铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响

采用双离子束共溅射技术，通过对由Al,Si和SiO2组成的复合靶的溅射制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜（AlSiO)。其中铝和硅在薄膜中的含量可通过改变靶面上铝和硅秘占的表面积来调节。在所有的样品中，在可见光范围均观察到仅有一个位于510nm的电致发光（EL）谱峰。实验结果表明，在一定的工艺条件下适量的掺铝可明显地改善EL的启动电压及发光强度。     

纳米InAs镶嵌复合薄膜的制备及光吸收

采用射频共溅技术制备了ＩｎＡｓ－ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜,透射电子显微镜观察分析了该复合薄膜的微结构和形成规律。结果表明,随着衬底温度的提高,复合薄膜中ＩｎＡｓ的聚集状态经历由完全弥散到分形聚集再到纳米晶颗粒的转变。测量了该复合薄膜室温光吸收谱,观察到了吸收边发生较大蓝移的现象,并用量子取域理论对这种现象进行了解释。     

Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸. 经600～1000℃退火, Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm. 在紫外光的激发下, 所有样品都发出很强的394 nm的紫光. 随着Ge纳米晶粒的出现, 样品有580 nm的黄光发出, 其强度随着晶粒的增大而增强. 对于经不同温度退火的样品, 这两个波段的峰位都保持不变. 根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论.     

Ge-SiO2薄膜的光致发光及其机制

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜。薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理。根据X射线衍射（XRD）谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸。经600-1000℃退火，Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9nm增至6.1nm。在紫外光的激发下，所有样品都发出很强的394nm的紫光。随着Ge纳米晶粒的出现，样品的580nm的黄光发出，其强度随着晶粒的增大而增强。对于经不同温度退火的样品，这两个波段的峰位都保持不变。根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论。     

任务趋动 主动探究——《动物怎样生活》教学案例与解读

自从参与学习主题构建培训以来，我的观念发生了明显的变化，情境化、任务化的教学理念给了我很大启发。适逢浙江省教研室拍摄“省长工程”录象课，确定让我承担这一节课，于是我决定采取“任务趋动”的设计思路进行教学，期待课堂里发生新的变化。     

富Si-SiO_2薄膜的制备、结构及光致发光特性的研究

利用双离子束溅射沉积共溅射方法制备了富Si SiO2 薄膜 ,研究了沉积参数、时间、工作气压PAr、基片温度等对沉积速率的影响 ,用TEM和XRD分析了样品的结构 ,当基片温度Ts <4 50℃时 ,所制备一系列样品均为非晶结构 ,当沉积基片温度较高时 (Ts ≥4 50℃ ) ,薄膜样品中才出现Si的颗粒 我们还分析了样品的室温光致发光现象 ,从PL谱中可以看出 ,样品有～ 32 0nm、～ 4 10nm、～ 560nm和～ 630nm四个PL峰 ,并对其发光机理进行初步探讨     

GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究

采用射频磁控共溅技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜，GaAs在薄膜中所占分子百分比达19．0％，光电子能谱分析表明随着基片温度升高，薄膜中元素Ga，As的被氧化程度有所增强，但元素Ga，As仍主要以化合物半导体GaAs的形式，元素Si,O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中。     

温度对非晶SiO_x薄膜的光致发光特性的影响

采用双离子束共溅射法制备的SiOx 薄膜为非晶结构 ,在室温下观察到了可见光致发光 (PL)现象 ,探测到样品有四个PL峰 ,它们的峰位分别为～ 32 0nm ,～ 4 10nm ,～5 6 0nm和～ 6 30nm ,且峰位和峰强随温度 (基片温度Ts 和退火温度Ta)的变化而发生变化 ,并对实验结果进行了讨论     

浅谈工程项目施工过程中的质量控制

施工的关键在于进度和质量。对于进度,原则上按照原施工组织计划就可以执行。而施工项目质量则存在复杂性、严重性、可变性和多发性的特点,要提高工程项目的质量水平,就必须狠抓施工过程中的质量控制。本文就施工过程中质量控制的重要性展开全方面分析,确保从多方面稳抓质量水平。