离子注入机高压上的电器的光控调节

离子注入机的总体设计方案可分为先加速后分析和先分析后加速两种。在电器安排方面,有的离子注入机设计为靶室接地,使离子源处于正高压;有的注入机设计为离子源接地,使靶室处于负高压;也有的注入机设计为中间的分析器接地,使离子源和靶室分别处于正负高压(这种设计较为少用)。不管采用那一种设计方法,总有一端为高压,那么这一端的电器设备就要处在高压上。我校研制的400KeV多元素离子注入机,是采取靶室接地,头部为400KV的正高压。因而,离子源电源、吸极电源、予加速电源、初     

~(75)A_S~ 离子注入的AI_2O_3膜抗腐蚀性的研究

本文研究了用~(75)A_s~ 离子注入的Al_2O_3膜的抗腐蚀性。Al_2O_3膜在磷酸中的最小腐蚀速率(或最佳的~(75)A_s~ 杂质浓度)能根据实验结果和类高斯离子射程分布得到。实验结果表明,注入离子的Al_2O_3膜在H_3PO_4—CrO_3溶液中的腐蚀率要比未注入的Al_2O_3膜在相同条件下的腐蚀速率小10倍以上。因此,甚至在酸中,离子注入在改善材料表面层的抗腐蚀性方面也是有希望的技术。     

一台400keV离子注入机的光路设计

本文给出了一台400keV离子注入机的物理设计总体方案。根据设计指标,详细计算了该机主要部件的参数。经调试,各项指标达到设计要求。     

PMOS—FET栅氧电荷动态行为的计算机模拟

分析了绝缘栅ＰＭＯＳ—ＦＥＴ结构的工艺及器件模拟数据，获得了衬底电阻车在８～１５Ω·ｃｍ范围内变化时与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系．模拟结果与实验现象相一致．同时，定量地描述了在常规偏压条件下栅氧层中表面电荷的分布及行为，揭示出阈值电压随衬底掺杂浓度的变化而发生变化的体效应机理．     

高磁感应强度磁质量分析器的加工工艺

本文主要介绍一台高磁感应强度的磁分析器的加工工艺。由于在选材、锻压、退火及加工过程中进行了严格的控制,取得了良好的效果,使磁极间的磁感应强度达到13.5仟高斯以上,I——B关系曲线中直线部分的磁感应强度最高达到了11仟高斯。