纵光学声子的色散对激子性质的影响

本文对作者计及纵光学声子的色散所导出的极性晶体中激子的有效哈密顿量,采用变分法计算了激子的基态能量和波函数,就大激子和小激子两种情形,得到了基态能量和波函数的解析式。     

半无限晶体中的表面电子

电子在半无限晶体内表面附近运动时,不仅受表面光学声子和体纵光学声子的影响,而且还受表面声学声子的影响,本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以及表面声学声子对电子的影响,讨论了在半无限晶体中电子的性质,得到了表面电子的有效哈密顿量、镜像势和自陷能的解析表达式。     

ZrF4系玻璃的振动谱的计算

ＺｒＦ＿４系玻璃的振动谱的计算高而震，顾世洧（上海交通大学）（上海交通大学）（中国科学院国际材料物理中心）关键词：红外材料，光纤通信．１９７３年在实验上获得了损耗为０．２ｄＢ／ｋｍ的二氧化硅基质光纤．这个值几乎达到了本征损耗的极限值．如果需要更低损耗...     

激子理论

本文综述了我们近年来在激子理论方面的部分工作。第二节中从Frohlich激子一声子系哈密顿出发,用Haga研究极化子时提出的微扰法导出了激子的基态能量、有效质量以及内部势能;对激子的自陷条件、Wannier激子的稳定性等问题进行了分析,对于大激子和小激子两种极限情形,导出了能量和波函数的解析式;对于激子半径与屏蔽长度相近的中间情形,计算了激子的结合能,与实验值作了比较,较之他人的结果有了很大的改进。第三节中计及离子晶体的原子结构,用紧束缚法导出了Frenkel激子的自陷能和有效质量,导出了有效质量与温度的关系,计算了小激子的自陷能并与第二节所得的结果作了比较。第四节中对压电晶体,考虑声学声子与电子、空穴的作用,异出了激子的有效哈密顿,对压电激子的自陷能、有效质量以及电子空穴有效作用势作了讨论。第五节中讨论极性晶体中的表面激子,计及表面光学声子与电子—空穴的作用,导出了极性晶体中理想表面激子的有效哈密顿,对表面激子的自陷条件、电子—空穴有效作用势作了分析,并和体激子作了比较。     

极性晶体中激子的结合能

一些作者对极性晶体中激子的结合能所得到的计算值和实验值相差很大,有的几乎大一个数量级,本文改进了过去的工作,对TlBr,TlCl,ZnO和CuCl等晶体中所算得的结合能,有了进一步的改善,特别是对ZnO和CuCl所得的结果和实验符合得很好。将极性晶体中激子的有效哈密顿写为     

制造大功率硅整流元件采用一次全扩散法的必要性

本文讨论了大功率硅整流元件的几个参数之间的关系,指出设计参数的关键是提高少数载流子的寿命。在分析了影响少数载流子的各种因素后,指出:采用一次全扩散法可以有力地避免少数载流子寿命的下降。     

通过形变势强耦合的一维电子声学声子系统的能量

本文计算了通过形变势作用的一维强耦合电子-声学声子系统的基态能量。采用一个简单的么正变换和变分法,得到一个新的哈密顿量,对这个哈密顿量可以用微扰理论处理,零级近似下的基态能量为 E_0=-8/3π~2a~2ms~2.     

极性半导体中的表面极化子

有不少极性半导体,电子与体纵光学声子的耦合弱,但与表面光学声子的耦合强。本文研究这类半导体的表面极化子,早出了表面极化子的有效哈密顿量、基态能量和有效作用势。     

强耦合压电晶体中激子质量的重正化

本文研究压电晶体中强耦合激子的性质。采用线性组合算符和护格朗日乘子法,导出了强耦合情况下的压电激子的有效哈密顿量,得到了强耦合激子的重正化质量。     

强关联和自旋磁交换作用对高温超导体临界温度的影响

提出了一种可能的超导理论，该理论强调了格点上的强关联 自旋磁综合利用知雪导机制中的重要性。推出了铜氧化合物超导体的临界温度公式。结果表明，临界瀑 仅强烈地依赖于自旋磁相互作用和格点 的强关联相互作用，而且也依赖于掺杂浓度。