强耦合一维声激子的基态有效哈密顿量

本文讨论一维晶体中强耦合激子通过形变势和声学声子相互作用。定义了一个激子—声子耦合常数α_0=(α_1~(1/2)β_2-gα_2~(1/2)β_1)~2,导出了激子基态的有效哈密顿量。     

表面声学振动对电子的影响

表面声学振动对许多Ⅲ—V族晶体表面的性质有决定性的影响,本文采用一种简单的方法,研究了表面声学振动和其它振动模式对表面电子的影响。     

横向表面超晶格量子线中的电子和杂质态的研究

本文利用一个空间坐标变换,使得量子线的结构界面变成了平面,且电子的波函数在新的坐标空间能准确地满足量子力学边界条件。同时,经变换后电子的哈密顿为有效哈密顿,它是沿量子线方向的周期函数。在阱线外近似为无限高势垒和阱线的截面为知形的情形下,我们考虑了两种类型的GaAs/AlAs横向表面超晶格量子线。其中一种是阱线的厚度沿量子线方向周期性变化,而中心不变,另一种是阱线的厚度不变,而它的中心线却周期性地波     

TlCl和TlBr中激子的结合能

本文用作者之一提出的电子—空穴有效势计算了TlCl和TlBr中激子的结合能,得到了与实验符合较好的结果。     

棱镜耦合波导模式方程的另一导出法

汤定鼎和方俊鑫曾导出棱镜耦合下平面波导TE模的模式方程,但是在关键地方作了一个很强的假设:B_1=-A_1e~(-a_1s)。本文无需这个假设,对棱镜耦合波导导出了同样的模式方程。     

极化子有效质量与温度的关系

极化子的有效质量与温度的关系在许多作者之间一直存在着对立的看法,有些作者认为极化子的有效质量随温度升高而变大,另一些作者则认为极化子的有效质量随温度上升而变小。我们基于Sewell的工作,改用场论方法进行计算。计及晶格的原子结构,电子晶格系的哈密顿为     

声子色散对多原子晶体中极化子的影响

本文计及纵光学声子的色散,在抛物近似下,计算了多原子晶体中极化子的基态能量,有效质量和自陷能。声子色散的加强使极化子自陷能变大,有效质量也随色散的强弱而改变。     

LO声子色散对磁场中激子性质的影响

本文计及LO声子的色散,讨论了磁场中激子的性质。     

准一维聚合物中的声学极化子

本文讨论准一维聚合物中的一维电子通过形变势与三维声学声子相互作用。对弱耦合和中间耦合情形,导出了极化子基态能量和有效质量。结果表明,在这种混合维数模型中,可形成稳定的极化子。