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1.
用沟道—卢瑟福背散射技术(RBS)研宄了能量为50 KeV,剂量为3.8×10~(16)/cm~2和1.9×10~(16)/cm~2的~(40)Ar~+离子注入(111)硅衬底中的恒温等时热退火行为。结果表明,离子注入层中Ar 原子的扩散和释放以及非晶硅层的再结晶行为明显地依赖于~(40)Ar~+离子的注入剂量和退火温度。注入剂量为3.8×10~(16)/cm~2的样品,当退火温度为700℃时,表面层硅的密度明显减小,退火温度为750℃时,注入层中的大部分Ar 发生外扩散并从样品表面释放。注入剂量为1.9×10~(16)/cm~2的样品,退火过程中没有发现衬底硅表面密度的变化,而且当退火温度为900℃时,残留在注入层中的Ar 仍旧比较多。最后对这些现象进行了讨论和解释。  相似文献   
2.
采用2Mev~4He~ 离子的卢瑟福背散射技术详细地研究了Xe在不锈钢中的扩散和释放过程,不锈钢衬底中的Xe是由离子注入引入的,注入的能量为30Kev,~(129)Xe~ 离子的剂量为2.8×10~(15)ions/cm~2。恒时退火累积分数释放额的测量表明,Xe在不锈钢中的迁移和释放可分为三个阶段。实验发现经Xe离子注入的不锈钢样品表面极易氧化,在退火温度为488℃——789℃的范围内,表面层的氧化将驱使Xe向衬底内部迁移。  相似文献   
3.
与注磷相比,五价的砷元素作为施主杂质注入半导体材料硅中,具有许多独特的优点:(1)固溶度高;(2)投影射程小,可以得到较浅的p-n结;(3)有可能通过人为控制,使砷扩散后的浓度分布趋于对发射极有利的矩形分布;(4)引起的损伤较浅,只要适  相似文献   
4.
用MP2/6-311++G~(**)//B3LYP/6-311++G~(**)方法对(Urea)_n(n=2~5)复合物进行结构优化、频率和结合能的计算,并考虑基组重叠误差.研究发现,(Urea)_n(n=2~5)中存在N—H…O和N—H…N两种类型的氢键,其中,N—H…O型氢键键长较短,氢键角较大,作用强度较大.通过Mulliken电荷布居分析,发现复合物中参与形成氢键的原子所带电荷变化明显,而没有参与形成氢键的原子电荷几乎不变.基于原子-键电负性均衡方法,确定尿素团簇的相关ABEEM电荷参数,计算得到的电荷分布与量子化学结果有很好的一致性.  相似文献   
5.
在概述高校图书馆的职能、现代图书馆的形式、国内外图书馆的建设基础上,探讨了提高高校图书馆利用率的对策。  相似文献   
6.
通过地面大气气溶胶的测定,可以反映大气浑浊度,进而在某种程度上确定区域的气候效应,其中关键技术是大气气溶胶光学厚度的反演.目前使用的卫星遥感气溶胶光学厚度反演算法中,扩展暗像元法精度较低而V5.2法适用范围较窄.提出了一种优选反演法,通过引入中红外通道表观反射率来选择扩展暗像元法或V5.2法.其中,在V5.2法中添加了Walthall双向反射分布订正.实验对比了相关方法反演的气溶胶光学厚度数据,结果表明所提方法可以弥补扩展暗像元法和V5.2算法各自的不足.  相似文献   
7.
由于目前Android平台计算能力有限,很难满足大计算量的人脸识别系统的需要,因此探索一种适合于Android平台的人脸识别算法尤为重要.采用主成分分析法(PCA算法)进行人脸检测与识别,结合预先存储样本值大量减少计算量.实验表明该Android平台人脸识别系统准确度较高.  相似文献   
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