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71.
72.
气相法同质外延金刚石单晶薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文以<100>和<111>两种取向的金刚石为衬底,用微波PCVD法进行了同质外延实验,考察了衬底取向,反应气体,碳源浓度等因素对外延层形貌与结构的影响,给出了获得比较理想单晶外延层的实验条件。 相似文献
73.
衣德学 《济南大学学报(自然科学版)》1994,(2)
郯城金刚石砂矿属冲积层产状被破坏的阶地砂矿,金刚石产在残余二阶地冲积砂砾层中,金刚石颗粒大,宝石级金刚石较多,是宝石工业的重要原料基地。 相似文献
74.
金刚石压力机其温度不易直接测量,控温较困难。本文从加热的原理出发,引入了单片机恒流控制,并给出了用单片机实现的具体步骤与方法。 相似文献
75.
本文对双离子束溅射淀积法制备的类金刚石碳膜进行了大气中的热退火研究。退火温度300℃,时间分别为1.5h和3.0h。对退火前后的样品分别作了红外透射谱、Raman光谱和电阻率的测量,并在退火过程中对膜层电阻率进行了即位测量。结果表明,300℃的退火并不能使膜层中的C-H键断裂,而使膜层结构趋于完整,膜层氧化变薄,其电阻率和红外透过率过率增高;但退火对膜的影响程度只与退火温度有关,而与退火时间无关。 相似文献
76.
本文研究了用热解CVD方法合成的金刚石的结晶特性,并与用高温高压法合成的金刚石的结晶特性做了比较。 相似文献
77.
本文较详细地研究了采用HFCVD方法在Si、Mo等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜,讨论了生长条件(衬底温度、碳源浓度、反应压强)对金刚石薄膜晶粒形貌的影响.结果表明在HFCVD方法中,金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感,生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长. 相似文献
78.
从等离子体发射光谱变化这一角度研究在不同沉积条件下等离子体中电子平均能量的特点,分析碳源气体分析与电子的碰撞以及碳氢基团的能态变化,从而对等离子体法沉积金刚石薄膜微观机理进行初步探索。 相似文献
79.
本文研究了在HF—CVD法中,衬底温度Ts对PETEOS(等离子体增强正硅酸乙酯)氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明:Ts变化影响PETEOS氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ts较低时(750—820℃),PETEOS氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面;随Ts升高(>820℃),氧化硅区域成核密度增加很快;当Ts>850℃时,氧化硅区域成核密度超过硅表面。 相似文献
80.