强耦合一维激子的基态有效哈密顿量

本文讨论一维晶体中强耦合激子通过形变势和光学声子的相互作用,导出了激子基态的有效哈密顿量。     

周期调制磁场中二维电子气的电学特性

讨论了一般形式的弱周期调制磁场中二维电子气的电学特性．调制磁场消除了朗道能级的简并性，使之成为朗道子能带，从而导致磁致电阻的Ｗｅｉｓｓ振荡．结果表明：在纵向电阻ρｘｘ（及△ρｘｘ）和横向电阻ρｙｙ（及△ρｙｙ）中的Ｗｅｉｓｓ振荡位相是相反的，而霍尔电阻△ρｘｙ与△ρｘｘ的位相相同．△ρｘｘ的振幅远大于△ρｙｙ及△ρｘｙ的振幅．在较强磁场下，调制磁场的高阶Ｆｏｕｒｉｅｒ分量的贡献很明显；而弱磁场中，高阶Ｆｏｕｒｉｅｒ分量的贡献可以忽略．     

强耦合极性晶体中激子的基态能量

本文采用线性组合算符的方法讨论强耦合极性晶体中激子的内部运动,对Wannier激子导出了激子内部运动的有效哈密顿量。激子的自能表示为耦合参数α的降幂级数,其首项为一次项。激子内部有效作用势与耦合参数α等有关。     

一种计算非晶态振动谱的改进方法逆矩阵－运动方程法

在运动方程法的基础上，提出了一种计算非晶态振动谱的新方法：逆矩阵－运动方程法．这种方法有计算准确，收敛速度快等优点．     

磁性Fe3O4微球的溶剂热法合成及其Fenton降解二甲酚橙研究

采用溶剂热法在200℃制备出形貌均一、分散性较好、平均粒径约200nm的磁性Fe₃O₄微球。该方法合成的Fe₃O₄微球在Fenton降解二甲酚橙方面效果显著,降解率达到90%以上。由于Fe₃O₄微球具有强磁性,故反应后催化剂可直接通过磁铁吸引的方式回收,且回收率可达90%以上。回收后的催化剂只需简单超声清洗便可再生并循环利用,催化剂再生后的降解效果与其一次催化的效果相近。     

离子晶体中Frenkel激子的自陷能

考虑到离子晶格的原子结构,用紧束缚方法计算了Frenkel激子的自陷能。     

量子线中强耦合磁极化子的性质

采用变分法研究了量子阱线中强耦合磁极化子的旋共振频率．对于不同的限制强度计算了磁极化子在基态和激发态的结合能，最后得到旋共振频率随磁场增强而增大的结果．     

从电子-声子作用对卤化铊中激子结合能的影响看有效质量公式

一些作者对卤化铊中激子结合能所作的计算和实验值相差一个数量级,我们用过去得到的电子-空穴有效作用势计算了卤化铊中激子的结合能比其他作者所得的结果有了很大的改进。并且进一步发现,关于极化子有效质量与带质量的公式,LLP的比Haga的好。     

慢降温工艺的最佳降温率

半导体器件的性能受晶体中缺陷的影响极大。慢降温工艺是一种简单而有效的消除晶体缺陷的方法。本文根据空位和点缺陷的复合,导出了最佳降温率。文中定性地分析了决定最佳降温率的几个因素,指出:最佳降温率与点缺陷的密度成正比;最佳降温率应随温度之下降而放慢。     

表面激子极化激元在激子共振频率附近的异常色散现象

本文对表面激子极化激元的色散关系进行了计算,纠正了 B.Fischer 和 H.J.Queisser的错误结果,发现在激子共振频率附近表面激子极化激元存在异常色散的现象。