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| 慢降温工艺的最佳降温率 | |
| 引用本文： | 顾世洧.慢降温工艺的最佳降温率[J].内蒙古大学学报(自然科学版),1979(1). |
| 作者姓名： | 顾世洧 |
| 作者单位： | 内蒙古大学物理系 |
| 摘 要： | 半导体器件的性能受晶体中缺陷的影响极大。慢降温工艺是一种简单而有效的消除晶体缺陷的方法。本文根据空位和点缺陷的复合,导出了最佳降温率。文中定性地分析了决定最佳降温率的几个因素,指出:最佳降温率与点缺陷的密度成正比;最佳降温率应随温度之下降而放慢。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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