129)Xe~ 离子的剂量为2.8×10~(15)ions/cm~2。恒时退火累积分数释放额的测量表明,Xe在不锈钢中的迁移和释放可分为三个阶段。实验发现经Xe离子注入的不锈钢样品表面极易氧化,在退火温度为488℃——789℃的范围内,表面层的氧化将驱使Xe向衬底内部迁移。     

离子注入的~(75)As在SiO_2薄膜中的射程参数

用热氧化的方法在Ｓｉ片上制备了不同厚度的ＳｉＯ２薄膜，把能量１００ｋｅＶ和１８０ｋｅＶ的７５Ａｓ离子分别注入上述衬底，用２．１ＭｅＶ的４Ｈｅ离子对注入后的样品作了背散射分析，测出了７５Ａｓ在样品中的射程分布．将实验测出的射程参数与ＴＲＩＭ９０程序预言的结果作了比较，结果表明，实验测量的Ｒｅｘｐｐ与ＴＲＩＭ９０程序计算的Ｒｃａｌｐ值符合得很好，而ΔＲｐ的值符合较差，ΔＲｅｘｐｐ普遍大于ΔＲｃａｌｐ．上述现象产生的原因可能是在注入过程中Ａｓ原子发生了辐射增强扩散     

高磁感应强度磁质量分析器的加工工艺

本文主要介绍一台高磁感应强度的磁分析器的加工工艺。由于在选材、锻压、退火及加工过程中进行了严格的控制,取得了良好的效果,使磁极间的磁感应强度达到13.5仟高斯以上,I——B关系曲线中直线部分的磁感应强度最高达到了11仟高斯。